刘军
- 作品数：64 被引量：52H指数：3
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信核科学技术电气工程更多>>
- 基于激光激发的闪烁材料光产额非线性测量方法及系统
- 本发明涉及一种基于激光激发的闪烁材料光产额非线性测量方法及系统。其原理是通过激光激发闪烁材料发光，通过调节激光脉冲能量以及激发光斑的大小实现表面激发密度的变化，进而得到不同激发密度下闪烁材料光产额的非线性响应特性。本发明...
- 魏坤刘军徐青翁秀峰谭新建黑东炜盛亮李斌康
- 一种基于电子束流的闪烁体响应上限测量系统及方法
- 本发明涉及一种基于电子束流的闪烁体响应上限测量系统及方法。其原理是基于电子直线加速器产生的电子束流，通过调节电子束团电荷量，测量不同电荷量下闪烁体光产额，通过闪烁体光产额与电子束团电荷量的线性关系，来确定闪烁体应用于脉冲...
- 魏坤翁秀峰谭新建黑东炜盛亮李斌康刘军孙彬付竹明
- 一款电容电池控制器的研究和设计
- 2006年
- 本文提出了一种新型的具有升降压功能的DC-DC控制器的设计方案,它工作在PWM/PFM控制方式下,用于对超级电容电池的供电进行控制。文中阐述了DC-DC控制器的发展背景和工作原理,从系统结构上对该芯片进行了研究设计和模拟验证,模拟结果表明该控制器很好的实现了不同负载下的高效率。
- 刘军邢座程鞠怡明
- 关键词：DC-DC控制器超级电容
- 一种基于半导体激光器的X射线辐射场探测装置及方法
- 本发明属于脉冲辐射探测领域，具体涉及一种基于半导体激光器的X射线辐射场探测装置及探测方法。该探测装置包括辐射探测器和激光功率测量记录设备；辐射探测器通过光纤或者激光聚焦传输器件与激光功率测量记录设备实现光路连通；辐射探测...
- 刘军欧阳晓平黑东炜张忠兵谭新建陈亮翁秀峰
- AVFS:基于应用特点的版本文件
- 2007年
- 传统的版本文件系统一般针对单个文件的历史信息进行管理。在实际应用中,用户需要管理的版本信息不仅仅是针对一个文件,比如许多用户都是在一个大的工程中进行设计,用户往往需要对整个工程的所有文件进行版本管理。为此,需要研究基于应用特点的版本文件系统AVFS。对AVFS进行研究,重点讨论了其系统结构和实现技术。
- 魏晨赵海林刘军
- 关键词：系统结构存储策略
- CdS:Cu一维纳米结构及其光子学特性研究被引量：1
- 2012年
- 利用化学气相沉积方法成功合成了CdS掺Cu的一维纳米结构,揭示了该掺杂纳米结构特殊的生长机制,发现了该结构新颖的光子学性质.实验表明,通过控制实验条件可以实现CdS中Cu离子掺杂,并可获得高质量的一维纳米结构.由于掺杂离子的影响,纳米结构在不同强度的光激发时表现出不同线形的发光光谱,掺杂浓度对发光峰的位置和相对强度有比较明显的影响,但对光谱线形影响不大.所得结果将有助于拓展CdS纳米结构在纳米光子学领域中的应用.
- 刘军周伟昌张建福
- 关键词：光致发光CDSCUS
- 基于活动网络图的工作流模型研究被引量：3
- 2009年
- 工作流是全部或者部分由计算机支持或自动处理的业务过程。为了实现工作流管理的功能,必须将业务过程从现实世界中抽象出来,用形式化的方法对其进行描述,这一工作的结果就是工作流模型。本文主要讨论基于活动网络图的工作流模型,基于对现实世界业务工程的抽象和分析,提出一个四维工作流模型,它包含四个子模型:组织模型、数据流模型、过程模型和资源模型,并从不同角度描述了该模型的各种属性。文中论述了各子模型之间的相互关系,给出了四维工作流模型的形式化描述。
- 刘军汤晓安干哲李晓慧
- 关键词：工作流模型活动网络图工作流管理系统
- 二次电子发射对质子束流测量精度的影响
- 2014年
- 二次电子发射直接影响法拉第探测器测量质子束流的精度,减小或消除二次电子发射的影响是提高束流测量精度的关键.根据二次电子补偿原理设计了二次电子补偿型同轴法拉第探测器,实验发现探测器测量质子束流强度时不能完全实现二次电子补偿.为改进和完善探测器的设计,从理论上分析了补偿片未能完全消除二次电子对束流测量影响的原因,是由于补偿片前向发射二次电子数目大于收集极后向发射二次电子数目所致.为此设计了质子束穿过金属箔发射二次电子测量装置,测量得到能量为5-10MeV 质子穿过10μm 厚铜箔时前向与后向发射二次电子产额,验证了理论分析的正确性.
- 张忠兵陈亮阮金陆刘金良欧阳晓平叶鸣贺永宁刘军刘林月
- 关键词：二次电子发射高能质子铜箔
- 133＾Ba面源效率转移法刻度133＾Xe气体源HPGe探测效率被引量：2
- 2014年
- 提出使用面源进行效率转移法刻度133 Xe气体体源的探测效率。使用133 Ba面源模拟刻度放射性133 Xe气体体源的探测效率,在刻度的过程中利用137 Cs与133Ba的峰效率比值及133 Ba面源远端无符合相加效应,137 Cs能峰远近都无符合相加效应等,结合软件模拟建立远近距离峰效率比值的关系,来解决133 Ba的符合相加效应。最后,使用面源效率转移法进行气体体源效率刻度,转移法刻度结果和面源模拟法刻度计算值的偏差在±1%以内。
- 田自宁欧阳晓平刘洋张小东刘林月张建福刘军阮金陆张忠兵曾鸣
- 关键词：面源效率刻度
- 自由载流子吸收损耗控制研究
- 2012年
- 利用数值方法研究了SOI脊形光波导损耗问题,重点讨论了PIN结构对自由载流子损耗控制的影响情况。研究表明SOI脊形波导在引入PIN结构后,偏置电压、入射光强和本征区宽度是影响自由载流子吸收损耗的主要因素,通过调整PIN结所加偏置电压、入射光强和本征区宽度,可以实现对脊形波导自由载流子吸收损耗的控制。计算结果可为硅基光调制器和拉曼激光器的设计制备提供一定的参考依据。
- 刘军罗章陈亮张显鹏
- 关键词：集成光学自由载流子损耗
