方有维
- 作品数：3 被引量：17H指数：3
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电气工程更多>>
- (Ba_(1-x)Sr_x)La_4Ti_4O_(15)(x=0.8～0.95)陶瓷的微结构及微波介电性能研究被引量：5
- 2012年
- 采用固相反应法制备了（Ba1-xSrx）La4Ti4O15（x=0.8~0.95）复合体系微波介质陶瓷,并对其进行物相组成、晶体结构分析以及微波介电性能的研究.研究结果表明,（Ba1-xSrx）La4Ti4O15陶瓷主晶相为SrLa4Ti4O15,并伴随有第二相SrLa8Ti9O15.SEM观察表明,Ba0.2Sr0.8La4Ti4O15陶瓷内部微观结构致密,晶粒尺寸在10~20μm之间,晶界清晰.随着x值逐渐增大,（Ba1-xSrx）La4Ti4O15陶瓷中晶粒形态发生变化,气孔增多.在x=0.8时,（Ba1-xSrx）La4Ti4O15陶瓷具有优良的微波介电性能,即εr=40.86,Q×f≈62806 GHz,τf=20×10 6/℃.随着Ba2＋的含量逐渐增加,该陶瓷的介电常数εr单调上升,品质因子Q×f值增加,说明适量的Ba2＋替代Sr2＋能改善陶瓷的微波介电性能.
- 刘林方有维邓新峰庄文东唐斌张树人
- 关键词：微波介质陶瓷类钙钛矿结构微波介电性能
- H_3BO_3或SiO_2掺杂对CTLA陶瓷微波介电性能的影响被引量：3
- 2012年
- 研究了H3BO3或SiO2掺杂(质量分数为0.02%～2.00%)对0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的烧结温度、晶体结构及微波介电性能的影响。结果表明,微量的H3BO3或SiO2掺杂可使0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的烧结温度从1 380℃降至1 340℃,2.00%以内的H3BO3或SiO2掺杂不会改变陶瓷的物相组成。在H3BO3掺杂质量分数为2.00%时,样品的微观形貌发生了很大的改变,烧成的陶瓷稀疏多孔,密度急剧下降。研究表明,H3BO3或SiO2掺杂对0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的介电常数εr及谐振频率温度系数τf没有很大的影响,但降低了陶瓷的品质因数Q。当质量分数为0.02%时,H3BO3或SiO2掺杂后的0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的微波介电性能最佳:H3BO3掺杂的陶瓷样品的εr=41.65,品质因数与频率之积Q×f=48 565GHz,τf≈-1μ℃-1;SiO2掺杂的陶瓷样品的εr=41.48,Q×f=39 491GHz,τf≈-1μ℃-1。
- 刘林方有维庄文东唐斌周晓华张树人
- 关键词：腔体滤波器微波介质陶瓷CATIO3LAALO3
- CTLA陶瓷微波介电性能及烧结特性研究被引量：11
- 2012年
- 采用固相反应法制备了0.65CaTiO3-0.35LaAlO3(CTLA)陶瓷,研究了CTLA陶瓷的物相组成、烧结特性及微波介电特性。结果表明,CTLA陶瓷只含有Ca0.65La0.35Al0.35Ti0.65O3主晶相,不存在第二相。烧结温度在1 380～1 450℃间,陶瓷的微波介电性能最佳,介电常数εr=44.5,频率温度系数τf≈0,品质因数与频率之积Q×f≈43 948GHz。当w(Nb2O5)=10%时能使陶瓷致密化烧结温度降到1 300℃,但微波性能变差,εr=38.3,τf=-2.8×10-6/℃,Q×f=13 260GHz。
- 方有维刘林庄文东唐斌张树人
- 关键词：微波介质陶瓷介电常数品质因数
