李秀山
- 作品数：20 被引量：28H指数：4
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金吉林省科技发展计划基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 二阶光栅相干垂直腔面发射半导体激光器
- 本发明公开了一种二阶光栅相干垂直腔面发射半导体激光器，属于激光器技术领域。解决了现有技术中相干激光器结构复杂，可靠性差的技术问题。该激光器包括依次排列的P面电极、P型DBR、有源区、N型DBR、衬底和N面电极，P型DBR...
- 宁永强李秀山贾鹏张建伟王立军刘云秦莉张星
- 文献传递
- 垂直腔面发射半导体激光器
- 本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光器，属于激光器技术领域。解决了现有技术中VCSEL输出的单模功率低、单模稳定性差的技术问题。该激光器，包括从上至下依次紧密排列的P型DBR、有源区、N型DBR、衬底和N面电极，P型D...
- 宁永强李秀山王立军贾鹏刘云秦莉张星
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- 二阶光栅相干垂直腔面发射半导体激光器
- 本发明公开了一种二阶光栅相干垂直腔面发射半导体激光器，属于激光器技术领域。解决了现有技术中相干激光器结构复杂，可靠性差的技术问题。该激光器包括依次排列的P面电极、P型DBR、有源区、N型DBR、衬底和N面电极，P型DBR...
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- 外腔垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法
- 外腔垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法，属于激光器技术领域。解决了现有技术中外腔垂直腔面发射激光器单模输出稳定性较差，无法满足高功率激光器的应用要求的问题。该激光器包括依次排列的P面电极、P型DBR、有源区、N型DBR...
- 宁永强李秀山王立军贾鹏刘云秦莉张星
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- 透明导电薄膜ITO对浅面浮雕VCSEL的影响
- 2015年
- 对于顶面出光的浅面浮雕VCSEL结构,有源区的电流密度分布的不均性制约着单模稳定性的提高。为此,提出了一种新型结构:氧化铟锡透明导电薄膜(ITO)浅面浮雕VCSEL。该结构不仅能够增大高阶模式的阈值增益,还能够提高基模的增益,实现基模对高阶模式的稳定抑制。研究了ITO的厚度对阈值增益的影响及ITO对VCSEL有源区电流密度分布的影响。研究结果表明:在ITO的厚度为半波长的整数倍时,基模对高阶模式的限制作用最强;ITO通过改善VCSEL有源区的电流密度分布,达到了增大基模的增益和降低高阶模式增益的目的,同时还降低了串联电阻和外电压。
- 李秀山宁永强张星贾鹏秦莉秦莉刘云
- 关键词：垂直腔面发射半导体激光器透明导电薄膜单模
- 外腔垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法
- 外腔垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法，属于激光器技术领域。解决了现有技术中外腔垂直腔面发射激光器单模输出稳定性较差，无法满足高功率激光器的应用要求的问题。该激光器包括依次排列的P面电极、P型DBR、有源区、N型DBR...
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- 大功率VCSEL三角列阵的空间相干性被引量：2
- 2015年
- 由厄米-高斯光束理论和空间相干性定理出发,研究了大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)三角形列阵器件的光束质量和空间相干特性。采用二阶距法和空间相干度积分法得到980 nm波段VCSEL三角列阵器件的远场发散角和空间相干度,并讨论了列阵器件单元间距对其远场特性和空间相干特性的影响。实验结果表明:当三角列阵单元孔径为150μm时,随着列阵单元间距由200μm增大到300μm,列阵器件的远场发散角由9.5°增加到12.5°,而其空间相干度由0.719减小到0.526。在相同注入电流条件下,3种列阵器件的出光功率基本相同。
- 贾鹏秦莉张星韩振伟李秀山陈泳屹陈泳屹宁永强
- 关键词：光束质量
- 高功率高稳定性单模垂直腔面发射半导体激光器
- 高功率高稳定性单模垂直腔面发射半导体激光器，属于激光器技术领域，解决了现有技术中单模激光器功率低、稳定性差的技术问题。本发明的半导体激光器包括p面电极、p型DBR台面、有源区、n型DBR、GaAs衬底和n面电极，所述p型...
- 宁永强李秀山王立军刘云秦莉张星
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- 外腔相干垂直腔面发射半导体激光器
- 外腔相干垂直腔面发射半导体激光器，属于激光器技术领域。解决了现有技术中相干激光器结构复杂，可靠性差的技术问题。该激光器包括从上至下依次紧密排列的P型DBR、有源区、N型DBR、衬底和N面电极，P型DBR的上表面边缘设有P...
- 宁永强李秀山秦莉贾鹏张建伟刘云王立军张星
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- 高功率高稳定性单模垂直腔面发射半导体激光器
- 高功率高稳定性单模垂直腔面发射半导体激光器，属于激光器技术领域，解决了现有技术中单模激光器功率低、稳定性差的技术问题。本发明的半导体激光器包括p面电极、p型DBR台面、有源区、n型DBR、GaAs衬底和n面电极，所述p型...
- 宁永强李秀山王立军刘云秦莉张星
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