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杨志峰
作品数:
9
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供职机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
自动化与计算机技术
电子电信
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合作作者
王曦
中国科学院上海微系统与信息技术...
武爱民
中国科学院上海微系统与信息技术...
甘甫烷
中国科学院上海微系统与信息技术...
李浩
中国科学院上海微系统与信息技术...
林旭林
中国科学院上海微系统与信息技术...
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作者
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杨志峰
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武爱民
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王曦
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甘甫烷
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方娜
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2012
1篇
2011
1篇
2010
2篇
2008
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绝缘体上硅基三维楔形模斑转换器及其制备方法
本发明涉及一种基于微机械加工的SOI(绝缘体上硅)基三维楔形模斑转换器及制作方法,用于光纤等光源设备与硅基波导等小尺寸光电子器件的高效耦合。该模斑转换器的制作利用硅晶片不同晶面的选择性腐蚀特性,采用体硅微机械加工工艺实现...
方娜
杨志峰
武爱民
陈静
王曦
文献传递
T型分支波导
一种T型分支波导,利用SOI基二维平板柱状光子晶体的自准直效应实现输入光信号的180°分束传播,属于半导体光学技术领域,包括SOI衬底、在SOI衬底顶层硅刻蚀形成的硅柱区域以及将硅柱区域与外部光纤或其他器件连接的SOI条...
王曦
杨志峰
武爱民
甘甫烷
林旭林
李浩
一种SOI基三维楔形耦合器集成衬底结构的制备方法
本发明提供制备SOI基三维楔形耦合器集成衬底结构的方法,其特征在于采用硅微机械加工技术实现,所涉及的初始加工材料为SOI材料,利用硅材料不同晶面的选择性腐蚀特性,采用各向异性腐蚀、键合、光刻、干法刻蚀等微电子相关工艺得到...
杨志峰
方娜
武爱民
王曦
文献传递
T型分支波导
一种T型分支波导,利用SOI基二维平板柱状光子晶体的自准直效应实现输入光信号的180°分束传播,属于半导体光学技术领域,包括SOI衬底、在SOI衬底顶层硅刻蚀形成的硅柱区域以及将硅柱区域与外部光纤或其他器件连接的SOI条...
王曦
杨志峰
武爱民
甘甫烷
林旭林
李浩
文献传递
定向耦合器
一种定向耦合器,利用二维长方晶格柱状光子晶体的自准直效应实现,属于半导体光学技术领域。该定向耦合器通过在相邻两排硅柱的长边中间引入一定数量、相同尺寸的耦合柱体,这样,在一排柱体中传播的自准直光束被引入的中间柱体耦合到另一...
王曦
杨志峰
武爱民
甘甫烷
林旭林
李浩
文献传递
一种SOI基三维楔形耦合器集成衬底结构的制备方法
本发明提供制备SOI基三维楔形耦合器集成衬底结构的方法,其特征在于采用硅微机械加工技术实现,所涉及的初始加工材料为SOI材料,利用硅材料不同晶面的选择性腐蚀特性,采用各向异性腐蚀、键合、光刻、干法刻蚀等微电子相关工艺得到...
杨志峰
方娜
武爱民
王曦
文献传递
SOI基GaN生长中热应力的模拟计算分析
2008年
通过分析SOI基GaN生长的机制,结合热膨胀系数不同而产生应力的原理,利用弹性力学原理,我们对已有的计算多层结构应力的模型进行了简化修改,得到了能够方便的计算SOI基GaN生长过程中的热应力分布的模型。对具体样品的模拟计算表明,GaN层中张应力的值约为0.5GPa,曲率半径为9.1m。SOI结构中SiO2埋层以及顶层硅厚度变化对GaN层的热应力影响很小,但是对SOI自身各层中应力影响较大。通过合理简化模型,我们分析了蓝宝石基以及SiC基GaN生长中的热应力的分布问题。
杨志峰
陈静
孙佳胤
武爱民
王曦
关键词:
SOI
GAN
热膨胀系数
热应力
光子晶体分束器
一种光子晶体分束器,利用SOI基二维平板空气孔光子晶体的自准直效应实现输入光信号的分束传播,属于半导体光学技术领域,包括SOI衬底、在SOI衬底顶层硅刻蚀形成的空气孔区域以及将空气孔区域与外部光纤或其他器件相连的SOI条...
王曦
杨志峰
武爱民
甘甫烷
林旭林
李浩
文献传递
定向耦合器
一种定向耦合器,利用二维长方晶格柱状光子晶体的自准直效应实现,属于半导体光学技术领域。该定向耦合器通过在相邻两排硅柱的长边中间引入一定数量、相同尺寸的耦合柱体,这样,在一排柱体中传播的自准直光束被引入的中间柱体耦合到另一...
王曦
杨志峰
武爱民
甘甫烷
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