张方晖
- 作品数：40 被引量：22H指数：4
- 供职机构：陕西科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术化学工程更多>>
- 一种提高钙钛矿太阳能电池效率的方法
- 本发明公开了一种提高钙钛矿太阳能电池效率的方法，属于太阳能电池技术领域。本发明采用电子束蒸发法在钙钛矿太阳能电池电子传输层和钙钛矿层之间制备的绝缘间隔薄膜具有高均匀性，能优化电池界面结构，减少缺陷，降低电荷复合损失，有效...
- 薛涛李双棚王晓张方晖郭坤平黄晋
- 一种发光板及其制备方法
- 本发明提供了一种发光板及其制备方法，将铝基板的一边的小部分面积氧化，形成一层氧化铝层，再在氧化铝层的2/3面积上镀上一层薄铝层，将铝基板上剩下的区域留出窄的U形边作为阴极，U形边内的区域镀上一层LiF层，LiF层上镀上一...
- 范应娟孙立蓉张方晖王江南李亭亭聂屈洋
- 一种电子传输层的制备方法、电子传输层及太阳能电池
- 本发明公开了一种电子传输层的制备方法、电子传输层及太阳能电池，电子传输层的制备方法包括：设置衬底；在衬底上采用电子束蒸发法沉积形成TiO<Sub>x</Sub>电子传输层。本发明通过电子束蒸发法制备高质量的电子传输层，需...
- 薛涛 陈丹丹王晓黄晋 郭坤平张方晖
- 一种基于MOS管的热释电红外测温系统
- 本实用新型公开了一种基于MOS管的热释电红外测温系统，包括：采集模块、稳压模块、信号处理模块和温度计算显示模块；所述信号处理模块包括全差分放大电路和核心放大电路；所述采集模块与所述信号处理模块通过插接件连接，所述信号处理...
- 张方晖黑江王硕张世奇
- 硫系玻璃薄膜封装层对OLED寿命的影响被引量：7
- 2010年
- 在高真空条件下(3×10-4Pa),利用硫系玻璃(Se,Te,Sb)薄膜封装材料对有机电致发光器件(OLED)进行原位封装,有效避免了传统封装方法难以避免的水、氧危害,以达到延长器件寿命的目的。实验对比了正常封装与增加Se、Te、Sb薄膜封装层后器件的性能,对比实验中封装过程都未加干燥剂。研究发现Se、Te、Sb薄膜封装层分别可以使器件的寿命延长1.4倍,2倍,1.3倍以上;采用封装层对器件的电流-电压特性、色坐标等光电性能几乎不产生影响,但影响了器件散热,薄膜封装层使器件的击穿电压、最高亮度等参数稍有下降。
- 张方晖席俭飞王秀峰
- 关键词：OLED硫系玻璃薄膜封装
- 一种钙钛矿薄膜、发光二极管及制备方法
- 本发明属于半导体技术领域，公开了一种钙钛矿薄膜、发光二极管及制备方法。本发明基于有机‑无机杂化钙钛矿MAPbBr<Sub>3</Sub>薄膜，通过添加苯丙基溴化铵，使得绿光钙钛矿薄膜向蓝光钙钛矿薄膜转变。所述钙钛矿薄膜用...
- 郭坤平仇瑞瑞丑幸幸唐喆杨一博张方晖薛涛
- 有机电介质载流子输运与复合特性研究
- 有机电子学是近年诞生的一门新兴的交叉学科,它体现了高分子化学与材料、电子等学科的结合,并逐渐形成一个新兴的行业——有机电子产业,相关的材料和器件的应用研究得到了日新月异的发展。本文从有机材料的结构出发,研究了有机材料中载...
- 张方晖
- 关键词：电子注入
- 文献传递
- 一种深红-近红外发光二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种深红‑近红外发光二极管及其制备方法，其中深红‑近红外发光二极管包括：从下而上依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、深红‑近红外发光层、电子传输层和阴极；阳极采用透明导电玻璃基片；空穴注入层采用有机注入材...
- 郭坤平丑幸幸唐喆周桐闫夏星薛涛张方晖
- 基于改进YOLOv5的复杂场景电动车头盔检测方法
- 2025年
- 佩戴电动车头盔是安全骑行的重要保障,对电动车驾乘人员佩戴头盔进行有效检测在保障驾乘人员安全方面具有重要意义。电动车头盔检测中存在目标之间相互遮挡、复杂背景干扰、头盔目标小等问题,现有方法尚不能满足复杂场景下电动车头盔检测的要求,因此,提出一种改进YOLOv5的复杂场景电动车头盔识别方法。首先,提出一种新的主干网络结构ML-CSPDarknet53,增强网络的特征提取能力,引入轻量级上采样算子CARAFE,利用特征图语义信息扩大感受野;其次,搭建坐标卷积CoordConv模块,增强网络对空间信息的感知能力,并将WIoU v3作为边界框损失函数,降低低质量样本对模型性能的不利影响;最后,构建了内容丰富的头盔检测数据集对改进算法进行验证。实验结果表明,改进后算法相较于原算法在精确度、召回率、mAP@0.5、mAP@0.5:0.95上分别提升了2.9%、3.0%、3.4%和2.2%,并且性能优于其他主流检测算法,满足复杂道路交通场景下电动车驾乘人员头盔检测的任务要求。
- 韩东辰张方晖王诗洋段克盼李宁星王凯
- 关键词：目标遮挡特征提取损失函数
- 一种高PSRR低温漂无运放带隙基准
- 2024年
- 针对无运放带隙基准电压源温度特性及电源抑制比差的问题,设计一种高电源抑制比、低温漂的无运放带隙基准电路。该电路通过电流镜进行钳位,避免运算放大器失调电压对输出基准的影响,利用晶体管栅极与三极管基极生成稳定的补偿电流,以降低基准电压的高阶温度系数,输出端采用共源共栅结构提高电源抑制比。基于SMIC 0.18μm BCD工艺在Cadence环境下对电路进行仿真,仿真结果表明:在-40~125℃范围内,电路的温度系数为3.187×10^(-6)/℃,10 Hz时电源抑制比为-88.6 dB,1 MHz时电源抑制比为-50.2 dB。在考虑启动电路影响的情况下,电路在5 V电源下的静态电流为3.78μA,带隙基准的版图面积为160μm×183μm。可实现对基准电压高阶温度项的补偿,降低温度系数,并在没有滤波电容的条件下提高带隙基准的PSRR。
- 王凯张方晖杨旭王义晨李梓腾
- 关键词：带隙基准电源抑制比补偿电流
