2025年8月20日
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于成浩
作品数:
54
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供职机构:
杭州电子科技大学
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相关领域:
电子电信
化学工程
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合作作者
王颖
杭州电子科技大学
曹菲
杭州电子科技大学
王艳福
杭州电子科技大学
刘彦娟
杭州电子科技大学
张文豪
杭州电子科技大学
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中子探测器
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机构
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杭州电子科技...
作者
54篇
王颖
54篇
于成浩
44篇
曹菲
6篇
王艳福
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刘彦娟
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张文豪
1篇
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张飞
1篇
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2023
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2022
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2020
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2019
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2018
1篇
2017
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2016
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一种具有埋氧场板的SOI LDMOS器件
本发明公开了一种具有埋氧场板的SOI LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件,包括P型衬底、埋氧层、埋氧场板、顶层硅、横向多晶硅栅、源电极、漏电极、金属电极及栅氧化层;本发明的SOI LDMOS器件,具有源、漏埋氧场板,...
王颖
王祎帆
于成浩
曹菲
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一种NP层交替外延的碳化硅微沟槽中子探测器结构
本发明公开了一种NP层交替外延的碳化硅微沟槽中子探测器结构。本发明结构采用多次外延法在N+衬底上依次交替制作N型层和P型层。首先在N+衬底上外延第一层N型层,之后在第一层N型层上外延第一层P型层,之后在第一层P型层外延层...
于成浩
王颖
郭浩民
包梦恬
张立龙
一种具有电极相连PIN埋管的GaN场效应晶体管
本发明公开了一种具有电极相连PIN埋管的GaN场效应晶体管,包括栅极、源区、栅介质层、钝化层、势垒层,沟道层,低浓度陷阱掺杂缓冲层,高浓度陷阱掺杂缓冲层,与电极相连反向偏置的PIN埋管;其中,所述电极相连反向偏置的PIN...
王颖
罗昕
于成浩
曹菲
文献传递
一种基于双异质结HEMT的高增益X射线探测器
本发明公开一种基于双异质结HEMT的高增益X射线探测器。包括AlGaN势垒层、GaN沟道层、AlGaN背势垒缓冲层、衬底、Si3N4钝化层、栅极、源极和漏极;探测器结构中的沟道层与背势垒缓冲层界面在辐照过程中因空穴积累,...
王颖
曹菲
项智强
于成浩
文献传递
一种具有P型埋层的双沟道高耐压氮化镓场效应晶体管
本发明公开了一种具有P型埋层的双沟道高耐压氮化镓场效应晶体管,P型埋层位于缓冲层中,所述第二势垒层和第二沟道层相接触形成二维电子气并与漏极相连,所述漏场板位于钝化层上并向栅极延伸,栅场板位于钝化层上并向漏极延伸。本发明提...
王颖
费新星
包梦恬
于成浩
一种碳化硅微沟槽中子探测器结构
本发明公开了一种碳化硅微沟槽中子探测器结构。本发明采用多步外延加离子注入掺杂方法在N+衬底上形成交替的N柱区和P柱区,N柱区和P柱区构成的“超结”结构能够形成空间电荷区,能显著改善传统单一外延层电场的非均匀分布,可使整个...
于成浩
王颖
郭浩民
包梦恬
张立龙
一种适用于功率半导体器件的抗单粒子烧毁结构
本发明公开了一种适用于功率半导体器件的抗单粒子烧毁结构,包括外延层,所述外延层第一主面设有有源区和栅极结构,所述有源区和栅极结构上设有栅极金属层;所述外延层第二主面设有衬底层,所述衬底层上设有漏极金属层;所述有源区与所述...
王颖
于成浩
曹菲
包梦恬
文献传递
一种碳化硅微沟槽中子探测器结构
本发明公开了一种碳化硅微沟槽中子探测器结构。本发明采用多步外延加离子注入掺杂方法在N+衬底上形成交替的N柱区和P柱区,N柱区和P柱区构成的“超结”结构能够形成空间电荷区,能显著改善传统单一外延层电场的非均匀分布,可使整个...
于成浩
王颖
郭浩民
包梦恬
张立龙
一种适用于功率半导体器件的抗单粒子烧毁结构
本发明公开了一种适用于功率半导体器件的抗单粒子烧毁结构,包括外延层,所述外延层第一主面设有有源区和栅极结构,所述有源区和栅极结构上设有栅极金属层;所述外延层第二主面设有衬底层,所述衬底层上设有漏极金属层;所述有源区与所述...
王颖
于成浩
曹菲
包梦恬
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基于双栅极的GaN高电子迁移率晶体管结构和制备方法
本发明公开了基于双栅极的GaN高电子迁移率晶体管结构和制备方法。所述晶体管结构从下到上包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和介质层。介质层的两侧分别设有源极沟槽和漏极沟槽,源极沟槽和漏极沟槽之间的位置设有栅极结构。所...
王颖
谢豪杰
刘军
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