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王东雪

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：轻工技术与工程电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 2篇质谱
  • 1篇质谱法
  • 1篇碳化硅
  • 1篇硼掺杂
  • 1篇硼含量
  • 1篇离子
  • 1篇辉光放电质谱
  • 1篇辉光放电质谱...
  • 1篇痕量
  • 1篇痕量杂质
  • 1篇二次离子质谱
  • 1篇掺杂

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇王东雪
  • 1篇何友琴
  • 1篇王鑫
  • 1篇陈潇

传媒

  • 1篇电子质量
  • 1篇科技风

年份

  • 1篇2025
  • 1篇2016
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
碳化硅晶体中硼含量的SIMS定量分析方法研究
2016年
采用SIMS相对灵敏度因子法,对碳化硅中硼含量的定量分析方法进行了系统的研究。通过对离子注入的参考样品进行SIMS深度剖析测得RSF值,实现了碳化硅中硼杂质含量的精确定量检测。碳化硅中硼的检测限可达到1e14atoms/cm3。
王东雪
关键词：碳化硅二次离子质谱硼掺杂
GD-MS法在测定太阳能级多晶硅中痕量杂质中的应用研究
2025年
采用辉光放电质谱法(GD-MS)对太阳能级多晶硅中的Na、B、Ni、Co、Fe、Mn、Cu、Ti、Mg等痕量杂质元素进行了测定,通过优化并选择GD-MS的工作参数,考察了在半定量条件下GD-MS法测定痕量杂质的精密度。结果表明,采用GD-MS法测定太阳能级多晶硅中Na、B、Ni、Co、Fe、Mn、Cu、Ti、Mg等元素时相对标准偏差都小于30%。并将GD-MS法的测定结果与电感耦合等离子质谱法(ICP-MS)的测定结果进行了对比,结果表明两者的测试结果基本一致,从而证明了GD-MS法在测定太阳能级多晶硅中痕量杂质方面的有效性。
王鑫陈潇何友琴张鑫王东雪
关键词：辉光放电质谱法
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共1页<1>
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