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利用激光并采用热释电探测器的实时测温系统的灵敏度被引量：2: 2000年; 在介绍一种利用 In Ga As/I半导体激光器并采用钽酸锂 ( L i Ta O3)热释电探测器实时测温系统的基础上 ,着重分析了在该系统测量中和在高温度时的极限灵敏度 ,并导出了该系统极限灵敏度的数学表达式。给合其温度的测量误差 ,分析了系统的工作波长、被测温度、放大器带宽以及光学系统的相对孔径对极限灵敏度的影响 ,并进行了计算机模拟。; 施德恒刘新建许启富陈玉科刘玉芳; 关键词：比辐射率测温精度灵敏度

Si(CH_3)_4的MPD与Si原子的双光子共振三光子电离被引量：1: 2000年; 在 410～ 40 4nm的紫激光作用下 ,利用平行板电极装置研究了Si(CH3) 4的多光子解离 (MPD)及Si原子的双光子共振三光子电离。观察到了Si(CH3) 4分子经MPD产生的、处于 33PJ″(J″ =0 ,1,2 )态的硅原子 ,依据 43PJ′← 33PJ″(J′、J″=0 ,1,2 )跃迁谱线的强度 ,得到了Si(CH3) 4经MPD产生的、处于 33PJ″(J″=0 ,1,2 )态的硅原子的密度分布值 ,并进行了理论计算 ,依据双光子跃迁的选择定则及其附加定则 ,对 410～ 40 4nm内的跃迁谱峰作了归属。根据这些结果 ,讨论了Si(CH3) 4的MPI机理 ,得到了在这一波段内 ,于本文的实验条件下 ,Si(CH3) 4的MPI机理主要为B类光化学行为的结论。; 刘新建施德恒许启富刘玉芳; 关键词：硅原子

紫外激光作用下四甲基硅的MPI和硅原子的（2＋1）电离: 1994年; 本文报道了在３９０～３７１ｎｍ内利用平行板电极装置和飞行时间质谱仪相结合的方法对四甲基硅进行ＭＰＩ光谱及ＴＯＦ质谱研究的实验结果，并据此讨论了该分子可能的ＭＰＩ机理。; 施德恒刘新建陆庆正余枝广马兴孝孔繁敖; 关键词：四甲基硅多光子电离电离

390.60nm激光作用下Si(CH_3)_4的多光子解离与硅原子的(1+1)电离被引量：1: 2002年; 在390.60nm的紫外激光作用下,利用超声分子束技术与飞行时间（TOF）质谱仪相结合的方法研究了气相四甲基硅分子多光子电离（MPI）的TOF质谱,在较低能量的激光作用下主要检测到了Si（CH3）+、Si+、C2+等离子的信号,有时甚至只检测到了Si+离子的信号;在较高能量的激光作用下主要检测到了Si（CH3）+H（n=1,2,3,4）、Si+、C2+甚至还有SiC3+,SiC2+等离子的信号。据此并结合以前得到的结论,讨论了四甲基硅分子可能的MPI过程。得出了Si+主要来自于Si（CH3）4的多光子解离-Si原子的（1+1）电离,Si（CH3）+H（n-1,2,3）主要来自于Si（CH3）H（n=1,2,3）的（3+1）电离、Si（CH3）+4来自于Si（CH3）4的（3+1）电离的结论。; 施德恒刘新建刘玉芳; 关键词：四甲基硅飞行时间质谱反应动力学多光子电离解离硅原子

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刘新建