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张勇
作品数:
3
被引量:10
H指数:2
供职机构:
北京大学物理学院技术物理系
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
核科学技术
理学
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合作作者
姚淑德
北京大学物理学院技术物理系
周生强
北京大学物理学院技术物理系
吴名枋
北京大学物理学院技术物理系
童玉珍
北京大学物理学院
卢一泓
北京大学物理学院技术物理系
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姚淑德
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张勇
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周生强
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孟兆祥
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张国义
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2000
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高能电子和正电子在晶体沟道中的辐射
被引量:1
2000年
介绍了高能电子和正电子在晶体中的沟道辐射 ,对超相对论电子和正电子在周期弯曲晶体中的相干辐射进行了分析 ,并提出了初步的实验设想 .
张勇
姚淑德
周生强
刘广智
关键词:
高能电子
正电子
新型光电材料GaN的离子束辐照改性与结构分析
被引量:2
2000年
研究用卢瑟福背散射 /沟道技术测量分析GaN的结构及结晶品质 ,给出了注入H+离子束改变GaN的电学特性的实验结果。
姚淑德
孟兆祥
俞芃芃
张勇
周生强
卢一泓
张国义
童玉珍
关键词:
电阻率
载流子浓度
异质外延GaN及其三元合金薄膜的RBS/channeling研究
被引量:7
1999年
本文阐述了用RBS/channeling技术研究异质外延GaN及其三元合金薄膜的重要性和必要性,报道了实验测量出的GaN及其三元合金AlGaN、InGaN膜的结构,给出了较为准确的元素种类、成分配比、薄膜厚度、合金元素的浓度随深度的分布、结晶品质、晶轴取向等信息,测出了几种薄膜的背散射沟道谱与随机谱之比χmin值(Al0.15Ga0.85N的χmin值可低至1.17%)和沟道坑的半角宽Ψ1/2(GaN的半角宽为0.74°),对于其他测试方法无法给定的中间层的情况及不同衬底对成膜的影响,本文亦有明确的说明.
姚淑德
吴名枋
陈守元
孙胜权
张勇
关键词:
氮化镓
异质外延生长
三元合金
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