朱伦
- 作品数：9 被引量：1H指数：1
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- 纳米线结构的制备方法
- 本发明公开了一种纳米线结构的制备方法，该方法通过在多晶半导体层两侧的侧壁表面沉积金属薄膜，所述金属薄膜中的金属向所述多晶半导体层的侧壁表面扩散，经过退火后，在所述多晶半导体层的侧壁表面形成金属半导体化合物纳米线，由于本发...
- 吴东平朱伦胡成朱志炜张世理张卫
- 文献传递
- 纳米MOS器件制备方法及纳米MOS器件
- 本发明公开了一种纳米MOS器件的制备方法，其制备的栅极为金属栅，因而可避免多晶栅极的耗尽效应，提高MOS器件的性能；并且该方法是通过在多晶半导体层两侧的侧壁表面沉积金属薄膜，所述金属薄膜中的金属向所述多晶半导体层的侧壁表...
- 吴东平胡成朱伦朱志炜张世理张卫
- 文献传递
- 22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究
- 2012年
- 研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函数的材料组成,因而在两种材料界面附近的表面沟道中增加了一个电场峰值,相应地漏端电场比同质栅MOSFET有所降低,所以在提高沟道载流子输运效率的同时也降低了小尺寸器件的热载流子效应。此外,由于该器件靠近源极的区域对于漏压的变化具有屏蔽作用,从而有效抑制了小尺寸器件的沟道长度调制效应,但是由于其亚阈值特性与同质栅MOSFET相比较差,导致漏致势垒降低效应(DIBL)没有明显改善。
- 杨颖琳胡成朱伦许鹏朱志炜张卫吴东平
- 关键词：异质栅金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子效应表面电场表面势
- 一种非对称栅MOS器件及其制备方法
- 本发明公开了一种非对称栅MOS器件，其栅极为金属栅，且所述金属栅的功函数在所述MOS器件的源端与漏端不同，从而使得MOS器件的整体性能参数更加优化；同时，还公开了一种非对称栅MOS器件的制备方法，该方法通过对MOS器件的...
- 吴东平胡成朱伦朱志炜张世理张卫
- 文献传递
- 纳米线结构的制备方法
- 本发明公开了一种纳米线结构的制备方法，该方法通过在多晶半导体层两侧的侧壁表面沉积金属薄膜，所述金属薄膜中的金属向所述多晶半导体层的侧壁表面扩散，经过退火后，在所述多晶半导体层的侧壁表面形成金属半导体化合物纳米线，由于本发...
- 吴东平朱伦胡成朱志炜张世理张卫
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- 压电能量收集器件基于有限元仿真比较和研究被引量：1
- 2012年
- 利用压电材料制作的器件采集环境中的振动能量,并转化为电能的微尺度器件正日益受到广泛关注。通过有限元仿真分析,研究了新颖的垂直式纳米线阵列结构(VING)和常见的压电悬臂梁结构的能量收集性能。在更贴近实际情况的低频条件下计算了75 000根纳米线阵列结构和压电悬臂梁结构的输出电压以及单位体积能量输出功率,并指出了其各自的特点。最后得出结论:VING更适于在振动强度较大的环境中工作,而悬臂梁结构则更适于在接近其谐振频率的环境中工作。
- 朱伦朱志炜张卫吴东平
- 关键词：压电效应有限元分析悬臂梁谐振频率
- 基于柔性衬底的MEMS压电能量收集器件研究
- 随着无线网络与传感器(MEMS)技术应用的蓬勃兴起，微纳系统的供电问题正成为制约MEMS技术发展的一大瓶颈，如何从环境中收集能量以对微纳系统进行供电正成为日益受到瞩目的研究热点。本文的主要内容如下: 本文首先通过回顾压...
- 朱伦
- 关键词：柔性衬底有限元仿真
- 一种MOS器件及其制备方法
- 本发明公开了一种MOS器件，其栅极包括多晶半导体层及位于所述多晶半导体层两侧侧壁上的金属半导体化合物，由于其栅极包括部分的金属半导体化合物(即包括部分的金属栅)，因而可降低多晶栅极的耗尽效应，提高MOS器件的性能；同时，...
- 吴东平朱伦胡成朱志炜张世理张卫
- 文献传递
- 一种非对称栅MOS器件及其制备方法
- 本发明公开了一种非对称栅MOS器件，其栅极为金属栅，且所述金属栅的功函数在所述MOS器件的源端与漏端不同，从而使得MOS器件的整体性能参数更加优化；同时，还公开了一种非对称栅MOS器件的制备方法，该方法通过对MOS器件的...
- 吴东平胡成朱伦朱志炜张世理张卫
