曲秀荣
- 作品数：43 被引量：85H指数：5
- 供职机构：哈尔滨师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：黑龙江省教育厅科学技术研究项目国家自然科学基金黑龙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术文化科学电子电信更多>>
- 镍掺杂对Ca_3Co_4O_(9+δ)基陶瓷显微结构和电输运性能的影响被引量：1
- 2016年
- 采用溶胶-凝胶与热压相结合的方法制备了镍掺杂Ca_3Co_4O_(9+δ)基热电陶瓷,研究了镍掺杂量对其显微结构和电输运性能的影响。结果表明:随着镍掺杂量的增加,Ca_3Co_4O_(9+δ)基陶瓷的晶粒尺寸减小、织构含量降低、取向度下降;镍掺杂后使陶瓷晶界散射增强,导致电阻率和泽贝克系数增大,而功率因子降低,说明镍掺杂降低了该陶瓷的电输运性能。
- 马人佺曲秀荣吕树臣徐岩岩崔乃庚
- 关键词：镍掺杂显微结构
- 基于双高斯差模型分析神经细胞兴奋性程度改变的原因
- 2023年
- 视觉研究是神经科学中富有研究成果的领域之一.DOG模型(双高斯差模型)作为描述同心圆结构感受野的经典模型,从信息输入输出角度描述了空间信息的变换过程,运用公式表达了同心圆结构感受野的空间特性.介绍了同心圆结构感受野的特性以及DOG模型的函数特性,并且基于DOG函数的一维表达式对其中兴奋性与抑制性成分空间散布程度以及兴奋性与抑制性成分振幅进行改变,观察图像中神经细胞兴奋程度以及感受野大小的变化,分析其改变的原因.
- 王阔王阳曲秀荣
- 关键词：视觉系统
- 利用Izhikevich模型探究神经元动作电位的发放特性
- 2022年
- 不同种类的神经元拥有不同类型的离子通道,离子通道的开放和关闭可以产生不同形状、频率和模式的动作电位。对动作电位的发放特性进行探究,将为生物神经系统的硬件设备开发、脑机接口技术研发等提供机理层面上的支持。采用Matlab软件,利用Izhikevich尖峰神经元模型,考察刺激电流的类型、静息膜电位和膜恢复变量等因素对神经元发放动作电位的影响。研究发现:改变静息膜电位的数值,并不影响动作电位的发放频率;增大膜恢复变量的数值,会使动作电位的发放数量增多,但仍不影响各簇动作电位的发放频率,且膜恢复变量越大,动作电位发放时间越早;在不同类型的电流刺激下,改变静息膜电位和膜恢复变量不会对动作电位的发放特性产生影响。
- 刘佳琦袁鸣曲秀荣周胜
- 关键词：离子通道动作电位MATLAB
- Sr掺杂Ca<sub>3</sub>Co<sub>4</sub>O<sub>9+δ</sub>基质材料的制备与磁性研究
- 2015年
- 本文采用溶胶–凝胶与热压烧结相结合法制备了Ca3?xSrxCo4O9+δ(x = 0,0.05,0.15和0.25)块体。利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM),对材料的物相和形貌进行分析。XRD结果显示随着Sr掺杂浓度的增加,衍射峰向小角度方向偏移,表明Sr已掺杂进入Ca3Co4O9+δ基材料晶格中;通过分析材料的SEM,发现材料的晶粒呈层状结构并且尺寸均匀。通过振动样品强磁计(VSM)分析样品磁性,结果为样品的磁性随Sr的掺杂而提高。
- 钱宇曲秀荣冯继邦马人佺胡建民王金艳
- 关键词：层状结构磁性
- ZnO/β-FeSi<Sub>2</Sub>复合材料及制备方法
- ZnO/β-FeSi<Sub>2</Sub>复合材料及制备方法，它涉及一种复合材料及制备方法。它解决了β-FeSi<Sub>2</Sub>在长期高温服役条件下抗氧化性差的问题。ZnO/β-FeSi<Sub>2</Sub>...
