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李柳暗

作品数：28 被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学更多>>
相关领域：电子电信医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇医药卫生

主题

  • 9篇栅极
  • 9篇感器
  • 9篇传感
  • 9篇传感器
  • 8篇欧姆接触
  • 7篇异质结
  • 7篇漏极
  • 6篇异质结材料
  • 6篇欧姆接触电极
  • 6篇漏电流
  • 6篇接触电极
  • 6篇PH传感器
  • 5篇湿法腐蚀
  • 5篇刻蚀
  • 5篇半导体
  • 5篇槽栅
  • 4篇电极
  • 4篇势垒
  • 4篇势垒层
  • 4篇迁移率

机构

  • 28篇中山大学
  • 2篇吉林大学

作者

  • 28篇李柳暗
  • 22篇刘扬
  • 2篇陈佳
  • 2篇王启亮
  • 2篇刘振兴
  • 2篇杨帆

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 6篇2020
  • 8篇2019
  • 4篇2018
  • 4篇2017
  • 3篇2016
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高温环境原位探测GaN基功率器件工作温度的传感器及其制备方法
发明涉及半导体器件集成的技术领域，更具体地，涉及一种高温环境原位探测GaN基功率器件工作温度的传感器及其制备方法。一种高温环境原位探测GaN基功率器件工作温度的传感器，其中，从下往上依次包括衬底，应力缓冲层，GaN缓冲层...
刘扬赵亚文李柳暗
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一种高耐压高导通性能P型栅极常关型HEMT器件
本实用新型涉及半导体的技术领域，更具体地，涉及一种高耐压高导通性能P型栅极常关型HEMT器件。一种高耐压高导通性能P型栅极常关型HEMT器件，其中，由下往上依次包括衬底，应力缓冲层，GaN外延层，AlGaN外延层，两端形...
刘扬陈佳李柳暗
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一种高耐压高导通性能P型栅极常关型HEMT器件及其制备方法
本发明涉及半导体的技术领域，更具体地，涉及一种高耐压高导通性能P型栅极常关型HEMT器件及其制备方法。一种高耐压高导通性能P型栅极常关型HEMT器件，其中，由下往上依次包括衬底，应力缓冲层，GaN外延层，AlGaN外延层...
刘扬陈佳李柳暗
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一种选择区域外延生长界面改善方法
本发明涉及半导体外延工艺的技术领域，更具体地，涉及一种选择区域外延生长界面改善方法。包括下述步骤。首先提供所需外延生长的衬底，在所述衬底上依次沉积应力缓冲层以及GaN缓冲层，获得进行选择区域外延的模板。在所述模板上淀积一...
刘扬李柳暗杨帆
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一种选择区域外延生长界面改善结构
本实用新型涉及半导体外延工艺的技术领域，更具体地，涉及一种选择区域外延生长界面改善结构。一种选择区域外延生长界面改善结构，其中，包括衬底、在衬底上生长应力缓冲层、在应力缓冲层上生长GaN缓冲层、在GaN缓冲层上沉积一层S...
刘扬李柳暗杨帆
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一种高温环境原位探测GaN基功率器件工作温度的传感器及其制备方法
发明涉及半导体器件集成的技术领域，更具体地，涉及一种高温环境原位探测GaN基功率器件工作温度的传感器及其制备方法。一种高温环境原位探测GaN基功率器件工作温度的传感器，其中，从下往上依次包括衬底，应力缓冲层，GaN缓冲层...
刘扬赵亚文李柳暗
一种高阈值电压高迁移率凹槽栅MOSFET结构
本实用新型涉及半导体外延工艺的技术领域，更具体地，涉及一种高阈值电压高迁移率凹槽栅MOSFET结构。一种高阈值电压高迁移率凹槽栅MOSFET结构，其中，包括在衬底上生长的应力缓冲层；在应力缓冲层上生长的GaN外延层；在G...
李柳暗刘扬
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一种双栅结构GaN基pH传感器的制备方法
本发明涉及半导体传感器技术领域，更具体地，涉及一种双栅结构GaN基pH传感器的制备方法。包括以下步骤：S1.在n型GaN衬底上生长高阻绝缘的GaN过渡层作为背栅的介质层；S2.在高阻绝缘的GaN过渡层上生长GaN沟道层；...
李柳暗
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一种新型GaN基凹槽栅MISFET器件
本实用新型提供一种半导体器件制备技术，具体涉及一种新型GaN基凹槽栅MISFET器件，由下往上依次包括衬底，应力缓冲层，GaN外延层，AlGaN势垒层，反应刻蚀形成凹槽，在位生长AlN薄层，栅极绝缘介质层，两端形成源极和...
刘扬李柳暗
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一种提高N极性面GaN欧姆接触热稳定性及可靠性的结构及其方法
本发明为一种提高N极性面GaN欧姆接触性能的结构，所述结构包括GaN材料，覆盖于所述GaN材料的N极性面GaN的外延层(1)的TiN薄层(2)，以及覆盖于所述TiN薄层(2)的金属叠层(3)。本发明的有益效果在于，TiN...
刘扬丘秋凌李柳暗
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