您的位置: 专家智库 > >

程莉娜

作品数:5 被引量:1H指数:1
供职机构:河南工业大学理学院更多>>
发文基金:河南省教育厅自然科学基金博士科研启动基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇纳米
  • 5篇纳米孔
  • 5篇硅纳米孔柱阵...
  • 2篇电学
  • 2篇整流特性
  • 1篇电学特性
  • 1篇电子发射
  • 1篇多孔硅
  • 1篇数字技术
  • 1篇纳米复合材料
  • 1篇纳米复合体
  • 1篇纳米复合体系
  • 1篇纳米硅
  • 1篇金属
  • 1篇复合材料
  • 1篇
  • 1篇场发射
  • 1篇场致电子发射
  • 1篇复合材

机构

  • 5篇河南工业大学
  • 2篇河南大学
  • 2篇郑州大学

作者

  • 5篇程莉娜
  • 4篇富笑男
  • 4篇罗艳伟
  • 2篇符建华
  • 2篇李坤
  • 2篇李新建
  • 2篇王信春
  • 1篇刘琨

传媒

  • 2篇功能材料
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇数字技术与应...

年份

  • 3篇2011
  • 2篇2009
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
金属/硅纳米孔柱阵列纳米复合体系的电学特性研究
金属/多孔硅纳米复合材料在金属/硅纳米复合材料体系中是热门的研究课题之一。金属/硅纳米孔柱阵列复合材料电学特性具有较金属和多孔硅材料更优越的性能。利用其优良的电学特性,可以使金属/硅基纳米复合材料在光电转换,整流等功能材...
程莉娜
关键词:整流特性
金/硅纳米孔柱阵列的场发射
2009年
利用浸渍技术在硅纳米孔柱阵列(silicon nanoporous pillar array(简称Si-NPA))上制备了复合纳米薄膜Au/Si-NPA。测试了其场发射性能。测试结果显示,Au/Si-NPA的开启电场为约2V/μm;在7.59V/μm的外加电场下,其发射电流密度为67μA/cm2;在外加电压2000V时,其电流浮动率为21%。导致Au/Si-NPA优良的发射性能是由于其独特的表面形貌和结构所致。
富笑男罗艳伟符建华李坤程莉娜李新建
关键词:场发射
沉积时间对Au/Si-NPA电学特性的影响
2011年
采用浸渍法在硅纳米孔柱阵列(Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA)衬底上制得了一系列金/硅纳米孔柱阵列(Au/Si-NPA),不同Au/Si-NPA所用沉积时间不同。通过测试分析所制Au/Si-NPA的I-V特性曲线,研究了沉积时间对Au/Si-NPA电学特性的影响。结果表明:在沉积时间小于30 min时,Au/Si-NPA的正向电流随沉积时间的延长而减小;而当沉积时间超过30 min时,Au/Si-NPA的正向电流随沉积时间的延长而增大。这种电学特性变化主要是由Au/Si-NPA的表面形貌及成分出现变化引起的。
富笑男程莉娜罗艳伟刘琨王信春
关键词:整流特性
数字技术在纳米复合材料研究中的应用
2011年
纳米复合材料体系中是现代众多科学课题中热门的研究课题之一。随着数字技术的发展,对纳米复合材料的研究的方法也从与研究体材料同样的原始方法过度到了数字化时代。
程莉娜富笑男罗艳伟王信春
关键词:数字技术纳米复合材料
硅纳米孔柱阵列的场致电子发射被引量:1
2009年
测试了用水热技术制备的硅纳米孔柱阵列(silicon nanoporous pillar array(简称Si-NPA))的场致发射性能。测试结果显示,Si-NPA的开启电场为约1.48V/μm;在5V/μm的外加电场下,其发射电流密度为28.6μA/cm2;在外加电场4.4V/μm时,其电流浮动率为13%。Si-NPA发射性能增强的原因是由于其独特的表面形貌和结构所致。
富笑男符建华罗艳伟李坤程莉娜李新建
关键词:硅纳米孔柱阵列场致电子发射纳米硅多孔硅
共1页<1>
聚类工具0