王维
- 作品数：8 被引量：20H指数：3
- 供职机构：表面物理与化学重点实验室更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院科学技术发展基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术核科学技术金属学及工艺更多>>
- 钨中氘热脱附特性的定量研究被引量：3
- 2018年
- 采用热脱附谱方法定量研究了多晶W经能量为100eV/D、注量为3.8×1024D/m^2的D+辐照作用后,不同升温速率下氘的热脱附特性。研究发现,氘的热脱附量在不同升温速率下均为1022 D/m^2量级,随着升温速率的增大,氘的热脱附峰峰位向高温方向移动。多晶W中氘的热脱附行为符合一级反应特征,钨中空位是氘在钨中的主要俘获态,氘原子的热脱附能为1.04 eV。
- 王维王维叶小球叶小球陈长安王鹏高涛
- 关键词：钨热脱附辐照缺陷空位
- 氢、氘在铌膜中的渗透性研究
- 2018年
- 难熔金属铌具有机械强度好、选择渗氢速率高、成本低等优点,被认为是可以取代金属钯的渗氢分离材料。有效去除铌表面氧化层是获得快速渗氢性能的关键。采用机械磨抛和高温氢还原方法去除铌膜表面氧化物,并对处理后的铌膜进行了渗氢、渗氘实验。结果表明:机械磨抛和高温氢还原相结合能有效去除铌膜表面氧化物;600~800℃范围内氢、氘在铌膜中的渗透率(Φ)分别为ΦH=4.98×10-6exp(-6 406.9/T)mol·m-1·s-1·Pa-0.5和ΦD=3.51×10-6exp(-6 418.8/T)mol·m-1·s-1·Pa-0.5,相同温度下,铌中氢同位素渗透率高于CLAM钢,而低于Pd8.5Y0.19Ru合金,这归因于表面残余氧化物对氢同位素的渗透有一定阻滞作用。
- 周燕燕周鑫陈长安王维王占雷饶咏初梁传辉周元林
- 关键词：渗透率
- 铈和Ce-20La合金的晶粒长大动力学被引量：2
- 2019年
- 使用真空电弧熔炼和铜模吸铸方法制备了Ce和Ce-20La两种材料,采用X射线衍射(XRD)和金相显微镜分别研究了这两种材料的晶体结构、晶粒尺寸随退火时间的变化规律。结果表明:Ce和Ce-20La合金均为面心立方结构,并呈现单相等轴晶组织; Ce-20La中La取代Ce形成了置换固溶体。将Ce和Ce-20La分别在400℃下高真空中不同时间退火,发现这两种材料的晶粒尺寸随退火时间的变化均满足关系式:D^3-D■=kt。其中,与Ce和Ce-20La对应的k值分别为17251和3565。La的掺入引起Ce的晶格畸变,一定程度上限制了原子在晶粒内部的扩散,阻止了晶粒长大,从而提高了Ce-20La的热稳定性。
- 黄宇张新建许刚王维叶小球李成杰
- 关键词：CE晶粒长大
- 钨中氘滞留及热脱附行为的定量研究
- <正>钨（W）具有高熔点、高热导率、低溅射率、低氘（D2）和氚（T）滞留量等优点,被认为是托卡马克装置面向等离子体的主要候选材料之一[1-4]。W中氢及其同位素的滞留行为研究已持续二十来年,空位、空位团簇、孔洞、位错等不...
- 王维叶小球陈长安高涛
- 关键词：钨热脱附
- 文献传递
- 金属铈在过量氘气氛下的腐蚀行为被引量：1
- 2019年
- 采用压力-体积-温度系统(PVT)与热台显微镜(Hot-stage microscope,HSM)相结合的方法,研究了铈(Ce)在过量氘(D2)气氛下的腐蚀行为;采用X射线衍射(XRD)仪和热脱附谱(TDS)方法分别考察了铈-氖反应产物的相组成及热稳定性。结果表明,铈在室温、初始压力43 kPa的氘气氛下,可快速与氘发生反应,形成饱和的铈氘化物CeD3,样品发生严重粉化;对饱和铈氘化物在不同温度下加热,可得到一系列不同氘含量的铈氘化物;所制备的铈氘化物在室温下均具有与金属铈类似的面心立方(fcc)结构,铈形成CeD_2的体胀约为24.3%,但随着氘含量的增加,铈氘化物会发生反常的体积收缩现象;热脱附谱测试表明CeD_3在120℃附近即可发生分解,而CeD_2则可稳定至600℃以上。
- 叶小球王维朱斐马策吴吉良黄宇肖瑶陈长安
- 关键词：铈氘化物热脱附
- 面向等离子体材料钨中氘/氦滞留行为的研究进展被引量：4
- 2017年
- 作为面向等离子体材料,钨(W)在服役的过程中不仅受到等离子体造成的高能热负荷的作用,还受到高束流粒子如氘(D)、氚(T)、氦(He)等的轰击和D-T聚变反应产生的高能中子的影响。W中D、T、He的滞留和起泡,仍是聚变堆装置中有待解决的关键问题之一。综述了D、T和He的滞留行为及其气泡形成与辐照条件之间的关系,简要评述了W的服役性能和强化机理。通过降低W中D/He滞留量、抑制气泡的形成可有效改善W的服役性能。深入研究D/He滞留行为与辐照缺陷之间的相互作用关系,进而构建D/He的宏观热脱附行为与其微观状态之间的对应关系,为寻找合适途径来改善W的服役性能提供理论支撑。
- 王维叶小球陈长安李强金伟杨勇彬高涛
- 关键词：氦起泡
- 不同气体和压力对真空漏孔漏率的影响被引量：5
- 2017年
- 针对目前大多数标准漏孔的漏率都是在He和入口压力为100 kPa下的漏率,采用定容变压法校准了铭牌漏率为2.3×10^(-6)Pa·m^3/s的标准真空漏孔在使用H_2、He、D_2三种气体时,在不同入口压力下的漏率。预先对系统进行了加热除气后计算了系统本底漏率大小,并探讨了本底漏率对校准漏孔漏率的影响。结合粘滞流-分子流理论研究了不同气体和漏孔入口压力对漏孔漏率的影响。
- 钟博扬王维李芳芳叶小球陈长安罗文华
- 关键词：真空漏孔漏率校准
- 气体介质、压强及校准方法对真空漏孔漏率的影响被引量：8
- 2017年
- 真空标准漏孔作为标定检漏仪或被测量漏率的参考标准,在核工业、航天航空等领域得到了广泛应用。本文利用氦质谱检漏仪和定容法对标准漏孔(铭牌漏率:2.3×10-6Pa·m3/s,He,23℃)进行校准,以为快速地定量研究聚变材料中氘(D2)或氦(He)行为提供有用的参考。研究结果表明,漏孔漏率随入口端气体压强的增大而增大,并与漏孔两端气体介质压强的平方差呈线性递增关系。同一入口压强下,D2的漏率高于He,且漏率之间的差异随压强增加而变大。同一条件下,定容法和氦质谱检漏仪测得漏孔中示漏气体He的漏率值基本相等,但示漏气体为D2时,氦质谱检漏仪测得的漏率值高于定容法。研究还给出了氦质谱检漏仪测量示漏气体D2时漏孔漏率的修正关系式。
- 王维钟博扬叶小球李芳芳陈长安高涛
- 关键词：漏率定容法氦质谱检漏仪气体介质压强
