杨铭
- 作品数：7 被引量：9H指数：2
- 供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管
- 李桂锋周俊冯佳涵杨铭黄延伟张群
- 直流磁控溅射工艺参数对掺钨氧化铟透明导电薄膜性能影响的研究被引量：1
- 2010年
- 采用直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟（IWO）透明导电薄膜。研究了薄膜结构、表面形貌、光学和电学性能与各种制备参数之间的依赖关系。X射线衍射（XRD）谱分析结果表明随着基底温度的升高,薄膜的结晶性得到改善。原子力显微镜（AFM）测试结果表明薄膜颗粒均匀,表面平整。研究发现薄膜的电学性能对制备参数非常敏感。在基板温度为380℃的条件下所制备的样品在可见光区域（400-700 nm）的平均透射率（未扣除基底）均大于80%。获得的IWO薄膜最低电阻率为2.8×10^-4 ohm.cm,对应载流子迁移率49 cm^2V^-1s^-1,载流子浓度4.4×10^20 cm^-3,平均透射率83%。
- 杨铭李喜峰李桂锋张群
- 关键词：直流磁控溅射
- 近红外区高透射率In_2O_3:W透明导电氧化物薄膜的研究被引量：3
- 2008年
- 采用反应直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟(In2O3:W,IWO)透明导电氧化物薄膜。薄膜中掺杂的钨离子与被替代的铟离子之间存在高价态差。与相同电阻率的ITO(In2O3:Sn)相比,IWO薄膜具有载流子浓度低、迁移率高和近红外区透射率高的特点。研究了氧分压、溅射电流等参数对IWO薄膜电学和光学性能的影响。制备的多晶IWO薄膜最佳电阻率为3.1×10-4Ω.cm,最高载流子迁移率为58 cm2 V-1 s-1,可见光范围平均透射率大于90%,近红外区(700～2500 nm)平均透射率约为85%。
- 冯佳涵杨铭李桂锋张群
- 关键词：近红外
- P型导电Ni0.9Cu0.1O透明氧化物半导体薄膜的研究
- P型CuAlO与透明氧化物InGaZnO(IGZO)沟道层薄膜的发现开拓了透明电子学全新的研究领域—透明氧化物半导体(Transparent oxide semiconductor,TOS),使得透明p-n结、晶体管以及...
- 杨铭施展张群
- 文献传递
- 室温制备P型透明导电CuO:Ni薄膜的研究被引量：2
- 2009年
- 在自主研发的一系列p型导电Cu1-xNixO靶材基础上,选择具有最佳电导率的Cu0.95Ni0.05O靶材,采用脉冲等离子体沉积技术在室温条件下普通玻璃衬底上制备了Cu0.95Ni0.05O透明导电薄膜。Seebeck系数测试表明所有薄膜均为p型导电。通过x射线衍射和扫描电子显微镜分别研究了薄膜的晶格结构和表面形貌,证实了所制备薄膜均为非晶结构。研究了氧气压强、脉冲电压和脉冲电流等成膜条件对薄膜电学性能和光学性能的影响。在氧气压强为3.0Pa,脉冲电压为-18kV,脉冲电流为4.5mA条件下,获得了电导率最大值7.1S·cm-1,可见光区域的平均透射率为65%,光学禁带宽度为4.3eV的光电性能相对优良的p型透明导电薄膜。
- 施展杨铭李桂锋王颖华张群
- 关键词：透明导电氧化物P型半导体
- OLED用三氧化钨缓冲层的研究被引量：2
- 2012年
- 采用反应直流磁控溅射法在衬底温度为300℃玻璃基板上制备了掺钨氧化铟(IWO)作为OLED器件的阳极,然后室温条件下在IWO上制备了三氧化钨缓冲层.XRD分析表明三氧化钨为非晶结构.对比测试了有无WO3缓冲层的两种OLED器件,发现带有WO3缓冲层的OLED器件的亮度和功率均是无三氧化钨缓冲层的器件的两倍,而且发光效率最高可以达到对比器件的4倍.从器件能带排列的角度初步讨论分析了提高器件性能的原因.
- 稻秀美林华平杨铭张群
- 关键词：三氧化钨有机电致发光器件缓冲层
- NiO基p型透明导电氧化物薄膜及其二极管的研究
- p型透明导电氧化物/(TCO/)薄膜是近年来半导体材料领域的研究热点之一。在已经报道的p型TCO薄膜材料中,还没有任何一种材料的性能可以提升至满足实用化的水平。p型氧化物薄膜在材料的导电机理、合成工艺、器件制备等方面都有...
- 杨铭
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