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肖迪

作品数：6 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学技术大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电气工程

主题

  • 6篇电池
  • 5篇太阳电池
  • 5篇碲化镉
  • 3篇缓冲层
  • 3篇薄膜太阳电池
  • 2篇电路
  • 2篇电阻
  • 2篇碲化镉太阳电...
  • 2篇灵敏度
  • 2篇敏度
  • 2篇开关
  • 2篇开关电路
  • 2篇光控开关
  • 2篇光敏
  • 2篇光敏电阻
  • 2篇背场
  • 2篇背接触
  • 1篇电极
  • 1篇氧化镍
  • 1篇氧化镍薄膜

机构

  • 6篇中国科学技术...

作者

  • 6篇肖迪
  • 4篇沈凯
  • 4篇王德亮
  • 3篇王德钊
  • 2篇杨瑞龙
  • 2篇李珣
  • 2篇白治中
  • 1篇李强
  • 1篇王东明
  • 1篇吴玲玲
  • 1篇李强

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 3篇2017
  • 3篇2016
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
基于NiO背接触缓冲层CdTe薄膜太阳电池的研究
CdTe薄膜太阳电池特点理想的光伏材料:直接带隙半导体:1.45eV;高于硅材料100倍的吸收系数＞105/cm.易于规模化生产:简单的二元化合物,易于得到单相材料;目前已有10种以上的方法可以获得10％以上的转换效率,...
肖迪
关键词：薄膜太阳电池半导体材料
基于氧化镍背接触缓冲层碲化镉薄膜太阳电池的研究
2017年
采用电子束蒸发法制备了NiO薄膜,并对其作为碲化镉薄膜太阳电池背接触缓冲层材料进行了相关研究.NiO缓冲层的加入使得碲化镉太阳电池开路电压显著增大.通过X射线光电子能谱测试得到的NiO/CdTe界面能带图表明NiO和CdTe的能带匹配度很好.NiO是宽禁带P型半导体材料,在电池背接触处形成背场,减少了电子在背表面处的复合,从而提高电池开路电压.通过优化NiO薄膜厚度,制备得到转换效率为12.2%、开路电压为789 mV的碲化镉太阳电池.研究证实NiO是用来制备高转换效率、高稳定性碲化镉薄膜太阳电池的一种极有前景的缓冲层材料.
肖迪王东明李珣李强沈凯王德钊吴玲玲王德亮
关键词：碲化镉薄膜太阳电池氧化镍缓冲层
一种基于太阳电池的光控开关
本发明提供了一种基于太阳电池的光控开关，包括太阳电池、电压比较电路和开关电路，其以高光电转换效率、低成本的太阳电池代替传统光敏电阻，避免了光敏电阻光控开关灵敏度低和稳定性差等缺点；碲化镉太阳电池对于光照强度十分灵敏，提高...
王德亮肖迪白治中杨瑞龙沈凯王德钊
文献传递
一种碲化镉薄膜太阳电池及其制备方法
本发明提供了一种碲化镉薄膜太阳电池及其制备方法，碲化镉电池从下到上依次包括：衬底；复合在所述衬底上的透明导电薄膜；复合在所述透明导电薄膜上的n型硫化镉层；复合在所述n型硫化镉层上的p型碲化镉层；复合在所述p型碲化镉层上的...
王德亮肖迪王东明沈凯李强李珣
文献传递
一种基于太阳电池的光控开关
本实用新型提供了一种基于太阳电池的光控开关，包括太阳电池、电压比较电路和开关电路，其以高光电转换效率、低成本的太阳电池代替传统光敏电阻，避免了光敏电阻光控开关灵敏度低和稳定性差等缺点；碲化镉太阳电池对于光照强度十分灵敏，...
王德亮肖迪白治中杨瑞龙沈凯王德钊
文献传递
碲化镉薄膜太阳电池背场缓冲层及电池制备研究
碲化镉(CdTe)是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。它是直接带隙半导体，禁带宽度为1.45 eV，对太阳光谱的响应处于最理想的太阳光谱波段，且CdTe在可见光范围内的吸收系数高达105 cm-1，比Si的吸收系数高1...
肖迪
关键词：碲化镉薄膜太阳电池缓冲层
文献传递
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