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曹越

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇芯片
  • 3篇二极管
  • 2篇电极
  • 2篇双针
  • 2篇器件芯片
  • 2篇梁式引线
  • 2篇墨点
  • 2篇坏点
  • 2篇硅
  • 2篇玻璃钝化
  • 1篇低电阻率
  • 1篇电阻率
  • 1篇叠层
  • 1篇多芯片
  • 1篇原位生长
  • 1篇原位修复
  • 1篇态密度
  • 1篇碳化
  • 1篇碳化硅
  • 1篇体缺陷

机构

  • 8篇中国电子科技...

作者

  • 8篇曹越
  • 5篇顾晓春
  • 2篇赵志飞
  • 2篇李赟
  • 2篇李熙华
  • 2篇薛爱杰
  • 1篇王霄
  • 1篇彭大青
  • 1篇蔡静
  • 1篇杨乾坤

年份

  • 3篇2024
  • 1篇2020
  • 3篇2018
  • 1篇2016
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种硅台面二极管的玻璃钝化方法
本发明公开了一种硅台面二极管的玻璃钝化方法，依次包括如下步骤：玻璃浆料的配制、玻璃涂覆、多余台顶玻璃清除、玻璃烧结和成型的步骤，本发明通过优化玻璃浆料的配制比例，采取粘除法清除台顶玻璃，之后再进行玻璃烧结的工艺，在达到理...
曹越顾晓春薛爱杰
文献传递
梁式引线两端器件芯片的自动测试方法
本发明涉及一种梁式引线两端器件芯片的自动测试方法，包括：(1)测试探卡接入半导体自动测试探针台；(2)载入被测晶片，调直，设置探针台测试参数，设置加电系统测试参数；(3)ATE自动测试，处理数据，输出MAP图，获得测试B...
王钊曹越李熙华施传贵顾晓春
文献传递
一种3C-SiC复合结构及其制备方法
一种3C‑SiC复合结构及其制备方法，本发明通过4H‑SiC进行长时间氢气刻蚀，在表面形成单个晶胞高度（4层Si‑C双原子层）的晶体台阶，再进行表面碳化和生长3C‑SiC异质成核层，保证3C‑SiC外延过程中原子层排列有...
李赟赵志飞王翼熊瑞曹越姜海涛
一种SiC抛光片无损检测与统计的方法
本发明公开了一种SiC抛光片无损检测与统计的方法，首先清洗待检测抛光片、镂空固定抛光片，将载有抛光片的载片平台固定在光学显微镜下，以抛光片的边缘位置为基准调整光强调和聚焦度，对抛光片进行扫描、统计体缺陷和划分等级。该方法...
王克超姜海涛曹越杨乾坤彭大青
一种硅台面二极管的玻璃钝化方法
本发明公开了一种硅台面二极管的玻璃钝化方法，依次包括如下步骤：玻璃浆料的配制、玻璃涂覆、多余台顶玻璃清除、玻璃烧结和成型的步骤，本发明通过优化玻璃浆料的配制比例，采取粘除法清除台顶玻璃，之后再进行玻璃烧结的工艺，在达到理...
曹越顾晓春薛爱杰
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内串联结构二极管管堆
本发明涉及一种内串联结构二极管管堆，包括金属陶瓷管壳、基板和二极管芯片；其中，基板具有多个独立的金属互联模块，安装在金属陶瓷管壳上，每两个二极管芯片叠层串联构成回路装配在基板上，金属陶瓷管壳内部集成多个独立的回路。优点：...
曹越王霄姜成名蔡静王钊胡永军施传贵顾晓春
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梁式引线两端器件芯片的自动测试方法
本发明涉及一种梁式引线两端器件芯片的自动测试方法，包括：(1)测试探卡接入半导体自动测试探针台；(2)载入被测晶片，调直，设置探针台测试参数，设置加电系统测试参数；(3)ATE自动测试，处理数据，输出MAP图，获得测试B...
王钊曹越李熙华施传贵顾晓春
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降低厚层碳化硅外延材料表面微坑缺陷数量的生长方法
本发明公开了降低厚层碳化硅外延材料表面微坑缺陷数量的生长方法，在完成常规厚层碳化硅外延薄膜生长后，基于氯化氢辅助超低速SiC外延工艺原位生长一层修复层对表面微坑缺陷进行外延修复；在完成修复层生长后，进行修复层原位氯化氢辅...
赵志飞王翼李赟熊瑞周平曹越姜海涛
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