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张勇

作品数:3 被引量:10H指数:2
供职机构:北京大学物理学院技术物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信核科学技术理学更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇核科学技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇GAN
  • 1篇氮化镓
  • 1篇电阻率
  • 1篇异质外延生长
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇正电子
  • 1篇三元合金
  • 1篇离子束
  • 1篇合金
  • 1篇高能电子
  • 1篇RB
  • 1篇HAN

机构

  • 3篇北京大学

作者

  • 3篇姚淑德
  • 3篇张勇
  • 2篇周生强
  • 1篇吴名枋
  • 1篇孟兆祥
  • 1篇张国义
  • 1篇卢一泓
  • 1篇童玉珍

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇原子核物理评...

年份

  • 2篇2000
  • 1篇1999
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
高能电子和正电子在晶体沟道中的辐射被引量:1
2000年
介绍了高能电子和正电子在晶体中的沟道辐射 ,对超相对论电子和正电子在周期弯曲晶体中的相干辐射进行了分析 ,并提出了初步的实验设想 .
张勇姚淑德周生强刘广智
关键词:高能电子正电子
新型光电材料GaN的离子束辐照改性与结构分析被引量:2
2000年
研究用卢瑟福背散射 /沟道技术测量分析GaN的结构及结晶品质 ,给出了注入H+离子束改变GaN的电学特性的实验结果。
姚淑德孟兆祥俞芃芃张勇周生强卢一泓张国义童玉珍
关键词:电阻率载流子浓度
异质外延GaN及其三元合金薄膜的RBS/channeling研究被引量:7
1999年
本文阐述了用RBS/channeling技术研究异质外延GaN及其三元合金薄膜的重要性和必要性,报道了实验测量出的GaN及其三元合金AlGaN、InGaN膜的结构,给出了较为准确的元素种类、成分配比、薄膜厚度、合金元素的浓度随深度的分布、结晶品质、晶轴取向等信息,测出了几种薄膜的背散射沟道谱与随机谱之比χmin值(Al0.15Ga0.85N的χmin值可低至1.17%)和沟道坑的半角宽Ψ1/2(GaN的半角宽为0.74°),对于其他测试方法无法给定的中间层的情况及不同衬底对成膜的影响,本文亦有明确的说明.
姚淑德吴名枋陈守元孙胜权张勇
关键词:氮化镓异质外延生长三元合金
共1页<1>
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