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王长君

作品数：6 被引量：2H指数：1
供职机构：上海大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金更多>>
相关领域：电子电信核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇核科学技术

主题

  • 4篇AU
  • 3篇电极
  • 3篇复合电极
  • 3篇CR
  • 3篇CZT
  • 2篇晶片
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 2篇CDZNTE
  • 1篇电极接触
  • 1篇电学性能
  • 1篇镀覆
  • 1篇镀膜
  • 1篇镀膜工艺
  • 1篇镀膜技术
  • 1篇性能比较
  • 1篇英文
  • 1篇石英
  • 1篇碳膜
  • 1篇工艺参

机构

  • 6篇上海大学

作者

  • 6篇王长君
  • 5篇桑文斌
  • 5篇梁小燕
  • 5篇闵嘉华
  • 4篇秦凯丰
  • 4篇赵岳
  • 3篇戴灵恩
  • 2篇陈军
  • 2篇王林军
  • 2篇周晨莹
  • 1篇顾莹
  • 1篇滕建勇
  • 1篇钱永彪
  • 1篇施朱斌
  • 1篇胡冬妮

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 3篇2010
  • 3篇2009
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
In 、Al掺杂CdZnTe晶体生长及Te夹杂的形成与工艺参数之间关系的研究
王长君
关键词：CDZNTE固液界面
Au-CZT与Au/Cr-CZT接触性能比较
2010年
本文通过附着力测试,应力模拟和IV特性及多道能谱分析对Au-CZT与Au/Cr-CZT接触进行研究。结果表明采用Au/Cr复合电极可提高电极附着强度和热稳定性。在老化实验中,Au-CZT界面附着力下降了61.98%,而Au/Cr-CZT仅降低28%。Au/Cr电极器件的漏电流较低,241Am射线下能谱响应更佳。分析其原因可能是Au与CZT间的Cr层降低了接触层内的热应力,合金化过程促进了金-半界面的互扩散,使Au和CZT更易形成欧姆接触,综合考虑Au/Cr复合电极能获得比Au电极更理想的接触性能。
梁小燕闵嘉华赵岳王长君桑文斌秦凯丰胡冬妮周晨莹
关键词：复合电极CZT探测器
一种CdZnTe晶体生长用石英安瓿内壁镀覆碳膜的方法及其装置
本发明涉及一种CdZnTe晶体生长用石英安瓿内壁镀覆碳膜的方法及其装置，属特殊晶体生长用容器的镀膜工艺技术领域。本发明采用一种真空热分解镀膜技术，将待镀碳的石英安瓿放置于加热炉的石英炉管中，并藉真空抽气系统，保持其真空度...
闵嘉华桑文斌戴灵恩王长君梁小燕施朱斌钱永彪滕建勇秦凯丰
文献传递
一种Au/Cr－CZT复合电极的制备方法
本发明涉及一种Au/Cr－CZT复合电极的制备方法，属于CdZnTe(CZT)半导体材料探测器欧姆电极制备技术领域。本发明方法利用传统常用的现有真空蒸发装置，在CZT表面先蒸发沉积一层厚度为3～15nm的Cr层，然后再蒸...
梁小燕闵嘉华王长君戴灵恩秦凯丰陈军王林军赵岳桑文斌
文献传递
Au/CdZnTe电极接触的热处理优化工艺(英文)被引量：2
2009年
系统研究在空气气氛下热处理温度对真空蒸发法制备Au／CdZnTe电极接触特性的影响。结果表明，在353-373K温度范围内进行热处理可以获得更优化的电极接触性能，测试得到电极与CdznTe接触势垒较低，接触电阻较小，欧姆系数最佳，并且不会破坏CdZnTe体材料本身的性能。而当热处理温度高于400K时，Au电极沉积表面形貌明显变差，CdZnTe样品的漏电流大幅增加。这可能是由于随着热处理温度的增加，CdZnTe体材料表面的Cd升华加剧，产生大量的Cd空位引起的。
梁小燕闵嘉华王长君桑文斌顾莹赵岳周晨莹
关键词：CDZNTE电学性能
一种Au/Cr-CZT复合电极的制备方法
本发明涉及一种Au/Cr-CZT复合电极的制备方法，属于CdZnTe(CZT)半导体材料探测器欧姆电极制备技术领域。本发明方法利用传统常用的现有真空蒸发装置，在CZT表面先蒸发沉积一层厚度为3～15nm的Cr层，然后再蒸...
梁小燕闵嘉华王长君戴灵恩秦凯丰陈军王林军赵岳桑文斌
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