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汤亮亮

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学技术大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划安徽省人才开发基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程动力工程及工程热物理更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇学位论文
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 5篇电池
  • 3篇红外
  • 3篇GASB
  • 2篇电池制备
  • 2篇选择性发射极
  • 2篇锑化镓
  • 2篇镓合金
  • 2篇晶片
  • 2篇合金
  • 2篇发射极
  • 1篇电能
  • 1篇电能转换
  • 1篇热光伏电池
  • 1篇量子效率
  • 1篇密封式
  • 1篇内量子效率
  • 1篇禁带
  • 1篇扩散
  • 1篇扩散法
  • 1篇化合物半导体

机构

  • 6篇中国科学技术...

作者

  • 6篇汤亮亮
  • 3篇叶宏
  • 1篇郑青贺

传媒

  • 1篇太阳能学报

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
Zn在Ⅲ-V族半导体中的扩散机理与低禁带红外电池制备的研究
锌(Zn)是一种P型掺杂物质,其气相扩散过程可广泛应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(GaSb、GaAs、GaP、InAs等)的P型掺杂工艺,因此研究Zn在上述材料中的扩散规律对器件制造有重要帮助。然而在恒定表面Zn浓度的扩散情...
汤亮亮
关键词：ZN扩散
文献传递
Zn在N-GaSb晶片中扩散机理与GaSb热光伏电池制备工艺的研究
PN结是光伏电池的核心，GaSb热光伏电池中的PN结可通过“准密封式”Zn扩散法制备，本文主要从实验和理论两个方面研究了制备GaSb电池涉及到的Zn气相扩散过程。　　 实验研究了扩散源Zn球在过量、适量和不足三种情况下...
汤亮亮
关键词：光伏电池光转换器
文献传递
一种选择性发射极锑化镓红外电池及其制备方法
本发明公开了一种选择性发射极锑化镓红外电池及其制备方法，包括锌扩散法制备PN结、制备电极、表面钝化、制备减反射层等步骤；特征是采用锌-镓合金作为扩散源进行密封式锌扩散在N型锑化镓晶片中形成仅具有单扩散前沿的锌浓度曲线。采...
汤亮亮叶宏
文献传递
一种选择性发射极锑化镓红外电池及其制备方法
本发明公开了一种选择性发射极锑化镓红外电池及其制备方法，包括锌扩散法制备PN结、制备电极、表面钝化、制备减反射层等步骤；特征是采用锌-镓合金作为扩散源进行密封式锌扩散在N型锑化镓晶片中形成仅具有单扩散前沿的锌浓度曲线。采...
汤亮亮叶宏
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Zn在N-GaSb晶片中扩散机理的实验
2011年
对Zn在N-GaSb晶片中的扩散过程进行了实验研究和分析。实验中采用"准密封"扩散方法,使用纯Zn和纯Sb作为扩散源,通过SIMS(二次离子质谱仪)测量,得出了不同扩散时间和扩散温度下的Zn扩散曲线。经分析,发现扩散源用量对SIMS测量和实验结果有很大影响,在此基础上得出了较为理想的Zn扩散曲线所对应的工况。计算了不同Zn扩散曲线对应的内量子效率,计算结果表明,扩散实验得到的晶片经精确刻蚀后的内量子效率接近70%。
郑青贺叶宏汤亮亮
关键词：GASBSIMS内量子效率
Zn在Ⅲ-Ⅴ族半导体中的扩散机理与低禁带红外电池制备的研究
锌(Zn)是一种P型掺杂物质，其气相扩散过程可广泛应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体（GaSb、GaAs、GaP、InAs等）的P型掺杂工艺，因此研究Zn在上述材料中的扩散规律对器件制造有重要帮助。然而在恒定表面Zn浓度的扩散情...
汤亮亮
关键词：化合物半导体
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