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邵玉坤

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：深圳大学更多>>
发文基金：深圳市水务发展中长期战略研究项目国家自然科学基金深圳市科技计划项目更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇MGZNO
  • 3篇半导体
  • 2篇多元合金
  • 2篇压强
  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光沉积
  • 2篇合金
  • 2篇靶材
  • 2篇半导体材料
  • 2篇衬底
  • 1篇导体
  • 1篇氧化物
  • 1篇迁移
  • 1篇金属
  • 1篇金属氧化物
  • 1篇发光
  • 1篇发光特性
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇ZN
  • 1篇ZNO

机构

  • 5篇深圳大学

作者

  • 5篇邵玉坤
  • 4篇吕有明
  • 4篇贾芳
  • 4篇韩舜
  • 4篇柳文军
  • 4篇朱德亮
  • 4篇曹培江
  • 4篇马晓翠
  • 1篇曾玉祥

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2013
  • 1篇2012
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种立方结构MgZnO薄膜的制备方法
本发明涉及半导体材料制备领域，提供一种立方结构MgZnO薄膜的制备方法，其包括如下步骤：制备Mg<Sub>0.5</Sub>Zn<Sub>0.5</Sub>O靶材；将衬底放入腔体中，加热所述衬底至400℃～500℃，通入...
韩舜吕有明朱德亮曹培江马晓翠柳文军贾芳邵玉坤
文献传递
衬底温度对立方结构MgZnO薄膜结构取向和发光特性的影响
韩舜邵玉坤吕有明曹培江柳文军曾玉样贾芳朱德亮马晓翠
关键词：MGZNO发光
一种立方结构MgZnO薄膜的制备方法
本发明涉及半导体材料制备领域，提供一种立方结构MgZnO薄膜的制备方法，其包括如下步骤：制备Mg<Sub>0.5</Sub>Zn<Sub>0.5</Sub>O靶材；将衬底放入腔体中，加热所述衬底至400℃～500℃，通入...
韩舜吕有明朱德亮曹培江马晓翠柳文军贾芳邵玉坤
文献传递
氧气流量对Mg1-xZnxO薄膜择优取向的影响
利用脉冲激光沉积技术，选用靶材为Mg0.5Zn0.5O陶瓷靶材，在非晶石英衬底上研究氧气流量对Mg1-xZnxO合金薄膜生长取向的影响。研究结果表明：在低压、低氧气流量条件下薄膜的成核生长主要受控于晶面的表面能，薄膜为(...
Yukun Shao邵玉坤韩舜Shun HanYouming Lu吕有明Peijiang Cao曹培江Wenjun Liu柳文军Yuxiang Zeng曾玉祥Fang Jia贾芳朱德亮Deliang ZhuXiaocui Ma马晓翠
关键词：半导体薄膜金属氧化物脉冲激光沉积
氧气流量对Mg_x Zn_(1-x)O薄膜择优取向的影响被引量：1
2013年
利用脉冲激光沉积技术,选用靶材为Mg0.5Zn0.5O陶瓷靶材,在非晶石英衬底上研究氧气流量对MgxZn1-xO合金薄膜生长取向的影响。结果表明:在低压、低氧气流量条件下薄膜的成核生长主要受控于晶面的表面能,薄膜为(200)晶向;在沉积压强8.0 Pa时,随着氧气流量的增加,反应粒子的能量降低,不同取向晶粒的生长速率发生变化,导致MgZnO薄膜的生长取向由(200)择优取向转变为(111)择优取向。当氧气流量过大(70 sccm)时,由于氧气分子迁移能的提高,MgZnO薄膜呈现多个不同生长取向。
邵玉坤韩舜吕有明曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮马晓翠
关键词：ZNOMGZNO脉冲激光沉积
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