李宏光
- 作品数：10 被引量：8H指数：2
- 供职机构：鲁东大学信息与电气工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信理学电气工程更多>>
- 拉普拉斯变换初值、终值定理的教学思路探讨
- 2013年
- 笔者在讲授拉普拉斯变换的初值、终值定理时,引入了零极点的概念。通过象函数的极点在s平面的位置和与其对应的原函数的时域波形的关系的讲述,使学生明确了定理本身以及定理的使用条件,教学效果较为理想。
- 白艳梅李宏光姚涛刘学锋
- SI-PROG编程器的工作原理及其程序设计
- 2009年
- 介绍SI-PROG编程器的工作原理,利用PC机串口UART芯片实现单片机的ISP下载。PC机串口8250芯片中SOUT,DTR,RTS,CTS四个引脚的电平可通过其内部的几个寄存器分别进行控制或读取,利用引脚可实现单片机的ISP下载。介绍了8250与单片机之间通信信号的逻辑关系以及电平转换,分析了接收器的阈值电压的特点,给出了使用SI-PROG编程器的条件。最后,以AVR单片机为例介绍了下载程序设计。结果表明,利用PC机串口UART芯片可以实现对AVR单片机的ISP下载,其硬件电路和软件设计都很简单。
- 安郁宽李宏光闫鹏
- 关键词：程序设计UARTAVR单片机
- 从LCD电极读数的单片机接口技术被引量：1
- 2007年
- 以测量仪表中常见的时分割驱动法驱动的段式LCD显示器为例,分析LCD显示器的电极连接结构和驱动信号波形;介绍单片机读取仪表LCD读数的接口电路。此接口电路应用于笔者开发的自动血压监控仪的研制及临床应用项目中,由8031单片机读取血压计的收缩压、舒张压、心率以及充气和放气时瞬时压强。实验证明,此接口电路工作稳定、可靠。
- 安郁宽秦丹李光仲刘俊杰李宏光
- 关键词：读数接口设计
- N掺杂位置对四方相PbTiO_3电子结构和光学性能的影响被引量：2
- 2017年
- 用第一性原理计算了N掺杂四方相钛酸铅的结构参数、形成焓、电子结构和光吸收,研究了N掺杂位置对钛酸铅性能的影响。N掺杂钛酸铅是典型的p型半导体,杂质能级主要由N 2p态贡献。N替位O(1)位置与N替位O(2)位置钛酸铅的形成焓差值很小。N替位O(1)位置钛酸铅在价带顶出现两条交互的杂质能级,N替位O(2)位置的钛酸铅在价带顶出现两条分离的杂质能级。N替位O(1)位置的钛酸铅的相对空穴数是1.729,N替位O(2)位置的钛酸铅相对空穴数为1.327。与N替位O(1)位置钛酸铅相比,N替位O(2)位置钛酸铅在300nm到1400nm区域光吸收强度明显增强。
- 李宏光闫金良
- 关键词：钛酸铅N掺杂电子结构第一性原理
- TKSS-C型信号与系统实验箱的低通滤波器分析
- 2007年
- 对TKSS-C型信号与系统实验箱的低通滤波器实验模块进行了s平面几何分析,并利用MATLAB7.01中的Power Systems Blockset对其进行了仿真.
- 白艳梅马秋明李宏光
- 关键词：低通滤波器MATLAB仿真
- 银纳米圆盘光天线的远场方向性研究被引量：5
- 2012年
- 采用时域有限差分方法计算了银纳米圆盘光天线模型的场分布,研究了光偶极天线的远场辐射特性随距离和厚度、半径变化的规律以及影响其远场方向性的因素.研究发现,偶极子垂直放置在银纳米圆盘下方一定距离时,银盘厚度和半径的改变均可使方向性图中出现新的辐射模式,同时方向性增益得到增强.通过对其近场的观察和分析可以得知,新的辐射模式的产生来源于高阶模式的局域表面等离激元.结果表明,背景材料为GaN时,产生高阶模式局域表面等离激元的合适条件为电偶极子距银盘底部40nm.另外,为了有效地支持高阶模式局域表面等离激元的形成,银盘厚度与半径最小分别为30nm和100nm.本文的研究对掌握纳米银盘结构的光天线特性及其在光器件中的运用有重要意义.
- 李宏光
- 关键词：光天线表面等离激元
- NH_3-Ar气氛下制备的Zn_3N_2薄膜的结构和光学性能(英文)
- 2012年
- Zn3N2是一种宽带隙半导体材料,在温度高于400°C氧化可生成p型ZnO:N,p型ZnO:N在电子学和光电子学领域有广泛的应用.在NH3-Ar气氛下,用RF磁控溅射金属Zn靶在玻璃衬底上室温制备了Zn3N2薄膜.用紫外-可见分光光度计、X射线衍射仪、X射线光电子谱分析仪、荧光分光光度计对Zn3N2薄膜的光学透过、光学吸收、结构、化学键态和光致发光进行了测量,研究了NH3分压对Zn3N2薄膜的结构和光学特性的影响.XRD分析表明Zn3N2薄膜呈现多晶结构,具有(321)择优取向,Zn3N2(321)衍射峰强度随NH3分压增加而增强.在NH3分压5%～10%制备的Zn3N2薄膜有较低透过率,透过率随NH3分压增加而提高.Zn3N2薄膜是间接带隙半导体,当NH3分压从5%变化到25%时,光学带隙从2.33eV升高到2.70eV.XPS分析表明Zn3N2薄膜在潮湿空气中容易水解.室温下Zn3N2薄膜在437nm和459nm波长出现了发光峰.
- 李宏光
- 关键词：磁控溅射光致发光
- Windows 95下未知的设备
- 1998年
- 安郁宽李宏光
- 关键词：WINDOWS95I/O设备串行口I/O地址
- 全文增补中
- 几何画板在正弦稳态电路分析中的应用
- 2008年
- 通过两个典型算例介绍了几何画板在正弦稳态电路分析中的应用.采用几何画板辅助画相量图的方法对算例进行了具体分析,并利用其强大的度量和计算功能,得出了所要求的运算结果.事实表明,此方法不仅能够摆脱手工画相量图所需要的复变函数复杂的相关知识,而且当参数改变时能够直观地看到参数对电路动态性能的影响.
- 朱学斌李宏光
- 关键词：几何画板矢量图正弦稳态电路
