王敏昌
- 作品数:10 被引量:1H指数:1
- 供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域:电子电信理学更多>>
- 硅通孔的制作方法
- 本发明提供一种硅通孔的制作方法,在一形成有凹槽的基板上表面形成绝缘层,其中所述凹槽对应预制作的硅通孔处;而后,在所述绝缘层的表面生长硅材料外延层直至填充满所述凹槽,而后减薄所述的外延层至基板上表面的绝缘层;再背面减薄所述...
- 焦继伟王敏昌
- 文献传递
- 微型角速度传感器
- 本发明提供一种微型角速度传感器,包括位于第一基板上表面的检测电极,悬于所述第一基板上的驱动质量块、平动质量块、转动质量块、第一梳齿、第二梳齿、检测梳齿、弹性梁,以及固定于所述第一基板上的锚点,还包括用于电连接的多个焊盘及...
- 焦继伟王敏昌
- 文献传递
- MEMS器件的真空封装结构及其制作方法
- 本发明提供一种MEMS器件的真空封装结构及其制作方法,通过在半导体层上刻蚀环形隔离槽将孤岛从所述半导体层中隔离出来,且使孤岛从密封环内延伸到密封环外,并通过半导体层与下基板键合,实现从孤岛上的焊盘、孤岛、下基板引线直至所...
- 焦继伟王敏昌颜培力宓斌玮刘文俊
- MEMS器件真空封装结构的制作方法
- 本发明提供一种MEMS器件真空封装结构的制作方法,采用外延生长的硅材料来填充侧壁生长有绝缘层的封闭环形通槽,并利用封闭环形通槽环绕用于实现MEMS器件真空封装结构内外电连接的电极,以供所述电极周围电学隔离。本发明中封闭环...
- 焦继伟王敏昌
- 文献传递
- 硅通孔的制作方法
- 本发明提供一种硅通孔的制作方法,在一形成有凹槽的基板上表面形成绝缘层,其中所述凹槽对应预制作的硅通孔处;而后,在所述绝缘层的表面生长硅材料外延层直至填充满所述凹槽,而后减薄所述的外延层至基板上表面的绝缘层;再背面减薄所述...
- 焦继伟王敏昌
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- MEMS器件真空封装结构的制作方法
- 本发明提供一种MEMS器件真空封装结构的制作方法,采用外延生长的硅材料来填充侧壁生长有绝缘层的封闭环形通槽,并利用封闭环形通槽环绕用于实现MEMS器件真空封装结构内外电连接的电极,以供所述电极周围电学隔离。本发明中封闭环...
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- MEMS器件的真空封装结构及其制作方法
- 本发明提供一种MEMS器件的真空封装结构及其制作方法,通过在半导体层上刻蚀环形隔离槽将孤岛从所述半导体层中隔离出来,且使孤岛从密封环内延伸到密封环外,并通过半导体层与下基板键合,实现从孤岛上的焊盘、孤岛、下基板引线直至所...
- 焦继伟王敏昌颜培力宓斌玮刘文俊
- 文献传递
- 硅基电磁式MEMS微扬声器结构设计和制作被引量:1
- 2014年
- 设计制作了一种高音质电磁微机电系统(MEMS)扬声器,该结构由悬臂梁支撑的硅基薄膜、固定在硅基薄膜上的钐钴磁体以及制作在PCB板上的铜线圈组成。扬声器微结构利用体微加工工艺制作,微梁支撑的硅基薄膜刚度较大,在音频范围内只有三个振动模态,远少于传统电磁式微扬声器使用的聚合物薄膜振动模态数,减少了尖声信号出现,提高了声音的质量。悬臂梁结构可以提供较大的振动幅度以及很好的振动线性度,从而获得更高的声压。扬声器结构硅基薄膜直径1mm,厚度25μm,悬臂梁宽度20μm,厚度25μm,具有音质好、声压大的特点。
- 刘文俊王敏昌秦嵩颜培力宓斌伟张颖张铁军焦继伟
- 关键词:硅基薄膜
- 圆片级封装铝锗键合后残余应力的测量和分析
- 2016年
- 以圆片级铝锗键合后的残余应力为研究对象,在键合环下方和周围制作了一系列形状相同的力敏电阻条,通过比较键合前后力敏电阻条的阻值变化,分析电阻条处残余应力的大小及与工艺相关性。结果表明:键合环内外的压阻变化约为键合环下方压阻变化的3倍。这种方法可以作为晶圆级键合质量的有效在线表征手段之一。
- 秦嵩焦继伟王敏昌钱清
- 关键词:残余应力力敏电阻
- 微型角速度传感器
- 本发明提供一种微型角速度传感器,包括位于第一基板上表面的检测电极,悬于所述第一基板上的驱动质量块、平动质量块、转动质量块、第一梳齿、第二梳齿、检测梳齿、弹性梁,以及固定于所述第一基板上的锚点,还包括用于电连接的多个焊盘及...
- 焦继伟王敏昌
- 文献传递