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戴科辉

作品数:7 被引量:8H指数:2
供职机构:华中科技大学更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇氮化镓
  • 3篇色光
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇面发射
  • 3篇纳米
  • 3篇发光
  • 2篇氮化物
  • 2篇氮化物半导体
  • 2篇导体
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇欧姆接触电极
  • 2篇平板电极
  • 2篇纳米图案
  • 2篇接触电极
  • 2篇介质
  • 2篇介质薄膜
  • 2篇光发射
  • 2篇光发射器
  • 2篇光发射器件
  • 2篇发光亮度

机构

  • 7篇华中科技大学

作者

  • 7篇戴科辉
  • 5篇汪连山
  • 3篇黄德修
  • 1篇徐帆
  • 1篇张新亮

传媒

  • 1篇中国激光

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2006
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
面发射多色发光二极管及其制造方法
本发明是具有表面为凸起的条纹图案状结构的氮化物面发射多色发光二极管,其结构是:包括衬底(1)、n型氮化镓模板层(2)、介质图案层(3)、有源层(5)和电极,在介质图案层窗口方向暴露出的n型氮化镓模板层的上面设有凸起的n型...
汪连山戴科辉
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面发射多色发光二极管
本实用新型是具有表面为凸起的条纹图案状结构的氮化物面发射多色发光二极管,其结构是:包括衬底(1)、n型氮化镓模板层(2)、介质图案层(3)、有源层(5)和电极,在介质图案层窗口方向暴露出的n型氮化镓模板层的上面设有凸起的...
汪连山戴科辉
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纳米图案p型氮化物半导体欧姆接触电极及其制备方法
本发明公开了一种纳米图案p型III族氮化物欧姆接触电极及制备方法。纳米图案导电层为蜂窝形膜层,形成于p型III族氮化物之上,导电覆盖层沉积在纳米图案导电层上,覆盖层沉积在纳米图案导电层的纳米微孔内的部分与p型III族氮化...
汪连山戴科辉黄德修
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基于半导体光放大器交叉增益调制效应的主动锁模光纤激光器被引量:6
2006年
提出一种腔内损耗小的基于半导体光放大器(SOA)交叉增益调制效应(XGM)的主动锁模光纤激光器结构。使用光环行器成功减小了激光器的腔内损耗,提高了激光器的输出功率。从理论上对有理数谐波锁模过程中腔内脉冲复合的物理机制进行了详细分析。利用有理数谐波锁模技术,在调制频率为10 GHz下,得到了重复频率为30 GHz的皮秒级光脉冲序列输出,其峰值功率约0.5 mW。由于半导体光放大器的宽增益谱与滤波器的较大可调谐范围,使得激光器输出可以在较大的波长可调谐范围内保持较大功率输出。成功实现了调制频率为20 GHz的谐波锁模短光脉冲输出,可调谐范围达40 nm,峰值功率大于0.65 mW。半导体光放大器和激光器的短腔长保证了激光器的长期稳定性。
戴科辉张新亮徐帆黄德修
关键词:激光技术光纤激光器有理数谐波锁模交叉增益调制半导体光放大器
面发射多色发光二极管及其制造方法
本发明是具有表面为凸起的条纹图案状结构的氮化物面发射多色发光二极管,其结构是:包括衬底(1)、n型氮化镓模板层(2)、介质图案层(3)、有源层(5)和电极,在介质图案层窗口方向暴露出的n型氮化镓模板层的上面设有凸起的n型...
汪连山戴科辉
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微//纳米结构增强GaN基LED器件光取出效率的研究
发光二极管/(LED/)固体照明因其节能环保的优势而逐渐替代传统光源,在全球激起一场照明革命。GaN基LED不仅广泛应用于户外显示屏、液晶显示器背光源、城市景观和交通信号灯等领域,还是白光LED的核心组成部分,因此研究G...
戴科辉
关键词:发光二极管氮化镓氧化锌纳米棒
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纳米图案p型氮化物半导体欧姆接触电极及其制备方法
本发明公开了一种纳米图案p型III族氮化物欧姆接触电极及制备方法。纳米图案导电层为蜂窝形膜层,形成于p型III族氮化物之上,导电覆盖层沉积在纳米图案导电层上,覆盖层沉积在纳米图案导电层的纳米微孔内的部分与p型III族氮化...
汪连山戴科辉黄德修
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共1页<1>
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