- 贾德昌曲秀荣周玉
- 文献传递
- Ca_3Co_4O_(9+δ)与Ca_2Co_2O_5的制备与电学性能研究
- 2014年
- 采用溶胶-凝胶与热压烧结相结合的方法制备了Ca3Co4O9+δ和Ca2Co2O5热电材料.X射线衍射(XRD)测试结果表明,两种材料均沿c轴有择优生长趋势.从样品的扫描电子显微照片(SEM)来看,两种材料已烧结,基本达到致密的程度.在室温至1073 K温区,测试了样品的电导率和Seebeck系数.结果表明,两种材料电输运性能均随温度升高而增加,Ca3Co4O9+δ样品的电导率、Seebeck系数和功率因子明显高于Ca2Co2O5.
- 崔乃庚马人佺曲秀荣
- 关键词：微观结构
- Gd_2(WO_4)_3∶Eu^(3+),Sm^(3+)纳米晶的制备及Sm3+对Eu3+特征发射的敏化作用被引量：10
- 2013年
- 采用共沉淀法分别制备了Eu3+、Sm3+单掺和共掺Gd2(WO4)3纳米发光材料,对所制备的纳米发光材料的结构和发光特性进行了研究。结果表明:所得样品为Gd2(WO4)3的底心单斜结构,Eu3+的摩尔分数为20%时,Gd2(WO4)3∶20%Eu3+的发光最强。Sm3+对Eu3+有敏化作用,使Eu3+的5D0→7F2发射明显增强。用464 nm的光激发时,Sm3+对Eu3+的敏化作用强于用395 nm的光激发。Sm3+的摩尔分数为5%时,样品Gd2(WO4)3∶20%Eu3+,5%Sm3+的5D0→7F2发射强度最大。Sm3+的掺入使监测Eu3+的5D0→7F2跃迁的激发光谱强度明显增大,且拓宽了可被LED有效激发的波长范围。在405 nm和440 nm波长的光激发下,也可以明显观察到样品Gd2(WO4)3∶20%Eu3+,5%Sm3+中Eu3+的5D0→7F2跃迁。
- 何冬丽吕树臣曲秀荣毛金伟孟庆裕
- 关键词：共沉淀法光致发光
- 一种钴基氧化物热电材料的制备方法
- 一种钴基氧化物热电材料的制备方法，它涉及一种热电材料的制备方法。本发明是要解决现有钴基热电材料电导率低的问题。制备方法：以硝酸钙、硝酸钴和柠檬酸为原料，在外磁场中发生络合反应，将获得的胶体进行自蔓延燃烧，获得粉末前驱体，...
- 曲秀荣马人佺钱宇冯继邦胡建民
- 文献传递
- Voigt位型下电介质/反铁磁/电介质结构二次谐波生成非倒易性研究
- 2012年
- 利用非线性传递矩阵方法研究了Voigt位型下电介质/反铁磁/电介质结构二次谐波生成的非倒易性.研究发现外加静磁场反向和电介质层排序翻转均对二次谐波输出产生影响,出现了二次谐波生成的非倒易性.二次谐波生成非倒易性频率区域在反铁磁共振区,此区间正处于THz频段.随着入射角度的增加,非倒易性的效果越来越明显.研究二次谐波生成的非倒易性,可为反铁磁器件的设计加工提供理论支持.
- 周胜王选章付淑芳励强华曲秀荣梁爽张强
- 半导体热电材料温差电动势率的测试装置及测试方法
- 半导体热电材料温差电动势率的测试装置及测试方法，属于半导体热电材料热电性能测试领域。本发明是为了解决现有的半导体热电材料的温差电动势率测试过程繁琐、测试精度不高、测试效率低及测试系统复杂的问题。本发明通过对半导体热电材料...
- 胡建民李理王月媛李将录曲秀荣
- 文献传递
