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洪培真

作品数：57 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 56篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 34篇刻蚀
  • 16篇纳米
  • 16篇纳米线
  • 15篇栅极
  • 14篇刻蚀工艺
  • 13篇半导体
  • 12篇存储器
  • 10篇铁电
  • 10篇铁电存储器
  • 10篇线阵列
  • 10篇纳米线阵列
  • 10篇沟道
  • 10篇半导体器件
  • 10篇衬底
  • 9篇掩膜
  • 9篇介质层
  • 7篇等离子体刻蚀
  • 7篇叠层
  • 6篇氮化
  • 6篇侧墙

机构

  • 57篇中国科学院微...

作者

  • 57篇洪培真
  • 33篇殷华湘
  • 31篇赵超
  • 28篇李俊峰
  • 19篇李春龙
  • 15篇秦长亮
  • 14篇徐秋霞
  • 13篇霍宗亮
  • 11篇尹海洲
  • 9篇靳磊
  • 7篇孟令款
  • 7篇朱慧珑
  • 6篇马小龙
  • 5篇王桂磊
  • 4篇李俊杰
  • 3篇叶甜春
  • 3篇杨涛
  • 3篇王文武
  • 3篇崔虎山
  • 3篇徐强

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 2篇2023
  • 4篇2021
  • 4篇2020
  • 8篇2019
  • 11篇2018
  • 2篇2017
  • 11篇2016
  • 3篇2015
  • 12篇2014
共 57 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种铁电存储器、铁电存储器的制备方法及控制方法
本申请提供了一种铁电存储器、铁电存储器的制备方法及控制方法，其中，铁电存储器将沟道结构、源极和漏极设置于高于第一区域和第二区域的鳍部中，使得沟道结构的第一方向两侧可以分别设置第一控制结构和第二控制结构，本申请实施例提供的...
霍宗亮闫亮李春龙邹兴奇洪培真张瑜靳磊
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鳍式场效应晶体管及其假栅的制造方法
本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的假栅的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有鳍及隔离层；覆盖鳍及隔离层以形成掩盖层；沿与鳍垂直的方向进行掩盖层的刻蚀，直至暴露隔离层，以形成开口；进行填充，以在开口中形成假栅；去除掩...
洪培真殷华湘朱慧珑刘青李俊峰赵超尹海洲
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半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片和沟槽；在沟槽中形成浅沟槽隔离，浅沟槽隔离至少包括一个掺杂的隔离层；退火，使得掺杂的隔离层中杂质扩散进入相邻衬底沟道形成穿通阻挡层。依照本发明...
殷华湘洪培真孟令款朱慧珑
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形成纳米线阵列的方法
一种形成纳米线阵列的方法，包括：步骤1、在衬底上形成多个硬掩膜图形；步骤2、各向同性刻蚀，在衬底上形成多个突出部，多个突出部与多个硬掩膜图形分离，多个硬掩膜图形下表面没有衬底材料残留；步骤3、对衬底执行多个周期性刻蚀工艺...
洪培真徐秋霞殷华湘李俊峰赵超
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形成纳米线阵列的方法
一种形成纳米线阵列的方法，包括：步骤1、执行多个周期性刻蚀工艺，在衬底上形成多个纳米线构成的阵列；步骤2、退火，使得多个纳米线圆化；步骤3、在多个纳米线表面形成牺牲层；步骤4、去除牺牲层，留下圆柱形的多个纳米线。依照本发...
洪培真徐秋霞殷华湘李俊峰赵超
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半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构周围的栅极侧墙、栅极侧墙两侧衬底中的应力源漏区、应力源漏区之间的沟道区，其特征在于：应力源漏区靠近沟道区的侧壁为C型。依照本发明的半导体器件及其制造...
秦长亮洪培真殷华湘
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纳米线阵列围栅MOSFET结构及其制作方法
本发明公开了一种纳米线阵列围栅MOSFET结构及其制作方法。其中，该制作方法包括：在衬底上形成由浅沟槽隔离区分隔开的N型MOSFET区域和/或P型MOSFET区域；在衬底上光刻出纳米线图案，并交替采用各向异性和各向同性等...
徐秋霞周娜李俊峰洪培真许高博孟令款贺晓彬陈大鹏叶甜春
HZO基铁电器件及其制作方法
本申请公开了一种HZO基铁电器件及其制作方法，所述制作方法包括：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆具有相对的第一表面和第二表面；在所述第一表面形成氧化层；在所述氧化层背离所述半导体晶圆的一侧形成HZO层；在所述HZO层背离...
洪培真李春龙张保霍宗亮靳磊叶甜春
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FinFET及其制造方法
本申请公开了一种FinFET及其制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上形成鳍；在衬底上依次形成覆盖鳍的栅介质层和栅导体层；按照要形成的栅图案，对栅导体层进行刻蚀，其中刻蚀停止于大致与鳍的顶面相对应的位置；在刻蚀后的栅导体...
朱慧珑洪培真殷华湘
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一种三维铁电存储器及其制造方法
本发明提供了一种三维铁电存储器及其制造方法，包括：在衬底表面形成堆叠层，堆叠层包括多层交替排布的氧化硅层和多晶硅层；对堆叠层第一侧和第二侧的侧壁进行刻蚀，并在堆叠层的中间区域形成贯穿堆叠层的沟道孔，第一侧和第二侧为堆叠层...
霍宗亮李春龙邹兴奇洪培真张瑜靳磊
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