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朱云娜

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：南开大学电子信息与光学工程学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇堆栈
  • 1篇退火
  • 1篇退火过程
  • 1篇热稳定
  • 1篇热稳定性
  • 1篇热稳定性研究
  • 1篇AL2O3
  • 1篇INP

机构

  • 1篇南开大学

作者

  • 1篇朱云娜
  • 1篇董红

传媒

  • 1篇真空电子技术

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
InP/Al2O3堆栈在退火过程中的热稳定性研究
2017年
源于其高电荷迁移率,III-V族半导体材料有望在10nm技术节点以下的低功耗晶体管上得到采用。采用角分辨X射线光电子能谱(ARXPS),表征了InP/Al_2O_3堆栈退火前后的界面化学,元素扩散与脱吸附。InP/Al_2O_3堆栈在退火前后均存在In氧化物,在退火温度增加到500℃时In氧化物有脱吸附现象。在500℃退火后,P氧化物的扩散现象被角分辨XPS观察到。界面元素扩散和脱吸附会大大影响界面态密度及器件的电学性能,并直接影响其稳定性和可靠性。本文显示InP器件在制造过程中应该进行有效的界面钝化,避免高温工艺。
朱云娜王星录董红
关键词：INP退火
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