左思斌
- 作品数：11 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信医药卫生一般工业技术更多>>
- 一种激光晶体及其制备方法和用途
- 本发明提供一种激光晶体及其制备方法和用途。该激光晶体为过渡金属掺杂的氮化铝，其化学式是：M<Sup>3+</Sup>:AlN，其中，M表示Cr、Mn、Fe、Co和Ni中的一种或几种，它们的摩尔掺杂比例分别为：Cr：0.0...
- 陈小龙姜良宝王文军左思斌鲍慧强李辉王军
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- PVT法生长AlN单晶
- 作为Ⅲ族氮化物重要的成员之一,氮化铝具有许多优良的物理性能,如直接宽带隙(6.2eV)、高的热导率、低的热膨胀系数、较大的机械硬度等,这使氮化铝在高温、高频、高功率器件及紫外光电器件等领域有重大的应用价值[1-3]。目前...
- 左思斌王军陈小龙王文军
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- 一种利用物理气相传输法生长氮化铝单晶的方法
- 本发明提供一种利用物理气相传输法生长氮化铝单晶的方法，包括：对原料区和氮化铝籽晶加热，将原料区加热至生长温度，且在将原料区被加热至所述生长温度之前，至少在原料区到达1650℃以上之后，保持籽晶的温度大于等于原料区的温度；...
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- 物理气相传输法AlN单晶生长
- III族氮化物(AlN、GaN、InN)半导体材料因GaN基LED的成功应用而受到广泛关注。目前制约III族氮化物半导体器件制备的一个因素是缺乏同质单晶衬底。因为大尺寸、高质量的GaN单晶生长研究进展缓慢,所以人们将目光...
- 王文军左思斌鲍慧强王刚王军陈小龙
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- 氮空位对AIN光学与磁学性质的影响
- @@六方纤锌矿结构是AIN最稳定、最常见的结构，同时AIN也是带隙宽度最大的氮化物半导体(带隙宽度约为6.2 eV)。由于具有很高的热导率、较低的介电常数、较高的机械强度及优良的化学稳定性，AIN及其合金在机械、电子、半...
- 姜良宝左思斌李辉金士锋王文军王刚陈小龙
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- 一种激光晶体及其制备方法和用途
- 本发明提供一种激光晶体及其制备方法和用途。该激光晶体为过渡金属掺杂的氮化铝，其化学式是：M<Sup>3+</Sup>:AlN，其中，M表示Cr、Mn、Fe、Co和Ni中的一种或几种，它们的摩尔掺杂比例分别为：Cr：0.0...
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- PVT法生长AIN单晶
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- 一种氮化铝固体激光器及其制备方法
- 本发明公开了一种氮化铝固体激光器及其制备方法。所述氮化铝固体激光器，包括泵浦源和位于衬底上的工作物质，其中工作物质为由过渡金属掺杂的氮化铝制成的具有一维纳米结构的阵列，所述过渡金属掺杂的氮化铝的化学式为TM<Sup>3+...
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- AlN单晶生长
- <正>氮化铝(AlN)是一种直接宽带隙半导体材料,具有高的热导率和化学稳定性,在高温、高频、高功率器件及紫外光电器件等领域有很好的应用前景[1-3]。此外,AlN单晶也是外延生长GaN的理想衬底材料。但是,目前高质量、大...
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- 氮空位对AlN光学与磁学性质的影响
- 六方纤锌矿结构是AlN最稳定、最常见的结构,同时AlN也是带隙宽度最大的氮化物半导体(带隙宽度约为6.2 eV)。由于具有很高的热导率、较低的介电常数、较高的机械强度及优良的化学稳定性,AlN及其合金在机械、电子、半导体...
- 姜良宝左思斌李辉金士锋王文军王刚陈小龙
- 关键词：磁学性质氮化物半导体
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