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杨雯

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：华为技术有限公司更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇电子器件
  • 4篇半导体
  • 4篇掺杂
  • 2篇导通
  • 2篇底电极
  • 2篇电路
  • 2篇多层布线
  • 2篇介质层
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘介质
  • 2篇互连
  • 2篇互连结构
  • 2篇集成电路
  • 2篇存储器
  • 2篇存储元件

机构

  • 8篇华为技术有限...

作者

  • 8篇杨雯
  • 6篇夏禹
  • 4篇张日清
  • 2篇曾秋玲

年份

  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2016
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种基于二维半导体的电子器件及其制造方法
本发明实施例采用对二维半导体周围介质的掺杂或者在半导体周围介质局部填充固体材料形成填充区，利用掺杂区或填充区对二维半导体特性的掺杂效应来实现基于二维半导体的电子器件。本发明实施例对二维半导体的掺杂不是对二维半导体的直接处...
杨雯张日清夏禹
文献传递
存储器
本申请提供一种存储器，涉及半导体技术领域，可提升存储器的集成密度。一种存储器，存储区中每个存储单元包括晶体管和MTJ存储元件；MTJ存储元件的底电极与晶体管的漏电极通过导通结构电连接；存储区在晶体管和MTJ存储元件之间设...
杨雯刘燕翔
文献传递
集成电路及其互连结构
本申请提供一种集成电路及其互连结构，所述集成电路互连结构包括内连线结构、第一增强结构、第二增强结构及第三增强结构。其中，第一增强结构、第二增强结构及第三增强结构用于增强所述集成电路互连结构的机械强度及可靠性，避免所述集成...
杨雯刘燕翔曾秋玲陈赞锋夏禹
文献传递
一种基于二维半导体的电子器件及其制造方法
本发明实施例采用对二维半导体周围介质的掺杂或者在半导体周围介质局部填充固体材料形成填充区，利用掺杂区或填充区对二维半导体特性的掺杂效应来实现基于二维半导体的电子器件。本发明实施例对二维半导体的掺杂不是对二维半导体的直接处...
杨雯张日清夏禹
文献传递
集成电路及其互连结构
本申请提供一种集成电路及其互连结构，所述集成电路互连结构包括内连线结构、第一增强结构、第二增强结构及第三增强结构。其中，第一增强结构、第二增强结构及第三增强结构用于增强所述集成电路互连结构的机械强度及可靠性，避免所述集成...
杨雯刘燕翔曾秋玲陈赞锋夏禹
文献传递
一种基于二维半导体的电子器件及其制造方法
本发明实施例采用对二维半导体周围介质的掺杂或者在半导体周围介质局部填充固体材料形成填充区，利用掺杂区或填充区对二维半导体特性的掺杂效应来实现基于二维半导体的电子器件。本发明实施例对二维半导体的掺杂不是对二维半导体的直接处...
杨雯张日清夏禹
一种基于二维半导体的电子器件及其制造方法
本发明实施例采用对二维半导体周围介质的掺杂或者在半导体周围介质局部填充固体材料形成填充区，利用掺杂区或填充区对二维半导体特性的掺杂效应来实现基于二维半导体的电子器件。本发明实施例对二维半导体的掺杂不是对二维半导体的直接处...
杨雯张日清夏禹
文献传递
存储器
提供一种存储器，涉及半导体技术领域，可提升存储器的集成密度。一种存储器，存储区中每个存储单元包括晶体管和MTJ存储元件；MTJ存储元件的底电极与晶体管的漏电极通过导通结构电连接；存储区在晶体管和MTJ存储元件之间设置有多...
杨雯刘燕翔
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