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卢怡丹

作品数：5 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇探测器
  • 3篇紫外探测
  • 3篇紫外探测器
  • 2篇钝化
  • 2篇钝化膜
  • 2篇光刻
  • 2篇GAN基紫外...
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇等离子体
  • 1篇信号
  • 1篇信号处理
  • 1篇致密
  • 1篇致密度
  • 1篇设备接口
  • 1篇实时信号
  • 1篇实时信号处理
  • 1篇双层膜
  • 1篇透镜
  • 1篇欧姆接触

机构

  • 5篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 5篇卢怡丹
  • 4篇李向阳
  • 4篇王立伟
  • 3篇常超
  • 3篇张燕
  • 3篇刘秀娟
  • 1篇刘诗嘉
  • 1篇张可锋
  • 1篇王仍
  • 1篇李争
  • 1篇汤心溢
  • 1篇乔辉
  • 1篇张昊
  • 1篇岳振
  • 1篇徐鹏霄
  • 1篇徐斌

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 4篇2014
  • 1篇2013
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
InGaN紫外探测器的制备与性能研究被引量：5
2014年
介绍了InGaN紫外探测器的研制过程,并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长GaN外延材料,通过刻蚀、钝化、欧姆接触电极等工艺,制作了正照射单元In0.09Ga0.91N紫外探测芯片。并对该芯片进行了I-V特性、响应光谱等测试,得到芯片的暗电流Id为1.00×10-12 A,零偏压电阻R0为1.20×109Ω。该紫外探测器在360～390nm范围内有较高的响应度,峰值响应率在378nm波长处达到0.15A/W,在考虑表面反射时,内量子效率达到60%;优质因子R0A为3.4×106Ω·cm2,对应的探测率D＊=2.18×1012 cm·Hz1/2·W-1。
卢怡丹王立伟张燕李向阳
关键词：P-I-N紫外探测器伏安特性响应光谱
基于USB3.0的红外数字图像注入式仿真系统及方法
本发明公开了一种基于USB3.0的红外数字图像注入式仿真系统及方法，它主要用于为红外图像实时信号处理平台提供仿真环境。该系统包括一台带有USB3.0接口的主机和一个红外数字图像注入式仿真器，其中仿真器又包括USB3.0控...
张昊汤心溢李争岳振卢怡丹
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一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器及制备方法
本发明公开一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器及制备方法，所述的双层钝化膜为利用光刻技术保留在器件表面和台面侧面的上、下两层的双层Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>薄膜，其制备工艺为：在AlGa...
刘秀娟张燕李向阳王立伟卢怡丹常超
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一种单片集成式红外微透镜线列的制备方法
本发明公开了一种单片集成式红外微透镜线列的制备方法，该方法工艺上采用光刻套刻结合ICP干法刻蚀的手段，然后采用化学湿法腐蚀制备出曲率半径均匀的微透镜线列。本方法为优化单片集成红外微透镜列阵的聚光能力提供了依据，对于提高器...
徐鹏霄乔辉张可锋李向阳王仍刘诗嘉徐斌刘秀娟卢怡丹王立伟常超
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一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器
本实用新型公开一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器，器件结构为：在蓝宝石衬底上依次为AlN缓冲层、n型AlGaN层、i型AlGaN层、p型AlGaN层、下层Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>钝化...
刘秀娟张燕李向阳王立伟卢怡丹常超
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