袁丰
- 作品数：23 被引量：20H指数：2
- 供职机构：南京邮电大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省“青蓝工程”基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 28 GHz CMOS可变增益双向有源移相器设计
- 2023年
- 基于65 nm CMOS工艺设计了一种可用于5G毫米波相控阵系统的可变增益双向有源移相器。该移相器采用二阶多相滤波器产生正交信号,利用矢量调制器实现移相和增益调节,利用开关切换信号传递方向。矢量调制器前级采用吉尔伯特单元对正交信号调幅实现360°移相,后级采用基于交叉耦合结构的可变增益放大器实现低附加相移的增益调节。后仿真结果表明,RMS相位误差小于-3.4°(TX)和-4.2°(RX),RMS增益误差均小于0.5 dB,增益调节范围为11.25 dB,产生的附加相位变化小于±3°(TX)和±1.6°(RX),移相模块的功耗为8.5 mW。
- 顾壮志张长春张翼张瑛袁丰
- 关键词：可变增益多相滤波器
- 高校人才培养与企业需求有效对接探析被引量：1
- 2023年
- 高校当前的人才培养体系与企业需求之间存在着不平衡的问题。高校和企业没有认识到高校人才培养与企业需求相对接的重要意义,导致对接效果不理想,学生在学校内学到的知识无法满足企业需求。完善高校人才培养体系,推动人才培养体系和企业需求的对接成为高等教育探索的一个重要问题。高校应当通过产学研相融合,有效完善人才培养体系和创新方案,减少学校教育与企业实践的差距,实现高校人才培养与企业需求之间的有效对接。
- 袁丰
- 关键词：校企合作
- 一种具有对称结构的高灵敏度垂直型磁场传感器
- 本发明揭示了一种具有对称结构的高灵敏度垂直型磁场传感器，该磁场传感器包括垂直对称设置的第一垂直型磁场传感器和第二垂直型磁场传感器，第一垂直型磁场传感器和第二垂直型磁场传感器共用第三N+区。该磁场传感器包括硅衬底、绝缘体层...
- 徐跃宋福明袁丰
- 工程教育认证背景下通信电子线路课程教学改革被引量：1
- 2017年
- 通信电子线路是高校电子信息类专业的重要专业基础课。为了适应工程教育认证的需求,培养学生的工程实践能力和素质,本课程结合教学实践和体会,对课程的教学内容、教学方法、考核方式等方面进行了优化和改革,取得了良好的效果。
- 何艳杨恒新周洪敏刘艳袁丰
- 关键词：通信电子线路教学改革工程教育认证
- 一种可降低分数杂散和高频量化噪声的Σ-Δ调制器
- 本发明公开了一种可降低分数杂散和高频量化噪声的Σ‑Δ调制器，属于集成电路设计领域。Σ‑Δ调制器一端连接除4除法器，另一端连接陷波滤波器，除4除法器用于接收外部数据信号，陷波滤波器输出调制后的数据信号，Σ‑Δ调制器包括19...
- 张长春姚俊杰张宇张瑛袁丰
- 基于H.264/AVC的抗误码方法的研究被引量：2
- 2007年
- 介绍了H.264/AVC标准中主要使用的三种新型抗误码技术,即参数集、灵活的宏块排列次序(FMO)和冗余片技术,并分析了这三种技术的特点并对其应用方法进行了研究。
- 周洪敏顾艳丽袁丰
- 关键词：H.264/AVC
- 场板SOI RESURF LDMOS表面势场分布解析模型被引量：2
- 2012年
- 以往对SOI器件的建模基本上基于漂移区全耗尽的假设,且大多未考虑场板对表面势场分布的影响。通过分区求解二维泊松方程,建立了场板SOI RESURF LDMOS表面电势和表面电场分布解析模型。该模型同时考虑了栅场板和漏场板的作用,既适用于漂移区全耗尽的情况,也适用于漂移区不全耗尽的情况。利用此模型和半导体器件仿真工具Silvaco,详细探讨了器件在不同偏压下栅场板和漏场板对漂移区表面电势和电场分布的影响。解析模型结果与数值仿真结果吻合良好,验证了模型的准确性。
- 钟大伟郭宇锋花婷婷黄峻魏雪观袁丰周洪敏
- 关键词：场板绝缘体上硅解析模型
- 一种具有对称结构的高灵敏度垂直型磁场传感器
- 本发明揭示了一种具有对称结构的高灵敏度垂直型磁场传感器，该磁场传感器包括垂直对称设置的第一垂直型磁场传感器和第二垂直型磁场传感器，第一垂直型磁场传感器和第二垂直型磁场传感器共用第三N+区。该磁场传感器包括硅衬底、绝缘体层...
- 徐跃宋福明袁丰
- 文献传递
- 一种可降低分数杂散和高频量化噪声的Σ-Δ调制器
- 本发明公开了一种可降低分数杂散和高频量化噪声的Σ‑Δ调制器，属于集成电路设计领域。Σ‑Δ调制器一端连接除4除法器，另一端连接陷波滤波器，除4除法器用于接收外部数据信号，陷波滤波器输出调制后的数据信号，Σ‑Δ调制器包括19...
- 张长春姚俊杰张宇张瑛袁丰
- 文献传递
- 一种CMOS旋转行波压控振荡器
- 2016年
- 采用0.18μm CMOS工艺,设计了一种基于微带传输线的旋转行波压控振荡器（RTWO）。采用λ/4差分传输线代替传统交叉耦合反相器对的PMOS负载管;通过电磁场建模并优化,获得了高Q值的谐振腔模型,提高了RTWO电路的振荡频率;解决了RTWO电路旋转波形不确定的问题,电路能逆时针起振旋转。该旋转行波压控振荡器的电路版图尺寸为980μm×1 150μm。在1.2V电源电压下,电路输出波形相邻相位差为45°,功耗为24mW。振荡频率调谐范围为14.06～14.73GHz,压控电路振荡于14.5GHz时,其相位噪声为-95dBc/Hz@1 MHz。
- 高罗丝张长春李志贞宋韦方玉明袁丰
- 关键词：相位噪声
