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冯健

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：上海大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇理学

主题

  • 4篇氮化硼薄膜
  • 4篇立方氮化硼薄...
  • 4篇金刚石薄膜
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硼
  • 2篇钽丝
  • 2篇立方氮化硼
  • 2篇溅射
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底温度
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇温下
  • 1篇金刚石
  • 1篇刚石

机构

  • 4篇上海大学
  • 1篇复旦大学

作者

  • 4篇冯健
  • 3篇徐闰
  • 2篇赖建明
  • 2篇管玉兰
  • 2篇唐可
  • 2篇黄健
  • 1篇汤敏燕
  • 1篇乐永康
  • 1篇王林军
  • 1篇张旭

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2009
  • 1篇2008
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
室温下金刚石薄膜上沉积立方氮化硼薄膜的研究被引量：1
2009年
采用射频磁控溅射技术分别在纳米与微米金刚石薄膜上制备立方氮化硼(c-BN)薄膜。金刚石薄膜由拉曼光谱(Raman)及原子力显微镜(AFM)进行表征。采用傅立叶变换红外光谱(FTIR)研究了不同沉积温度对c-BN薄膜生长的影响,结果表明在金刚石薄膜上生长c-BN不存在温度阈值,室温下生长的c-BN含量可达70%以上。当沉积温度由室温向上升高时,对于纳米金刚石薄膜衬底上生长的BN薄膜而言,其中的立方相含量反而逐渐降低。此外,随着沉积温度的降低,c-BN对应的峰位向低波数方向偏移的现象表明低温下生长的c-BN薄膜内应力较小。文中探讨了产生此现象的原因。
冯健徐闰汤敏燕张旭乐永康王林军
关键词：金刚石薄膜射频磁控溅射
一种高质量立方氮化硼薄膜的制备方法
本发明涉及一种高质量立方氮化硼薄膜的制备方法，该方法主要步骤：钽丝预处理，硅衬底预处理，硅片预处理后放入热丝化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；抽真空后在氢气和丙酮气氛中进行金刚石薄膜成核和生长；将沉积好的薄膜在HF...
徐闰冯健黄健唐可赖建明管玉兰
文献传递
金刚石薄膜衬底上生长立方氮化硼薄膜的研究
冯健
关键词：金刚石薄膜磁控溅射
一种高质量立方氮化硼薄膜的制备方法
本发明涉及一种高质量立方氮化硼薄膜的制备方法，该方法主要步骤：钽丝预处理，硅衬底预处理，硅片预处理后放入热丝化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；抽真空后在氢气和丙酮气氛中进行金刚石薄膜成核和生长；将沉积好的薄膜在HF...
徐闰冯健黄健唐可赖建明管玉兰
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