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王权

作品数：23 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信经济管理文化科学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇中文专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 7篇温度均匀性
  • 7篇均匀性
  • 6篇托盘
  • 5篇电极
  • 5篇晶体管
  • 4篇氮化镓
  • 4篇旋转轴
  • 4篇载流
  • 4篇载流子
  • 4篇输运
  • 4篇转轴
  • 4篇晶体管结构
  • 4篇极化效应
  • 4篇光生
  • 4篇光生载流子
  • 4篇INGAN
  • 3篇金属
  • 3篇金属电极
  • 3篇感应线圈
  • 3篇磁体

机构

  • 23篇中国科学院

作者

  • 23篇姜丽娟
  • 23篇肖红领
  • 23篇王晓亮
  • 23篇王权
  • 18篇李巍
  • 17篇冯春
  • 7篇王翠梅
  • 6篇殷海波
  • 5篇刘宏新

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 9篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 5篇2017
  • 1篇2016
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于薄膜材料生长的感应加热装置
本公开提供了一种用于薄膜材料生长的感应加热装置，包括：托盘；以及感应线圈，设置于托盘下方，用于对托盘进行加热；其中，感应线圈为平面螺旋形，且包括p匝线圈：第1匝线圈为感应线圈的最内匝线圈，第p匝线圈为最外匝线圈，第m匝线...
王晓亮殷海波梅书哲王权徐健凯肖红领李巍姜丽娟
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加热托盘的固定控制装置及其设备
本发明公开了一种加热托盘的固定控制装置及其设备。其中，加热托盘的固定控制装置包括：旋转轴；螺旋加热丝，设置于旋转轴外围，与旋转轴之间存在间隔；托盘，位于旋转轴正上方；以及铁磁体，固定于托盘内，位于托盘中央区域。通过在旋转...
王晓亮梅书哲肖红领王权殷海波李巍姜丽娟
加热托盘的固定控制装置及其设备
本发明公开了一种加热托盘的固定控制装置及其设备。其中，加热托盘的固定控制装置包括：旋转轴；螺旋加热丝，设置于旋转轴外围，与旋转轴之间存在间隔；托盘，位于旋转轴正上方；以及铁磁体，固定于托盘内，位于托盘中央区域。通过在旋转...
王晓亮梅书哲肖红领王权殷海波李巍姜丽娟
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晶圆的室温等静压金属键合方法
本公开提供一种晶圆的室温等静压金属键合方法，包括：步骤S1：清洗待键合晶圆，去除晶圆表面杂质；步骤S2：在清洗干净的晶圆表面沉积金属中间层；步骤S3：将分别完成金属中间层沉积的两晶圆正面对准贴合，固定后装入模具内，采用真...
王晓亮郭芬肖红领王权姜丽娟冯春王茜李巍刘宏新
可调节的感应线圈装置
本发明公开了一种可调节的感应线圈装置，包括：N匝感应线圈，N为正整数；陶瓷盘，与感应线圈所在平面平行设置；螺栓和螺母，用于连接并固定N匝感应线圈和陶瓷盘，通过螺栓和螺母的配合使得各匝感应线圈沿着垂直于线圈平面方向上的高度...
王晓亮冯春王权姜丽娟肖红领李巍
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阶梯型混合栅p-GaN氮化镓基晶体管结构及制作方法
本公开提供了一种阶梯型混合栅p‑GaN氮化镓基晶体管结构及制作方法，其阶梯型混合栅p‑GaN氮化镓基晶体管结构自下而上顺次包括：衬底、成核层、高阻层、高迁移率层和势垒层；还包括：p型GaN帽层、源极、漏极、绝缘介质层和栅...
王晓亮牛迪王权李巍肖红领冯春姜丽娟王茜刘宏新
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抑制GaN衬底在外延生长过程中背面分解的方法
本公开提供了一种抑制GaN衬底在外延生长过程中背面分解的方法，包括：步骤1：选择一GaN衬底；步骤2：在GaN衬底正面制备第一临时保护层；步骤3：在GaN衬底背面制备第二临时保护层；步骤4：去除步骤2中在GaN衬底正面制...
王晓亮储佳焰肖红领姜丽娟王权冯春王茜李巍刘宏新
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双异质氮化镓基场效应晶体管结构及制作方法
一种双异质氮化镓基场效应晶体管结构，包括：一衬底；一成核层制作在衬底上面；一Fe有意掺杂铝镓氮掺杂层制作在成核层上面；一非有意掺杂高质量铝镓氮外延层制作在Fe有意掺杂铝镓氮掺杂层上面；一非有意掺杂氮化镓沟道层制作在非有意...
王翠梅冯春王晓亮王权肖红领姜丽娟殷海波
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一种基于电磁感应的加热装置
本发明提供了一种基于电磁感应的加热装置。利用在托盘周围放置导磁体，使托盘附近集中了绝大部分的磁力线，从而加热温度更高、加热速度更快；利用托盘中磁力线分布均匀，使温度均匀性更好；利用导磁体能够聚集磁力线、引导磁力线方向、减...
王晓亮梅书哲王权殷海波姜丽娟肖红领李巍
一种混合极性InGaN太阳能电池结构
本发明提供了一种混合极性InGaN太阳能电池结构，其包括：n型GaN层、i区光吸收层、p型GaN层、分别镀在n型GaN层和p型GaN层表面的金属电极；i区光吸收层位于n型GaN层的上面，p型GaN层位于i区光吸收层的上面...
肖红领王琨王权冯春姜丽娟李巍王翠梅王晓亮
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