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孙大鹏

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:合肥工业大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电化学
  • 1篇电化学沉积
  • 1篇阵列
  • 1篇球形钨粉
  • 1篇钨粉
  • 1篇钨阴极
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米棒
  • 1篇放电等离子
  • 1篇放电等离子体...
  • 1篇钡钨阴极
  • 1篇ZNO
  • 1篇ZNO纳米
  • 1篇ZNO纳米棒

机构

  • 2篇合肥工业大学

作者

  • 2篇孙大鹏
  • 1篇张久兴
  • 1篇赵艳猛
  • 1篇杨新宇
  • 1篇蒋阳
  • 1篇米龙飞

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇安徽化工

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
电化学沉积制备ZnO纳米棒阵列薄膜的研究
2013年
通过对不同沉积电压与沉积时间的研究,确定了电化学沉积ZnO纳米棒阵列的最佳工艺条件。在-0.5V沉积电压下沉积20h制备出了ZnO纳米棒阵列薄膜,研究结果表明:纳米棒阵列均匀致密,直径在200nm左右,并且具有高度的c轴择优取向。
米龙飞赵艳猛孙大鹏蒋阳
关键词:电化学沉积ZNO
钡钨阴极优化与热电子发射性能被引量:1
2022年
分别从基体和铝酸盐两方面优化了钡钨阴极.在基体方面,首先采用窄粒度钨粉结合放电等离子体烧结获得了孔径分布窄的基体;再利用射频等离子体球化技术制备了球形钨粉,采用球形钨粉制备了多孔基体,获得了孔通道光滑、内孔连通性好、孔径分布更加窄的基体.与窄粒度钨粉基体相比,球形钨粉制备的阴极,空间电荷限制区的斜率由1.25增加至1.37,发射均匀性得到提高,拐点电流密度由6.6 A·cm^(-2)增至6.96 A·cm^(-2).在此基础上,采用液相法改善了铝酸盐物相组成,发现空间电荷限制区的斜率增加至1.44,拐点电流密度增加至21.2 A·cm^(-2).通过理论计算对钡钨阴极发射的物理本质进行了研究,发现钡钨阴极发射规律遵循偶极子理论.
尚吉花杨新宇孙大鹏张久兴
关键词:钡钨阴极放电等离子体烧结球形钨粉
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