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卢茜

作品数：110 被引量：69H指数：5
供职机构：中国电子科技集团第二十九研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 88篇专利
  • 14篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇标准

领域

  • 39篇电子电信
  • 26篇自动化与计算...
  • 3篇化学工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇文化科学

主题

  • 30篇散热
  • 30篇芯片
  • 24篇封装
  • 20篇电路
  • 20篇射频
  • 18篇微电子
  • 16篇互连
  • 13篇基板
  • 11篇电路板
  • 11篇印制电路
  • 11篇印制电路板
  • 9篇倒装
  • 9篇散热技术
  • 9篇气密
  • 9篇连接器
  • 8篇电子封装
  • 8篇热源
  • 7篇电子封装技术
  • 6篇射频芯片
  • 6篇芯板

机构

  • 104篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 104篇卢茜
  • 61篇向伟玮
  • 48篇曾策
  • 35篇李阳阳
  • 32篇董乐
  • 27篇董东
  • 10篇边方胜
  • 10篇伍艺龙
  • 10篇庞婷
  • 8篇王辉
  • 8篇李杨
  • 8篇高阳
  • 7篇孔欣
  • 6篇王春富
  • 6篇季兴桥
  • 6篇陆吟泉
  • 6篇崔西会
  • 6篇秦跃利
  • 5篇张健
  • 5篇陈忠睿

传媒

  • 9篇电子工艺技术
  • 1篇电子质量
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇导航与控制
  • 1篇电子与封装
  • 1篇中国电子科学...

年份

  • 3篇2025
  • 16篇2024
  • 18篇2023
  • 23篇2022
  • 22篇2021
  • 12篇2020
  • 5篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 110 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种微流道芯片整体金属化加工方法
本发明公开一种微流道芯片整体金属化加工方法，将微流道芯片采用金属化夹具装夹，所述微流道芯片被悬空夹持于所述金属化夹具装夹内，所述微流道芯片的侧壁与金属化夹具的内侧壁之间设置有间隙，仅通过微尺度精密夹持部件固定微流道芯片；...
王文博向伟玮张剑卢茜徐诺心李阳阳蒋苗苗秦跃利王春富李彦睿张健李士群叶永贵
文献传递
嵌入加热结构的硅基微通道散热器及应用方法与制备方法
本发明涉及微电子散热技术领域，公开了一种嵌入加热结构的硅基微通道散热器及其应用方法与制备方法。该微通道散热器由两片硅片键合而成，在进液口及进液分流区域对应的键合层内布置加热结构和温度传感器，加热结构与温度传感器的馈电端通...
卢茜张剑李阳阳向伟玮冯媛汪志强蒋苗苗陈春梅董乐
文献传递
弹性连接器及其制备方法
本发明公开了一种弹性连接器及其制备方法，弹性连接器制备方法包括：制备绝缘介质板；制备第一膜体和第二膜体，以使第一膜体和第二膜体分别与绝缘介质板的两侧贴合；在第一膜体、绝缘介质板和第二膜体上开设若干通孔；向通孔中填充导电橡...
吕英飞笪余生肖晖卢茜杜顺勇刘军岳玲玲
一种倒装热源芯片及其制备方法和应用方法
本发明公开了一种倒装热源芯片及其制备方法和应用方法，该倒装热源芯片包括芯片衬底、底部绝缘层、导热钝化层、阻焊层、粘附层、发热电阻、温度传感器、金属互连焊盘、金属导热焊盘和微凸点，芯片衬底、底部绝缘层、导热钝化层和阻焊层依...
张剑卢茜向伟玮曾策董乐赵明叶惠婕蒋苗苗朱晨俊叶永贵
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一种提高多芯连接器气密焊接可靠性的应力释放结构
本发明涉及微电子气密封装技术领域，公开了一种提高多芯连接器气密焊接可靠性的应力释放结构。应力释放结构为一个弹性过渡区，所述弹性过渡区设置在多芯连接器和腔体的主体结构之间，实现气密焊接时，所述弹性过渡区用于释放应力。该弹性...
景飞张童童廖翱高阳卢茜何彬
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一种新型多尺度热管理结构及微组装方法
本发明提供了一种新型多尺度热管理结构，包括：大功率芯片、芯片级微米尺度散热微流道、封装级毫米尺度微流道、系统级厘米尺度宏观供液网络，所述大功率芯片通过低空洞焊接与芯片级微米尺度散热微流道低热阻集成，芯片级微米尺度散热微流...
向伟玮张剑卢茜陈春梅庞婷刘江洪彭文超郝继山李阳阳董乐陈显才林佳蒋苗苗何琼兰
一种大功率射频芯片三维堆叠集成结构及其制备方法
本发明公开了一种大功率射频芯片三维堆叠集成结构及其制备方法，包括从下至上依次设置的多层电路基板、大功率射频芯片、低K值转接板，所述低K值转接板倒装在大功率射频芯片的上表面，在大功率射频芯片上形成多个独立的电磁隔离结构，所...
廖承举张继帆卢茜张剑高阳
一种先通孔氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法
本发明涉及晶体管技术领域，具体涉及一种先通孔氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法，包括以下步骤：晶圆正面制作刻蚀阻挡层并实现图形化，然后从上往下依次刻蚀得到深孔，然后去除残留，进行金属化填孔。由于尚未制作源、漏、栅等影响...
孔欣廖承举汪昌思许冰卢茜张剑曾策方杰徐榕青向伟玮李慧董东陈春梅陈忠睿
一种芯片倒装结构及制作方法
本发明具体公开了一种芯片倒装结构及制作方法包括设置有有源区的芯片、多层电路基板、设置在芯片与多层电路基板之间堆叠焊球结构,以及芯片电容；多层电路基板包括位于有源区正下方的表层介质层、位于表层介质层远离有源区一侧的金属层、...
卢茜张剑曾策董乐朱晨俊李阳阳叶惠婕赵明邓强
一种用于氮化镓功放芯片的玻璃微流道散热器制备方法
本发明公开了一种用于氮化镓功放芯片的玻璃微流道散热器制备方法，该方法包括：准备至少3片可光刻玻璃圆片，分别为：A玻璃圆片、B玻璃圆片和C玻璃圆片；在A玻璃圆片上刻蚀TGV通孔，在B玻璃圆片上刻蚀微流道结构和B进出液口且两...
王文博向伟玮卢茜张剑秦跃利王春富李彦睿李阳阳蒋苗苗张健
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