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赵文斌

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇抗辐射
  • 3篇电荷共享
  • 3篇多晶
  • 3篇总剂量
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅薄膜
  • 2篇开关
  • 2篇极板
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇反熔丝
  • 2篇非晶硅
  • 2篇非晶硅薄膜
  • 2篇编程
  • 2篇编程效率
  • 2篇SWI
  • 2篇CMOS工艺
  • 1篇单粒子
  • 1篇电离
  • 1篇电路
  • 1篇电路技术

机构

  • 7篇中国电子科技...

作者

  • 7篇洪根深
  • 7篇赵文斌
  • 6篇刘国柱
  • 5篇朱少立
  • 2篇徐静
  • 2篇徐政
  • 2篇徐海铭
  • 1篇贺琪

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
抗辐射Sence‑Switch型nFLASH开关单元结构及其制备方法
本发明涉及一种抗辐射Sence‑Swtich型nFLASH开关单元结构及其制备方法。按照本发明提供的技术方案，所述Sence‑Switch型nFLASH开关单元是制作在SOI顶层硅P阱中，并被STI隔离槽全介质隔离；所述...
刘国柱洪根深赵文斌曹利超刘佰清朱少立
文献传递
一种VDMOS功率器件的制备方法
本发明提供了一种VDMOS功率器件的制备方法，属于集成电路技术领域。在器件的沟道区域之间形成光罩的图形；按照光罩的图形注入P型杂质，并进行高温退火处理；所述P型杂质的注入剂量为1E15‑1E16cm<Sup>‑2</Su...
徐海铭洪根深赵文斌吴建伟徐政刘国柱
文献传递
抗辐射PIP型ONO反熔丝结构及CMOS工艺集成法
本发明涉及抗辐射PIP型ONO反熔丝结构及CMOS工艺集成法，ONO反熔丝结构制作在场区之上；由下至上包括反熔丝下极板、反熔丝孔腐蚀掩蔽层、ONO反熔丝介质层、反熔丝上极板，反熔丝下极板为N型饱和掺杂的非晶硅薄膜，覆盖于...
刘国柱洪根深赵文斌吴建伟朱少立徐静刘佰清
文献传递
一种提高抗辐射VDMOS的栅氧反向击穿加固工艺方法
本发明公开一种提高抗辐射VDMOS的栅氧反向击穿加固工艺方法，属于VDMOS制备技术领域。首先提供衬底，在其表面形成外延层；制作P阱；制作源端和体接触端；进行高温栅氧干氧氧化SiO2分段生长的第一次生长；进行低温栅氧干氧...
徐海铭徐政贺琪洪根深吴建伟赵文斌廖远宝
文献传递
一种抗辐射Sense-Switch型pFLASH开关单元结构及其制备方法
本发明涉及一种抗辐射Sence‑Switch型pFLASH开关单元结构及其制备方法，其通过浮栅电荷共享的方式实现编程/擦除管对信号传输管的开关态，实现电荷共享方式为BTBT编程和FN擦除方式；所述抗辐射FLASH开关单元...
刘国柱洪根深赵文斌曹利超朱少立
文献传递
抗辐射PIP型ONO反熔丝结构及CMOS工艺集成法
本发明涉及抗辐射PIP型ONO反熔丝结构及CMOS工艺集成法，ONO反熔丝结构制作在场区之上；由下至上包括反熔丝下极板、反熔丝孔腐蚀掩蔽层、ONO反熔丝介质层、反熔丝上极板，反熔丝下极板为N型饱和掺杂的非晶硅薄膜，覆盖于...
刘国柱洪根深赵文斌吴建伟朱少立徐静刘佰清
一种抗辐射Sence‑Switch型pFLASH开关单元结构及其制备方法
本发明涉及一种抗辐射Sence‑Switch型pFLASH开关单元结构及其制备方法，其通过浮栅电荷共享的方式实现编程/擦除管对信号传输管的开关态，实现电荷共享方式为BTBT编程和FN擦除方式；所述抗辐射FLASH开关单元...
刘国柱洪根深赵文斌曹利超朱少立
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