张晓欣
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程一般工业技术更多>>
- 光学浮区法生长掺锡氧化镓单晶及性能研究被引量：3
- 2015年
- 作为垂直结构的Ga N基LED新型衬底材料,β-Ga2O3单晶已经引起了人们的广泛关注。β-Ga2O3单晶的导电性是通过掺杂来实现的,Sn4+掺入是其中一种很好提高β-Ga2O3导电性的方法。利用光学浮区法生长了尺寸为5×20 mm2,掺杂浓度为10%的掺锡氧化镓单晶(Sn∶β-Ga2O3),并对Sn∶β-Ga2O3单晶的缺陷密度、导电和荧光光谱特性进行了研究。结果表明:实验制得Sn∶β-Ga2O3样品的线缺陷约为6.51×105/cm2,掺入Sn4+杂质后β-Ga2O3的电导率增加,样品的最高电导率为2.210 S/cm,同时Sn4+的掺入会抑制β-Ga2O3的红绿光发射。
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- 关键词：浮区法电导率荧光光谱
- 温度对Pr:LSO多晶薄膜的物相及其发光性能的影响
- 采用Pechini溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅（111）上制备了Pr3+离子掺杂的硅酸镥（Lu2Si O5）薄膜,利用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、荧光光谱（PL）对Pr:Lu2S...
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- 关键词：发光旋涂法
- 文献传递
- Ce、Pr共掺LSO多晶薄膜的溶胶–凝胶法制备及其发光性能被引量：3
- 2016年
- 采用溶胶–凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Ce^(3+)、Pr^(3+)共掺杂的硅酸镥(Lu_2SiO_5)薄膜,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL)对(Ce,Pr):Lu_2SiO_5薄膜的物相、表面形貌及发光性质进行了研究和表征。结果表明:薄膜样品在1000℃下形成了A-Lu_2SiO_5纯相;在1100℃下形成了B-Lu_2SiO_5纯相。经1100℃煅烧后,通过SEM可以观察到薄膜表面均匀、平整、无裂纹,晶粒大小为200~300 nm,旋涂10层的薄膜厚度约为320 nm。从PL谱中可以发现:在共掺杂体系里,Pr^(3+)在跃迁过程中,有一部分能量传递给Ce^(3+)离子,使Ce^(3+)产生特征能级跃迁,并且使Ce^(3+)发射强度比单掺杂Ce^(3+)时的发射强度更强。
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