王华杰
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 一种基于气相生长原理制备多孔氮化铝的方法
- 本发明涉及一种基于气相生长原理制备多孔氮化铝的方法，包括：采用物理气相输运法将氮化铝粉体与作为造孔剂的碳源高温加热成气相，再进行冷凝结晶，得到碳掺杂氮化铝多晶；将所得碳掺杂氮化铝多晶于空气气氛中，在700～900℃下加热...
- 刘学超王华杰孔海宽忻隽高攀施尔畏
- 文献传递
- 一种具有六棱柱状氮化铝晶须的制备方法
- 本发明涉及一种具有六棱柱状氮化铝晶须的制备方法，所述具有六棱柱状氮化铝晶须的制备方法，采用物理气相传输法，通过中频感应加热方式将原料AlN加热成气相，通过控制生长温度为1700‑1750℃，控制生长压力为200‑300 ...
- 刘学超王华杰孔海宽忻隽高攀施尔畏
- 文献传递
- 物理气相输运法生长AlN六方微晶柱
- 2017年
- 采用物理气相输运法（Physical Vapor Transport, PVT）, 在1700 - 1850°C生长温度下制备出AlN六方微晶柱; 晶柱长度在1 cm左右, 宽度在200 -400 μm, 光学显微镜下观察为六棱柱形状并呈透明浅黄色光泽; 扫描电子显微镜和原子力显微镜测试表明： AlN晶柱表面为整齐台阶状形貌, 台阶宽度为2- 4 μm, 高度在几个纳米; 拉曼光谱测试AlN晶柱具有良好结晶质量。PVT 法生长AlN六方微晶柱主要是在偏低温度下AlN晶体生长速率较慢, Al原子和N原子有足够时间迁移到能量较低位置结晶生长, 进而沿着〈0001〉方向形成柱状结构。AlN六方微晶柱是对一维半导体材料领域的补充, 通过对晶柱尺寸及杂质控制的进一步研究, 有望在微型光电器件领域表现出应用价值。
- 王华杰刘学超孔海宽忻隽高攀卓世异施尔畏
- 关键词：III-V族半导体
