崔强
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：浙江大学信息与电子工程学系更多>>
- 发文基金：浙江省科技厅新苗人才计划国家自然科学基金浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 深亚微米工艺中场氧器件静电防护能力的研究
- 2009年
- 研究了FOD在输入、输出和电源箝位部分ESD的工作特点,在0.18μm5V EEPROM CMOS工艺下流片、测试并分析了针对输入、输出和电源箝位的三种主流的ESD保护FOD器件,通过传输线脉冲测试仪的测量,重点分析了特征尺寸对器件ESD特性的影响及其设计方法。结果表明:影响FOD的ESD性能的主要因素是沟道长度、漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离;增加沟道长,可适当提高FOD的ESD开启电压,但是会降低ESD防护性能;增加FOD的漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离,可以提高FOD的ESD防护性能。提出了一种新型的浮体多晶硅岛屿型FOD结构,该结构不但结构简单,而且具有良好的ESD防护性能。
- 朱科翰杜晓阳于宗光韩雁崔强霍明旭董树荣
- 关键词：静电防护深亚微米传输线脉冲
- MOS器件二次击穿行为的电路级宏模块建模被引量：1
- 2008年
- 采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数,对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。MOS器件是一种重要的静电放电防护器件,被广泛地应用为集成电路输入输出口的静电保护器件。用TCAD仿真工具对MOS器件的二次击穿进行宏模块建模,该模型能够正确反映MOS器件二次击穿的深刻机理,具有良好的精确性和收敛性,这对在电路级以及系统级层面上仿真静电放电防护网络的抗静电冲击能力有重要意义。
- 崔强韩雁董树荣刘俊杰斯瑞珺
- 关键词：MOS二次击穿
- 气体微机电传感系统中的片上ESD保护(英文)
- 2008年
- 摘要是本文提出了一种应用于微机电系统嵌入式传感器片上系统新工艺上的静电放电防护器件的电路结构。这个静电放电防护结构采用了以地端为参考电位的,多指条晶闸管类器件,包括以下几个部分1)输入/输出防护,2)电源钳位3)微机电处理过程中的内部传感器电极。本工作也提出了一种在有限的芯片面积下实现静电放电防护等级要求的多指条版图布局。这种静电放电防护设计体系在器件级和片上系统级都得到了测试和验证,有效性和鲁棒性都得到了证实。测试数据表明采用了本防护体系的片上系统在不引入闩锁,漏电流只有10-10A的情况下承受了4.1kV的人体放电模式的静电测试。
- 崔强董树荣刘俊杰韩雁
- 关键词：静电放电微机电系统晶闸管
- 一种Verilog-A的SCR简洁电路级模型
- 本文提出了一种针对ESD情况下SCR器件的电路级简洁模型。本模型由七个主要的物理模块构成,分别代表了SCR器件在ESD事件中起主要作用的七个部分,模块中的物理方程采用Verilog-A行为级描述语言在Cadence Sp...
- 张永夫崔强曾才赋韩雁
- 关键词：可控硅器件静电释放
- 文献传递
