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童鑫
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15
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东南大学
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相关领域:
电子电信
交通运输工程
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合作作者
时龙兴
东南大学
孙伟锋
东南大学
陆生礼
东南大学
刘斯扬
东南大学
徐浩
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东南大学
作者
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童鑫
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时龙兴
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刘斯扬
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超结VDMOS体二极管反向恢复鲁棒性研究及优化
超结垂直扩散金属氧化物半导体型场效应晶体管(Vertical-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,VDMOS)导通电阻低、开关速度快、耐压...
童鑫
关键词:
逆变电路
文献传递
仿生胎面结构优化设计研究
轮胎决定着轮胎与地面之间的载荷传递特性,并对车辆的乘坐舒适性、操纵性和安全性有重要影响。轮胎的胎面结构设计影响着轮胎的温度、滚阻、抓地、噪声、抗滑水和耐磨性等诸多性能。轮胎在正常使用过程中,伴随着温度的升高,胎冠温度的升...
童鑫
关键词:
子午线轮胎
仿生设计
多目标优化
有限元分析
文献传递
基于热成像技术的半导体雪崩失效分析测试方法及装置
基于热成像技术的半导体雪崩耐量失效分析的测试方法及装置,本发明主要包括在搭建的测试系统中,开启待测功率器件和功率开关管,电感开始续流,当电感中的电流达到雪崩电流峰值I<Sub>av</Sub>后,关断待测功率器件和功率开...
孙伟锋
吴其祥
童鑫
卢丽
钊雪会
刘斯扬
陆生礼
时龙兴
文献传递
智能型宽SOA功率MOSFET器件研究
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有电流密度高、导通电阻低、开关速度快等优点,广泛应用于新能源汽车、5G通信、数据中心等电力电子系统中,是决定系统电能转换效率及稳定性的核心部件。系统的应用需求促使功率MOSF...
童鑫
关键词:
MOSFET器件
安全工作区
一种鳍式超结功率半导体晶体管及其制备方法
一种鳍式超结功率半导体晶体管及其制备方法,包括N型衬底,在N型衬底上设有N型外延层,在N型外延层内两侧设有柱状第一P型体区和第二P型体区,在第二P型体区表面设有第一N型重掺杂源区,在N型外延层顶部设有第三P型体区,该区表...
刘斯扬
童鑫
钊雪会
徐浩
孙伟锋
陆生礼
时龙兴
文献传递
一种双向耐压VDMOS器件及其制备方法
一种双向耐压VDMOS器件及其制备方法,包括:N型漏极,其上设有第一N型外延层,在第一N型外延层内设有第一P型体区,在第一P型体区两侧设有第二P型体区,其上设有第二N型外延层,在第二N型外延层上设有重掺杂N型源极,其上连...
刘斯扬
钊雪会
徐浩
童鑫
孙伟锋
陆生礼
时龙兴
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鳍式快恢复超结功率半导体晶体管及其制备方法
一种鳍式快恢复超结功率半导体晶体管及其制备方法,包括N型衬底,在N型衬底上设有N型外延层,在N型外延层的内设有柱状第二P型体区,在N型外延层的顶部设有第一P型体区且区位于两柱状第二P型体区之间,其表面设有N型重掺杂源区和...
孙伟锋
童鑫
杨卓
宋慧滨
祝靖
陆生礼
时龙兴
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一种横向双扩散金属氧化物半导体器件
一种横向双扩散金属氧化物半导体器件,包括器件部分和终端部分以及P型衬底,在P型衬底的上方设有高压N型区、N型漂移区、位于器件部分的P型体区4A1和位于终端部分的由器件部分P型体区4A1扩散形成的P型体区4A2,在高压N型...
刘斯扬
李胜
薛颖
童鑫
叶然
孙伟锋
陆生礼
时龙兴
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功率MOSFET器件安全工作区的双栅拓宽方法及电路
一种功率MOSFET器件安全工作区的双栅拓宽方法及电路,包括在功率MOSFET器件上增设第一、第二栅总线,将功率MOSFET的一部分元胞的栅极连接于第一栅总线,将功率MOSFET的另一部分元胞的栅极连接于第二栅总线,功率...
刘斯扬
童鑫
李春晓
尹储
蒋彦博
孙伟锋
时龙兴
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基于热成像技术的半导体雪崩失效分析测试方法及装置
基于热成像技术的半导体雪崩耐量失效分析的测试方法及装置,本发明主要包括在搭建的测试系统中,开启待测功率器件和功率开关管,电感开始续流,当电感中的电流达到雪崩电流峰值I<Sub>av</Sub>后,关断待测功率器件和功率开...
孙伟锋
吴其祥
童鑫
卢丽
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