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吴志浩

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院武汉光电国家实验室更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 4篇会议论文

领域

  • 2篇电气工程

主题

  • 7篇电池
  • 7篇太阳能
  • 7篇太阳能电池
  • 3篇聚光
  • 2篇阳光
  • 2篇散热
  • 2篇散热片
  • 2篇太阳
  • 2篇太阳光
  • 2篇探测器
  • 2篇缺陷密度
  • 2篇外延层
  • 2篇高效太阳能电...
  • 2篇光电转换
  • 2篇光电转换效率
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇硅衬底
  • 2篇发光
  • 2篇GAAS/G...

机构

  • 12篇华中科技大学

作者

  • 12篇吴志浩
  • 9篇陈长清
  • 9篇戴江南
  • 9篇方妍妍
  • 5篇宋明辉
  • 4篇熊晖
  • 3篇田武
  • 3篇李洋
  • 3篇余晨辉
  • 2篇余金中
  • 2篇汪敢
  • 2篇陈圣昌
  • 2篇李洋
  • 1篇王虎
  • 1篇田玉
  • 1篇熊辉
  • 1篇徐巍

传媒

  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇第13届全国...
  • 1篇全国第十四届...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 7篇2012
  • 3篇2010
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法
本发明提供一种在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法，首先在硅衬底上外延生长组分渐变的Ge<Sub>x</Sub>Si<Sub>1-x</Sub>应力过渡层，然后在应力过渡层上形成应力完全弛豫的Ge...
吴志浩宋明辉陈长清方妍妍戴江南余晨辉熊晖
文献传递
AlGaN基材料与器件的MOCVD外延生长研究
AlGaN是第三代新型宽禁带半导体材料的重要代表之一,AlGaN材料及低维量子结构在制作紫外、红外光电器件和高频微波功率器件等方面具有传统半导体材料无法比拟的优势,在光电子产业、生物医疗产业、国防工业等领域具有重要的应用...
陈长清丁颜颜邱东方妍妍戴江南吴志浩熊晖田武王虎李洋徐谨
AlGaN/GaN基多量子阱ISBT红外探测器的研究进展
随着军事应用对探测技术要求的不断提高，探测精度更高、误警率更低的双色或多色探测器成为当前的研究热点。阐述了可用于单一芯片上同时实现紫外红外探测集成的A1GaN/GaN基多量子阱ISBT红外探测器的结构及其工作原理，同时介...
陈圣昌田武李洋吴志浩
关键词：红外探测器A1GAN/GAN
一种GaAs单结太阳能电池
本发明公开了一种GaAs单结太阳能电池，在电池外延层的表面形成有电极和双层减反膜，双层减反膜的上层膜采用折射率小于下层膜的材料，下层膜采用折射率位于上层膜和窗口层折射率之间的光致发光材料。光致发光材料能够吸收GaAs不能...
宋明辉吴志浩
高Al组分n型AlGaN外延掺杂生长研究
近年来,紫外UV-LED的应用领域不断拓展,其在照明、杀菌、医疗、生化检测、高密度信息存储和保密通信等领域均具有重大应用价值[1-2]。Al_xGa_(1-x)N作为一种组分可调的宽禁带半导体材料,其禁带调节范围覆盖了大...
李洋陈圣昌孔满吴志浩方妍妍戴江南陈长清
InAs/GaAs量子点在Ge衬底上的MOCVD生长研究
本文利用自组织生长技术通过MOCVD对Ge衬底上生长高质量InAs/GaAs量子点结构进行研究.通过AFM,TEM和PL研究表明,利用AlGaAs插入层技术不但有助于消除GaAs在Ge上外延时形成的反相畴及界面扩散问题,...
李森林陈长清孙世闯齐志强李洋田武徐巍吴志浩戴江南方妍妍
一种InGaP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳能电池的制备方法
本发明提供一种InGaP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳能电池的制备方法，首先在Ge或GaAs衬底上外延生长顶部InGaP子电池和中部GaAs子电池，然后生长In组分渐变的InGaP或InGaAs应力过渡层，并在此应...
吴志浩宋明辉陈长清方妍妍戴江南余晨辉熊晖
文献传递
一种两次聚光光伏发电模组
本发明公开一种两次聚光光伏发电模组，其特征在于：该发电模组包括一级环形聚光透镜组、二次光线收集系统、太阳能电池片、散热片、模组盒体。本发明的优点在于：聚光光伏模块紧凑简单，系统厚度得到降低，用料和重量大量减少，装配方便，...
吴志浩汪敢陈长清方妍妍戴江南余金中
文献传递
一种聚光光伏光热太阳能综合利用系统
本发明公开一种聚光光伏光热太阳能综合利用系统，该系统包括聚光模组、跟踪支架、换热器单元、跟踪控制部分；聚光模组安装于跟踪支架上，跟踪支架接受跟踪控制系统的控制实现跟踪太阳，换热器单元通过循环管道与聚光模组的中央汇聚管道相...
吴志浩李洋陈长清方妍妍戴江南熊辉田玉
文献传递
在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法
本发明提供一种在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法，首先在硅衬底上外延生长组分渐变的Ge<Sub>x</Sub>Si<Sub>1-x</Sub>应力过渡层，然后在应力过渡层上形成应力完全弛豫的Ge...
吴志浩宋明辉陈长清方妍妍戴江南余晨辉熊晖
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