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李理

作品数：134 被引量：0H指数：0
供职机构：北大方正集团有限公司更多>>
相关领域：电子电信文化科学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 134篇中文专利

领域

  • 18篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇文化科学

主题

  • 59篇功率器件
  • 35篇氧化层
  • 34篇外延层
  • 30篇刻蚀
  • 26篇多晶
  • 22篇二极管
  • 21篇晶片
  • 20篇导电类型
  • 18篇硅晶
  • 18篇硅晶片
  • 18篇半导体
  • 17篇多晶硅
  • 16篇衬底
  • 15篇热氧化
  • 14篇电阻
  • 13篇电荷
  • 13篇源区
  • 13篇退火
  • 12篇导通
  • 11篇漂移区

机构

  • 134篇北大方正集团...
  • 134篇微电子有限公...

作者

  • 134篇李理

年份

  • 1篇2021
  • 9篇2020
  • 23篇2019
  • 14篇2018
  • 31篇2017
  • 42篇2016
  • 14篇2015
共 134 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于超结器件的外延片的制作方法和结构
本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种用于超结器件的外延片的制作方法和结构，包括：将第二导电类型掺杂剂通过第一导电类型半导体单晶片的第一表面进行掺杂，在第一导电类型半导体单晶片中形成第二导电类型掺杂区；在所述第二导电类型...
李理马万里赵圣哲
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改善沟槽形貌方法
本发明提供一种改善沟槽形貌方法。本发明改善沟槽形貌方法，包括：在形成有沟槽的硅晶片表面制备一层多晶硅；采用热氧化法，对该多晶硅按照制备厚度进行氧化形成氧化层，并采用刻蚀法去除该氧化层；采用热氧化法，在去除该氧化层后形成的...
李理马万里赵圣哲
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一种功率器件及其制造方法
本发明涉及一种功率器件及其制造方法，所述功率器件包括外延层，所述外延层具有截止环区域，在所述外延层的截止环区域形成有多个相间隔的截止环。通过设置多个截止环，当耗尽层电场过强时，如果有一个截止环被击穿，其他截止环还可以起到...
李理马万里赵圣哲
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双向瞬态电压抑制器件及其制造方法
本发明提供了一种双向瞬态电压抑制器件及其制造方法，方法包括：在生长掺杂硅层的硅片衬底上刻蚀多个沟槽；对形成所述多个沟槽的硅片进行热氧化，在每个所述沟槽内填充氧化硅，并制备掺杂区域；在形成所述掺杂区域的硅片上生长介质层；在...
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超结功率器件的制备方法和超结功率器件
本发明提出了一种超结功率器件的制备方法和超结功率器件，其中，上述制备方法，包括：在衬底上依次形成第一外延层和第二外延层；在第一外延层和第二外延层内形成垂直于衬底的沟槽，沟槽的深度等于第一外延层和第二外延层的厚度之和；在第...
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一种低栅漏电容沟槽型功率器件及其制造方法
本发明涉及一种低栅漏电容沟槽功率器件，包括有源区、分压区、截止环和划片道，所述有源区具体包括衬底，依次设置在所述衬底上的N型外延层、P型外延层和金属层，其特征在于，所述有源区还包括：贯穿设置在所述N型外延层、P型外延层以...
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功率器件的制备方法和功率器件
本发明提供了一种功率器件的制备方法和一种功率器件，其中，功率器件的制备方法，包括：对依次形成有氧化层和多晶硅层的基片上的多晶硅层进行图形化处理，以形成硅栅结构，并暴露出多晶硅层下方的指定区域的氧化层得到硅栅间氧化层、沟道...
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分压环的制备方法、分压环和功率晶体管
本发明提供了一种分压环的制备方法、分压环和功率晶体管，其中，制备方法包括：将有源区和划片区之间的区域确定为分压区，在分压区的N型衬底上形成有N型外延层后，对N型外延层进行光刻处理，以形成靠近有源区的多个注入窗口，以及形成...
李理赵圣哲马万里
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一种平面型VDMOS器件及其制作方法
本发明公开了一种平面型VDMOS器件及其制作方法，该方法包括以下步骤：在外延层上生成栅氧化层，在所述栅氧化层上生成多晶硅层；将所述多晶硅层刻蚀成多晶硅栅；进行离子注入，形成掺杂的多晶硅栅；在所述掺杂的多晶硅栅表面和所述栅...
李理马万里赵圣哲
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二极管的制备方法和二极管
本发明提供了一种二极管的制备方法和二极管，其中，二极管的制备方法包括：对N型外延层进行N型离子注入；在N型注入层上依次形成栅氧化层、多晶硅层和隔离氧化层；采用各向同性腐蚀工艺对隔离氧化层进行刻蚀；基于图形化掩膜依次对多晶...
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