李特
- 作品数：42 被引量：35H指数：3
- 供职机构：中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学电气工程更多>>
- 一种用于功率芯片的嵌入式冷却热沉及半导体器件
- 本发明涉及一种用于功率芯片的嵌入式冷却热沉及半导体器件，以解决目前功率芯片与冷却热沉之间热量需经过多层传导路径，导致热阻增加，热沉与功率芯片封装厚度大，芯片裸露在热沉外部容易损伤的技术问题。该嵌入式冷却热沉的上密封叠片一...
- 陈琅李特王贞福于学成
- 高功率半导体激光列阵芯片测试表征与仿真优化被引量：3
- 2021年
- 针对高功率半导体激光芯片工作温度升高易引起芯片性能退化和失效问题,首先理论分析了工作温度对内量子效率的影响机理。其次,为量化温度影响芯片稳定性的主要因素,自主搭建高功率半导体激光列阵芯片测试系统,研究15~60℃半导体激光列阵芯片的温度特性,分析了5种能量损耗分布及其随温度的变化趋势。实验结果表明,当温度由15℃升高至60℃,载流子泄漏损耗占比由2.30%急剧上升至11.36%,是造成半导体激光芯片在高温下电光转换效率降低的主要因素。最后进行了外延结构的仿真优化,仿真结果表明,提高波导层Al组分至20%,能有效限制载流子泄漏,平衡Al组分增加带来的串联电阻增大问题,可以获得高效率输出。该研究对高温下半导体激光芯片的设计具有重要的指导意义。
- 杜宇琦王贞福张晓颖杨国文李特刘育衔李波常奕栋赵宇亮兰宇
- 关键词：高功率
- 一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置
- 本发明的目的是解决在满足现有散热装置的散热能力前提下，如何降低散热装置内部压强的问题，而提供一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置。该散热装置包括自上而下相互层叠设置的上密封叠片、上冷却叠片、导流叠片、下冷却...
- 陈琅李特王贞福于学成
- 文献传递
- 双应力交叉步进加速退化试验下大功率半导体激光器寿命预测方法
- 2023年
- 高可靠性已成为大功率半导体激光器实用化的重要指标之一,而寿命预测是大功率半导体激光器可靠性评估的首要环节。文中提出了一种双应力交叉步进加速退化的试验方法,对830 nm F-mount封装的大功率半导体激光器进行了四种不同的双应力条件A[22℃,1.4 A],B[42℃,1.4 A],C[42℃,1.8 A],D[62℃,1.8 A]下的电流-温度交叉步进加速退化试验研究,对光输出功率退化轨迹进行拟合,按照80%功率退化作为失效判据,结合修正后的艾琳模型和威布尔分布外推得到器件在正常工作条件下的平均失效时间(MTTF)为5811 h。文中给出了完整的加速退化模型建立过程与详细的外推寿命计算方法,并对模型进行了准确性检验,误差不超过10%。该方法相比单应力恒定加速试验方法,可以大幅度节约试验时间和试验成本,这对于大功率半导体激光器的自主研制具有重要的指导意义。
- 张业奇王贞福李特陈琅张佳晨吴顺华刘嘉辰杨国文
- 关键词：大功率半导体激光器加速退化试验
- 一种应用于功率芯片的小型化散热装置及半导体器件
- 本发明涉及一种功率芯片的散热装置，具体涉及一种应用于功率芯片的小型化散热装置及半导体器件。克服现有功率芯片散热装置体积大，不利于系统集成的技术问题。散热装置包括自下而上叠层设置的M5密封层、M4分流层、M3引流层、M2换...
- 陈琅李特杨秉青王贞福于学成
- 一种自冷却半导体激光器
- 本发明提供一种自冷却半导体激光器，克服采用现有散热结构形式的激光半导体存在的传热路径长，热阻大，体积大等问题。包括半导体激光器工作区与衬底，半导体激光器工作区生长在衬底上，衬底划分为上下叠层的第一衬底与第二衬底；第一衬底...
- 陈琅李特王贞福于学成
- 文献传递
- 实现大功率半导体激光器侧向远场平顶光强分布的方法
- 本发明涉及大功率半导体激光器，具体涉及实现大功率半导体激光器侧向远场平顶光强分布的方法，用于解决大功率半导体激光器侧向远场光强为复杂的多模叠加分布，光斑均匀度较差，以及目前提升大功率半导体激光器侧向远场光强均匀度主要是通...
- 章珺越刘嘉辰李特王贞福
- 808nm准连续600W高功率半导体激光芯片研制被引量：5
- 2017年
- 通过设计极低损耗808nm半导体激光芯片外延结构,实现腔内损耗小于0.5cm^(-1)。采用该高效率外延结构研制出高峰值功率808nm巴条芯片,巴条的填充因子为85%,包含60个发光点,发光区宽度为140μm,腔长为2mm。在驱动电流为500A,脉冲宽度为200μs,重复频率为400 Hz,占空比为8%的工作条件下,该芯片的准连续(QCW)峰值输出功率为613 W,斜率效率达1.34 W/A,峰值波长为807.46nm,光谱半峰全宽为2.88nm。任意选取5只芯片,在准连续300 W(占空比8%)条件下进行了寿命验证,芯片寿命达到3.63×109 shot,定功率300W下电流变化小于10%,达到商业化水平。
- 王贞福李特杨国文宋云菲
- 关键词：激光光学峰值功率光损耗
- 基于半导体激光芯片衬底微通道的分布式流型热沉及半导体激光器
- 本发明涉及一种基于半导体激光芯片衬底微通道的分布式流型热沉及半导体激光器，以解决现有微通道热沉存在的冷却液驱动压力大及热交换流程长导致的芯片良率低，散热不均匀的技术问题。该热沉中，芯片衬底微通道层包括多条衬底微通道，其沿...
- 陈琅李特王贞福
- 一种高速气体携带制冷剂冷却微通道半导体激光器的方法及装置
- 本发明提供一种高速气体携带制冷剂冷却微通道半导体激光器的方法及装置。该方法使液体制冷剂输入所述微通道；特别地，使高速气流作用于液体制冷剂，从而对微通道封装结构的半导体激光器进行气液高速混合散热。优选在液体制冷剂输入所述微...
- 王贞福李特
- 文献传递
