张跃强
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- 退火处理对Dy_4(Co_(21)Cu_(79))_(96)颗粒膜结构和巨磁电阻效应的影响
- 2012年
- 采用磁控溅射法制备Dy_4(Co_(21)Cu_(79))_(96)颗粒膜,研究薄膜的巨磁电阻(GMR)效应及磁性能.应用X射线衍射仪(XRD)对薄膜微观结构随退火温度的变化进行分析,采用四探针及振动样品磁强计(VSM)测量薄膜的磁电阻和磁性能.X射线衍射实验结果表明:制备态的薄膜形成了单相亚稳态面心合金结构,退火处理将促进Cu和Co的相分离.磁电阻测试发现:所有不同成分的Dy_x(Co_(21)Cu_(79))_(100-x)(x=0,4,8,9,12,14)薄膜样品均随着退火温度的升高,颗粒膜巨磁电阻(GMR)效应不断增大,当达到最佳退火温度之后,GMR值又随退火温度的升高而降低.当退火温度为425℃时,Dy_4(Co_(21)Cu_(79))_(96)薄膜的巨磁电阻效应达到最大,GMR值为-4.68%.退火前后样品磁滞回线的变化表明薄膜中发生了从超顺磁性到铁磁性的转变,矫顽力H_c随退火温度的升高逐渐增大.
- 武小飞成钢陈伟杜玉松马垒耿胜董张跃强顾正飞
- 关键词：巨磁电阻效应退火温度
