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胡其欣
作品数:
5
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供职机构:
中国科学院上海技术物理研究所
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电子电信
理学
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合作作者
李向阳
中国科学院上海技术物理研究所
许金通
中国科学院上海技术物理研究所
刘骥
山东大学信息科学与工程学院
苏志国
山东大学信息科学与工程学院
袁永刚
中国科学院上海技术物理研究所
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胡其欣
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红外与激光工...
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激光与红外
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2008
1篇
2007
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GaN基薄膜材料的均匀性测试系统
2007年
利用光学方法对GaN基薄膜材料进行无损伤测试和评价,并搭建了相应的测试系统.通过对材料紫外波段透过率的面分布测试,得到对材料均匀性的定量评价.该系统在国内首次实现了对GaN基薄膜材料均匀性量化的测试.系统的研制成功为大面阵芯片的研制提供必要的筛选手段, .对优化薄膜材料生长具有指导意义.
苏志国
许金通
胡其欣
陈俊
袁永刚
龚海梅
李向阳
刘骥
关键词:
GAN
半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统
本发明公开了一种半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统,它用于对半导体薄膜材料透过率均匀性的检测。测试系统由光源、单色仪、光学系统、二维步进扫描装置、信号接收装置、数据处理设备和计算机组成。系统利用紫外波段半导体外延材料...
苏志国
许金通
张文静
胡其欣
袁永刚
李向阳
刘骥
文献传递
GaN肖特基器件电学性质的模拟研究
氮化镓(GaN)基宽禁带半导体材料是制备高温、高功率、高频电子器件以及发光管、紫外探测器等光电子器件的重要材料。GaN基发光管在节约能源方面有着巨大的应用前景,而使用GaN基半导体光子探测器代替真空管进行紫外探测,也有其...
胡其欣
关键词:
氮化镓
半导体材料
肖特基器件
电学性质
文献传递
GaN肖特基器件电学性质的模拟研究
2008年
基于二维数值模型对GaN肖特基器件进行模拟计算,主要研究M IS结构的肖特基器件的界面层和本征漂移层对肖特基器件电学性质(电场强度分布和不同结构的I-V特性等)的影响。模拟结果显示M IS结构的肖特基器件中的界面层主要影响器件的电流特性以及开启电压,提高自身的电场强度,降低暗电流,而本征漂移层则主要影响器件的电场强度分布,对器件的正向电流有比较明显的影响。通过器件模拟可以在一定程度上优化器件结构,提高器件性能。
胡其欣
许金通
储开慧
李向阳
刘骥
关键词:
肖特基器件
界面层
隧穿效应
暗电流
半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统
本发明公开了一种半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统,它用于对半导体薄膜材料透过率均匀性的检测。测试系统由光源、单色仪、光学系统、二维步进扫描装置、信号接收装置、数据处理设备和计算机组成。系统利用紫外波段半导体外延材料...
苏志国
许金通
张文静
胡其欣
袁永刚
李向阳
刘骥
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