孟庆伟
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 一种超低介电常数材料薄膜及其制备方法
- 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体涉及一种超低介电常数材料薄膜及其制备方法。本发明以单环形的2,4,6,8-四乙烯基-2,4,6,8-四甲基环四硅氧烷为前驱体，采用旋涂的方法在硅衬底上形成一层前驱体薄膜；接着用...
- 丁士进孟庆伟杨春晓张卫
- 文献传递
- 多孔超低k材料薄膜的制备和性能表征
- 随着集成电路规模不断扩大,特征尺寸不断减小,集成电路内部的互连线的电阻和互连线之间的电容都在变大,这就会导致集成电路性能的退化,如RC延迟,串扰,功耗增大等等。用铜代替铝成为新一代的互连线,这一举措使集成电路的电阻降低了...
- 孟庆伟
- 关键词：热稳定性
- 紫外辐照对超低介电常数SiCOH薄膜组成与机械性能的影响
- 2011年
- 采用紫外光辐照超低介电常数多孔SiCOH薄膜,研究不同照射时间对薄膜结构和性能的影响。采用动态纳米压入技术测量薄膜的力学性能,发现随照射时间增加,薄膜的模量(Er)和硬度(H)不断提高。当辐照时间增至6h时,薄膜力学强度分别达到Er约7.4GPa,H约1.0GPa。傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、X射线光电子能谱(XPS)分析表明紫外辐照处理能够使薄膜样品中发生键的断裂与重新结合,从而改变了薄膜骨架的交联密度和刚性,进而提高力学性能。但介电性能并未受到明显影响,紫外辐照6h后,k值仅从2.0增至2.2。
- 付爽胡龙龙孟庆伟丁士进范仲勇
- 关键词：紫外辐照力学性能低介电常数
- 一种超低介电常数材料薄膜及其制备方法
- 本发明属于超大规模集成电路技术领域，具体为一种超低k材料薄膜及其制备方法。本发明以1，2-二（三乙氧基硅基）乙烷（BTEE）为前驱体，通过添加表面活性剂P<Sub>123</Sub>、HCl、乙醇和去离子水，制备溶胶溶液...
- 丁士进孟庆伟蒋涛张卫
- 文献传递
