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赵杨杨
作品数:
5
被引量:1
H指数:1
供职机构:
西安电子科技大学
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发文基金:
中央高校基本科研业务费专项资金
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
贾新章
西安电子科技大学微电子学院
游海龙
西安电子科技大学微电子学院
刘鹏
西安电子科技大学
顾铠
西安电子科技大学
刘鹏
西安电子科技大学微电子学院
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机构
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西安电子科技...
作者
5篇
赵杨杨
4篇
游海龙
4篇
贾新章
2篇
顾铠
2篇
刘鹏
1篇
张宇
1篇
刘鹏
传媒
1篇
微电子学
年份
1篇
2015
3篇
2014
1篇
2013
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5
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增强型功率MOS器件栅内引线脱落的检测方法
本发明公布了一种增强型功率MOS器件栅内引线脱落的检测方法。具体步骤是:(1)检查器件外观,获取表面完好的器件;(2)“两线法”测量器件阈值电压;(3)判定是否存在其它损坏,去除内部存在其它损坏的器件;(4)“三线法”测...
游海龙
赵杨杨
贾新章
顾铠
刘鹏
文献传递
VDMOS栅引线脱落引起的阈值电压测试错误分析
被引量:1
2014年
讨论了栅引线脱落导致栅悬空条件下,VDMOS器件的电流传输过程。通过器件测试与仿真,指出栅引线脱落引起阈值电压测试错误的原因。提出一种将传统"两线法"与"三线法"相结合的阈值电压测试方法,避免栅引线脱落导致阈值电压测试的误判。
赵杨杨
游海龙
刘鹏
张宇
贾新章
关键词:
VDMOS
阈值电压
TSV诱发应力对邻近MOS器件特性的影响
TSV材料与硅衬底的热膨胀系数的不同,三维集成中TSV互连周围存在机械应力.TSV诱发应力改变了临近衬底载流子的迁移率,对衬底表面的MOS器件产生影响.本文基于TSV诱发应力的分布模型,并结合半导体压阻方程得到了TSV邻...
赵杨杨
游海龙
贾新章
关键词:
金属-氧化物-半导体器件
迁移率
TSV诱发应力对邻近MOS器件的效应研究
近年来,三维集成(Three-Dimensional Integration,3D IC)由于其良好的性能和应用前景得到了广泛的研究和关注。基于硅通孔(Through Silicon Via,TSV)互连技术的3D IC...
赵杨杨
关键词:
集成电路
应力分布
芯片设计
增强型功率MOS器件栅内引线脱落的检测方法
本发明公布了一种增强型功率MOS器件栅内引线脱落的检测方法。具体步骤是:(1)检查器件外观,获取表面完好的器件;(2)“两线法”测量器件阈值电压;(3)判定是否存在其它损坏,去除内部存在其它损坏的器件;(4)“三线法”测...
游海龙
赵杨杨
贾新章
顾铠
刘鹏
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