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胡致富

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文基金：湖北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇隧穿
  • 1篇隧穿电流
  • 1篇小尺寸
  • 1篇解析模型
  • 1篇MOSFET

机构

  • 1篇华中科技大学

作者

  • 1篇李艳萍
  • 1篇徐静平
  • 1篇邹晓
  • 1篇许胜国
  • 1篇陈卫兵
  • 1篇胡致富

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
小尺寸MOSFET隧穿电流解析模型被引量：5
2006年
基于表面势解析模型,通过将多子带等效为单子带,建立了耗尽/反型状态下小尺寸MOSFET直接隧穿栅电流解析模型.模拟结果与自洽解及实验结果均符合较好,表明此模型不仅可用于SiO2、也可用于高介电常数(k)材料作为栅介质以及叠层栅介质结构MOSFET栅极漏电特性的模拟分析,计算时间较自洽解方法大大缩短,适用于MOS器件电路模拟.
陈卫兵徐静平邹晓李艳萍许胜国胡致富
关键词：隧穿电流MOSFET解析模型
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共1页<1>
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