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分子束外延InAlSb红外探测器光电性能的温度效应: 2017年; 采用分子束外延生长方法在In Sb(100)衬底上生长p^+-p^+-n-n^+势垒型结构的In_(1-x)Al_xSb外延层。运用X射线衍射对材料的晶体质量及Al组分进行测试和表征,In Al Sb外延层的半峰宽为0.05°,表明外延材料的单晶性能良好,并通过布拉格方程和维戈定律计算出Al组分为2.5%。然后将外延材料制备成多元红外探测并测得77~210 K下的光谱响应曲线,实验发现探测器的截止波长从77 K时的4.48μm增加至210 K时的4.95μm。通过数据拟合得出In_(0.975)Al_(0.025)Sb禁带宽度的Varshni关系式以及其参数E_g(0)、α和β的值分别为0.238 6 e V,2.87×10^(-4 )e V/K,166.9 K。经I-V测试发现,在110 K,-0.1 V偏压下,器件的暗电流密度低至1.09×10^(-5 )A/cm^(-2),阻抗为1.40×10~4Ωcm^2,相当于77 K下In Sb探测器的性能。同时分析了温度对器件不同类型的暗电流的影响程度,并得到器件的扩散电流与产生-复合电流的转变温度约为120 K。; 陈刚李墨吕衍秋朱旭波朱旭波; 关键词：分子束外延光电特性红外探测器

某伺服系统虚拟样机的建立与应用: 本文通过某伺服系统虚拟样机的建立过程论述了应用UG、Adams、Matlab等软件建立虚拟样机的方法,并结合实际介绍了虚拟样机的功用.; 陈刚; 关键词：虚拟样机动力学模型; 文献传递

高工作温度InAlSb红外探测器的研究进展被引量：5: 2016年; 概括了国外InAlSb红外探测器的研究现状、材料性质以及发展趋势,并介绍了几种不同的器件结构及其性能情况。InAlSb/InSb红外探测器的设计目标主要是通过抑制暗电流来提高探测器的工作温度。近年来,基于传统InSb探测器的成熟工艺与技术,InAlSb探测器的性能得到了不断提升。该研究对红外制导、预警等军事领域具有重要的研究意义和应用价值。; 陈刚孙维国吕衍秋; 关键词：红外探测器分子束外延

InAlSb红外光电二极管性能研究被引量：2: 2017年; 在InSb衬底上利用分子束外延生长了p-i-n结构的InAlSb/InSb材料,通过在吸收层和接触层之间生长宽禁带的InAlSb势垒层,验证了势垒层对耗尽层中暗电流的抑制作用。分别基于外延生长的InAlSb材料和InSb体材料,借助标准工艺制备出二极管,并对其电性能进行测量分析,研究发现:77K温度时,在-0.1V的外偏电压下,p+-p+-n--n+结构和p+-n--n+结构InAlSb器件的反偏电流分别为3.4×10^(-6)A·cm^(-2)和7.8×10^(-6)A·cm^(-2)。基于p+-p+-n--n+结构研制的InAlSb二极管的暗电流保持在一个很低的水平,这为提高红外探测器的工作温度提供了重要基础。; 朱旭波李墨陈刚张利学曹先存吕衍秋; 关键词：INSB 钝化红外探测器

一种销装配通用夹具: 一种销装配通用夹具，立柱固定设置在底板的上表面一侧，盖板固定设置在立柱的顶端，盖板的上表面开设有凹槽，凹槽内活动设置有活动块，活动块的上方设置有压板，压板通过螺栓与盖板固定连接，活动块的上表面和凹槽的内部上表面均开设有通...; 胡敏冉黎林陈刚葛太坤; 文献传递

InAlSb材料禁带宽度的温度特性研究被引量：1: 2021年; 基于经典Varshni模型,提出了In 1-x Al x Sb的能带值E g随Al组分和温度变化的经验关系E g(x,T),并通过已有的文献数据对该公式进行有效性的验证。实验上,采用分子束外延方法在InSb(100)衬底上生长p+-p+-n-n+势垒型结构的InAlSb外延层。运用高分辨率X射线衍射对材料的晶体质量及Al组分进行测试和表征,计算得出Al组分为2.8%。然后将InAlSb材料制备成红外探测器二极管并测量77~260 K下的光谱响应曲线,从而计算出In 0.972 Al 0.028 Sb材料的能带值随温度的变化关系。对比分析的结果表明:实验观察和文献数据均与理论推导基本吻合。InAlSb能带值与Al组分和温度变化关系的确定为探测器材料结构设计提供了必要的理论支撑。; 张宏飞杨瑾焜陈刚李墨; 关键词：禁带宽度 MBE 光谱响应温度特性红外探测器

一种销装配通用夹具: 本发明公开了一种销装配通用夹具，包括底板、立柱和盖板，所述立柱固定设置在底板的上表面一侧，盖板固定设置在立柱的顶端，所述盖板的上表面开设有凹槽，凹槽内活动设置有活动块，活动块的上方设置有压板，压板与盖板固定连接，所述活动...; 胡敏冉黎林陈刚葛太坤; 文献传递

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陈刚