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付长风

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：天津理工大学电子信息工程学院更多>>
相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电学性能
  • 1篇动态随机存储...
  • 1篇载流子
  • 1篇烧写
  • 1篇随机存储器
  • 1篇同步动态随机...
  • 1篇硼掺杂
  • 1篇片上系统
  • 1篇嵌入式
  • 1篇嵌入式处理器
  • 1篇金刚石
  • 1篇金刚石薄膜
  • 1篇可编程片上系...
  • 1篇刚石
  • 1篇编程
  • 1篇NIOS
  • 1篇CVD金刚石
  • 1篇CVD金刚石...
  • 1篇掺杂
  • 1篇处理器

机构

  • 2篇天津理工大学

作者

  • 2篇陈希明
  • 2篇程强
  • 2篇李杰
  • 2篇付长风
  • 1篇王颖蕾

传媒

  • 2篇天津理工大学...

年份

  • 2篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
基于NiosⅡ的Flash的数据烧写被引量：1
2009年
随着电子技术的发展和PLD性能的不断提高,SOPC技术为系统设计提供了一种简单、灵活、高效的途径.本文简单介绍了基于NiosⅡ的可编程片上系统的系统设计,并以Flash数据烧写为实例,讨论了在应用过程中遇到的一些问题和解决方案.
程强陈希明付长风李杰
关键词：可编程片上系统嵌入式处理器同步动态随机存储器
硼掺杂对金刚石薄膜载流子浓度的影响
2009年
采用固体三氧化二硼,在硅衬底上用HFCVD法生长金刚石薄膜.对CVD金刚石薄膜的进行了表面形貌和结构进行了研究,并测试了不同硼掺杂浓度的金刚石膜载流子浓度及其电阻率.结果表明:金刚石膜结构致密,硼掺杂有利于改善膜质量,膜中载流子浓度随着掺杂浓度的提高不断提高.
程强王颖蕾陈希明付长风李杰
关键词：CVD金刚石薄膜硼掺杂电学性能
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共1页<1>
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