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段炼

作品数:2 被引量:3H指数:1
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家科技重大专项嘉兴市科技计划项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇低噪
  • 2篇低噪声
  • 2篇低噪声放大器
  • 2篇放大器
  • 1篇噪声系数
  • 1篇线性度
  • 1篇接收机
  • 1篇放大器设计
  • 1篇ESD保护
  • 1篇GPS接收机

机构

  • 2篇中国科学院微...
  • 2篇杭州中科微电...
  • 1篇嘉兴联星微电...

作者

  • 2篇叶甜春
  • 2篇马成炎
  • 2篇段炼
  • 1篇甘业兵
  • 1篇黄伟
  • 1篇项勇
  • 1篇周仁杰

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇中南大学学报...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
ESD保护低噪声放大器的分析与设计被引量:3
2012年
针对封装和ESD寄生对源极电感反馈结构低噪声放大器的影响,进行了详细的理论分析。在已发表文献的基础上,加入对ESD寄生引起的输入匹配网络改变的考虑,给出了新的噪声系数公式。根据分析结果,提出设计时的考虑。采用0.18μm CMOS工艺,设计了一款GPS L1波段的单端低噪声放大器。测试结果显示,电路增益达到18dB,噪声系数为2.2dB;在1.8V电压下,电流消耗为4.5mA。
段炼黄伟马成炎叶甜春
关键词:GPS接收机低噪声放大器ESD保护
用于GPS卫星导航系统的低噪声放大器设计
2013年
采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计一个用于GPS卫星导航系统射频前端电路的低噪声放大器。该低噪声放大器采用BiFET(Bipolar-MOSFET)Cascode结构可以同时实现极低噪声和高线性度。采用异质结晶体管(heterogenous bipolar transistor,HBT)作为输入管以提供低噪声性能,Cascode级采用MOSFET管来提高线性度。与传统的全HBT管或全MOSFET管相比,这种混合结构能更方便地实现噪声、增益和线性度之间的折中设计。当该低噪声放大器在2.85 V电源电压下工作时,消耗3.7 mA电流,提供19 dB功率增益,噪声系数为0.9 dB,输入1 dB压缩点为0.065 mW。
项勇周仁杰段炼甘业兵马成炎叶甜春
关键词:低噪声放大器噪声系数线性度
共1页<1>
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