陈海波
- 作品数：11 被引量：24H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 发文基金：中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 部分耗尽结构绝缘体上硅器件的低频噪声特性被引量：2
- 2015年
- 针对部分耗尽结构绝缘体上硅(silicon-on-insulator,SOI)器件低频噪声特性展开实验与理论研究.实验结果表明,器件低频噪声主要来源于Si O2-Si界面附近缺陷态对载流子的俘获与释放过程;基于此理论可提取前栅和背栅氧化层界面附近缺陷态密度分别为8×1017eV-1·cm-3和2.76×1017eV-1·cm-3.基于电荷隧穿机理,在考虑隧穿削弱因子、隧穿距离与时间常数之间关系的基础上,提取了前、背栅氧化层内缺陷态密度随空间的分布情况.此外,SOI器件沟道电流归一化噪声功率谱密度随沟道长度的增加而线性减小,这表明器件低频噪声主要来源于沟道的闪烁噪声.最后,基于电荷耦合效应,分析了背栅电压对前栅阈值电压、沟道电流以及沟道电流噪声功率谱密度的影响.
- 王凯刘远陈海波邓婉玲恩云飞张平
- 关键词：低频噪声缺陷态
- STI场区加固NMOS器件总剂量效应被引量：10
- 2016年
- 基于0.18μm CMOS工艺开发了浅槽隔离(STI)场区抗总剂量辐射加固技术,采用离子注入技术使STI/衬底界面处的P型硅反型阈值提高,从而增强NMOS器件的抗辐射能力。实验表明,加固NMOS器件在500 krad(Si)剂量点时,阈值电压无明显漂移,漏电流保持在10-12量级,其抗辐射性能明显优于非加固NMOS器件。通过STI场区加固工艺的研究,可有效提高电路的抗总剂量辐射能力,同时避免设计加固造成芯片面积增大的问题。
- 谢儒彬吴建伟陈海波李艳艳洪根深
- 关键词：总剂量效应
- 一种漏电测试结构
- 本发明提供了一种的漏电测试结构及方法。更具体地，本发明提供了应用于半导体制造领域的一种漏电测试结构及测试方法。漏电测试结构主要包括：两个梳状结构；一个用于隔离梳状结构的蛇形结构以及位于两条梳状结构之上的上层金属条，金属条...
- 陈海波吴建伟徐海铭洪根深
- 文献传递
- 探针卡nA级漏电故障判断与分析
- 2015年
- 针对器件测试过程中发现的n A级漏电现象进行判断和分析,并提出解决方案。介绍了探针卡n A级漏电故障判断与分析的方法,通过判断分析把故障原因锁定在PCB板上,然后对PCB板进行分析测试,分别从PCB吸潮情况、板材绝缘性能、孔列区域排布等方面进行试验。试验结果表明,PCB板制作时受到阻焊桥工艺能力的限制,孔环间阻焊桥脱落,孔环间基材裸露,最终导致该板绝缘性能较差,漏电超标。可以通过放大孔环间距或提高阻焊工艺能力的方法来保证阻焊桥的制作,同时使用具有较高电阻率的材料,提高PCB板的绝缘性能。
- 顾吉陈海波
- 关键词：探针卡漏电PCB板
- 一种用于芯片总剂量辐照试验的探针台
- 本发明公开了一种用于芯片总剂量辐照试验的探针台，实现了将探针台应用与芯片辐照测试领域，所述用于芯片总剂量辐照试验的探针台包括显微镜和探针台体，所述探针台体与显微镜分体设置，所述探针台体位于显微镜下方，所述探针台体包括防振...
- 顾吉吴建伟陈海波陈嘉鹏郑良晨徐海铭
- 文献传递
- 总剂量加固对SOINMOS器件抗辐射特性的影响被引量：4
- 2014年
- 采用埋层改性工艺对部分耗尽SOI NMOS器件进行总剂量加固,通过测试器件在辐射前后的电学性能研究加固对SOI NMOS器件抗辐射特性的影响。加固在埋氧层中引入电子陷阱,辐射前在正负背栅压扫描时,电子陷阱可以释放和俘获电子,导致背栅阈值电压产生漂移,漂移大小与引入电子陷阱的量有关。通过加固可以有效提高器件的抗总剂量辐射特性,电子陷阱的量对器件的抗辐射性能具有显著影响。
- 陈海波吴建伟李艳艳谢儒彬朱少立顾祥
- 关键词：离子注入SOINMOSFET总剂量辐射
- 绝缘体上硅抗辐射特性表征结构及其制备方法
- 本发明涉及一种绝缘体上硅抗辐射特性表征结构，包括衬底、绝缘埋层、顶层硅、绝缘介质层、接触电极一和接触电极二，所述衬底、绝缘埋层和顶层硅从下往上依次叠置，顶层硅底面面积小于绝缘埋层顶面面积，绝缘介质层堆积在绝缘埋层上并将顶...
- 陈海波吴建伟洪根深顾祥
- 文献传递
- 电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响被引量：7
- 2015年
- 本文针对辐射前后部分耗尽结构绝缘体上硅(SOI)器件的电学特性与低频噪声特性开展试验研究.受辐射诱生埋氧化层固定电荷与界面态的影响,当辐射总剂量达到1 M rad(Si)(1 rad=10-2Gy)条件下,SOI器件背栅阈值电压从44.72 V减小至12.88 V、表面电子有效迁移率从473.7 cm2/V·s降低至419.8 cm2/V·s、亚阈斜率从2.47 V/dec增加至3.93 V/dec;基于辐射前后亚阈斜率及阈值电压的变化,可提取得到辐射诱生界面态与氧化层固定电荷密度分别为5.33×1011cm-2与2.36×1012cm-2.受辐射在埋氧化层-硅界面处诱生边界陷阱、氧化层固定电荷与界面态的影响,辐射后埋氧化层-硅界面处电子被陷阱俘获/释放的行为加剧,造成SOI器件背栅平带电压噪声功率谱密度由7×10-10V2·Hz-1增加至1.8×10-9V2·Hz-1;基于载流子数随机涨落模型可提取得到辐射前后SOI器件埋氧化层界面附近缺陷态密度之和约为1.42×1017cm-3·eV-1和3.66×1017cm-3·eV-1.考虑隧穿削弱因子、隧穿距离与时间常数之间关系,本文计算得到辐射前后埋氧化层内陷阱电荷密度随空间分布的变化.
- 刘远陈海波何玉娟王信岳龙恩云飞刘默寒
- 关键词：绝缘体上硅电离辐射低频噪声
- 绝缘体上硅抗辐射特性表征结构及其制备方法
- 本发明涉及一种绝缘体上硅抗辐射特性表征结构，包括衬底、绝缘埋层、顶层硅、绝缘介质层、接触电极一和接触电极二，所述衬底、绝缘埋层和顶层硅从下往上依次叠置，顶层硅底面面积小于绝缘埋层顶面面积，绝缘介质层堆积在绝缘埋层上并将顶...
- 陈海波吴建伟洪根深顾祥
- 用于薄外延工艺静电放电保护的可控硅整流器及制备方法
- 本发明提供了一种用于薄外延工艺ESD保护的SCR器件及其制备方法，属于超大规模集成电路静电放电保护技术领域。该SCR器件包含一个P+硅衬底和一个P‑外延层，P‑外延层中形成相邻接的N阱区域、P阱区域和深N阱层，两个阱区域...
- 谢儒彬吴建伟陈海波洪根深
- 文献传递
